【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及贯通电容器以及该贯通电容器的安装构造。
技术介绍
作为贯通电容器，己知有一种具备电介质层和内部电极交替地层 叠的电容器素体、以及形成于该电容器素体表面的端子电极的贯通电容器(例如，参照日本专利公开平第01-206615号公报)。
技术实现思路
为了谋求这样的贯通电容器的低阻抗化，有必要降低等效串联电 感(ESL)。尤其是为了完成高频工作，有必要将ESL保持得充分低。 然而，日本专利公开平第01-206615号公报所述的贯通电容器并没有被 进行为了降低ESL的探讨。可是，近年来随着产品的小型化不断进行，期望提高电路基板上 的配线密度。然而，如果将日本专利公开平第01-206615号公报所述的 贯通电容器搭载于电路基板，则该部分的配线空间减小。因此，配线 密度有可能降低。因此，本专利技术的课题在于，提供一种能够抑制在搭载于电路基板 的情况下的配线密度的降低且能够谋求ESL的降低的贯通电容器及其 安装构造。本专利技术为贯通电容器，具备由多个绝缘体层层叠而成的大致长 方体状的电容器素体、配置在电容器素体内且相互相对的信号用内部 电极和接地用内部电极、分别设...
【技术保护点】
一种贯通电容器，其特征在于， 具备： 由多个绝缘体层层叠而成的大致长方体状的电容器素体、 配置在所述电容器素体内且相互相对的信号用内部电极和接地用内部电极、 分别设在所述电容器素体的长边方向上的第１和第２端面上且连接 于所述信号用内部电极的信号用端子电极、以及 设在沿着所述电容器素体的长边方向延伸的第１～第４侧面的至少任１个侧面上且连接于所述接地用内部电极的接地用端子电极， 其中， 所述接地用端子电极设在靠近所述第１端面和第２端面的至少 任一个端面的位置。
【技术特征摘要】
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