发光二极管封装结构及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管封装结构及其制作方法。该发光二极管封装结构包括承载器、凸起部、发光二极管芯片以及粘着层。凸起部设置于承载器上，并具有开口以暴露出承载器，且凸起部的材料为导热材料。发光二极管芯片设置于承载器上并位于开口中。粘着层设置于发光二极管芯片与承载器之间，以接合发光二极管芯片与承载器。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，且特別是涉及一种 高导热效率的。
技术介绍
近年来，由于发光二极管的发光效率不断提升，使得发光二极管在某些 领域已渐渐取代日光灯与白炽灯泡，例如需要高速反应的扫描器灯源、液晶 显示器的背光源或前光源汽车的仪表板照明、交通号志灯，以及一般的照明 装置等。发光二极管的发光原理是将电能转换为光，也就是对上述的化合物 半导体施加电流，透过电子、空穴的结合以光的型态释放出来，进而达到发 光的效果。由于发光二极管具有反应速度快(约为10—9秒)、体积小、低用电 量、低污染、高可靠度、适合量产等优点，所以发光二极管所能应用的领域 十分广泛。图1绘示为已知发光二极管封装结构的剖面示意图。请参照图1,已知的发光二极管封装结构100是由发光二极管芯片110、承载器120、两条导 线132、 134以及封装胶体140所构成。其中，发光二极管芯片110设置于 承载器120上，而且两条导线132、导线134分别电性连接于发光二极管芯 片IIO与承载器120之间。封装胶体140设置于承载器120上并包覆两条导 线132、导线134。发光二极管芯片110主要是通过对两条导线132、导线 134施加电压差以使发光二极管芯片IIO的发光层112发光，同时发光层112 也会产生热量，当承载器120与封装胶体140的导热功能较差时，发光二极 管芯片IIO的发光层112发光时所产生的热量无法有效排出，特別是在高电 流驱使下，发光二极管芯片IIO往往容易因过热而损坏。
技术实现思路
本专利技术提出一种发光二极管封装结构包括承载器、第一凸起部、发光二 极管芯片以及粘着层。第一凸起部设置于承载器上，并具有第一开口以暴露出承载器，且第一凸起部的材料为导热材料。发光二极管芯片设置于承载器 上并位于第 一开口中，且第 一开口的宽度与发光二极管芯片的宽度比值为1，即为第一开口的内壁与发光二极管芯片的侧壁相贴合。粘着层i殳置于发光二 极管芯片与承载器之间，以接合发光二极管芯片与承载器。本专利技术提出一种发光二极管封装结构包括承载器、第一凸起部、发光二 极管芯片以及粘着层。第一凸起部设置于承载器上，并具有笫一开口以暴露 出承载器，且第一凸起部的材料为导热材料。发光二极管芯片设置于承载器 上并位于第一开口中，且第一开口的宽度与发光二极管芯片的宽度比值大于 1且小于或等于1.5，即发光二极管芯片的侧壁与第一开口的内壁之间存有间 隙。粘着层设置于发光二极管芯片与承载器之间，以接合发光二极管芯片与 承载器。本专利技术提出一种发光二极管封装结构的制作方法如下所述。首先，提供 基板，基板具有第一表面。接着，配置粘着层与发光二极管芯片于基板的第 一表面上，其中粘着层接合于发光二极管芯片与基板之间，且发光二极管芯 片具有远离基板的第二表面。然后，形成第一导热材料层于第一表面上，第 一导热材料层具有第一开口以暴露出发光二极管芯片，且第一开口的内壁与 发光二极管芯片的侧壁相贴合。本专利技术提出一种发光二极管封装结构的制作方法如下所述。首先，提供 基板，且基板具有凹槽。然后，配置粘着层与发光二极管芯片于凹槽的底部， 且粘着层接合于基板与发光二极管芯片之间，凹槽的宽度与发光二极管芯片 的宽度比值大于1且小于或等于1.5,即发光二极管芯片的侧壁与凹槽的内 壁之间存有间隙。本专利技术的发光二极管封装结构还具有第 一 凸起部，而第 一 凸起部的材料 为导热材料，且第一凸起部贴近发光二极管芯片的侧壁。故本专利技术的第一凸 起部有助于增加发光二极管芯片的侧壁的导热效率。也因此，本专利技术的第一 凸起部有助于使发光二极管封装结构避免因导热效率不佳而造成发光二极 管芯片的发光效率降低或是损坏的问题。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合 附图作详细il明如下。附图说明8图1绘示为已知发光二极管封装结构的剖面示意图。图2绘示本专利技术实施例的发光二极管封装结构的剖面示意图。 图3至图8为图2的发光二极管封装结构的多种变化的剖面示意图。 图9为本专利技术的实施例的发光二极管封装结构的剖面示意图。 图10为本专利技术的再一实施例的发光二极管封装结构的剖面示意图。 图11为本专利技术的又一实施例的发光二极管封装结构的剖面示意图。 图12为图11的发光二极管封装结构的变化的剖面示意图。 图13A至图13D为本专利技术实施例的发光二极管封装结构的制作方法的 剖面示意图。图14A至图14C为本专利技术另一实施例的发光二极管封装结构的制作方 法的剖面示意图。图15A至图15C为本专利技术实施例的发光二极管封装结构的工艺的剖面 示意图。图16A为本专利技术的实施例的发光二极管封装结构的剖面示意图。 图16B、图16C、图17与图18为图16A的发光二极管封装结构的四种 变化例。图19A至图19D为本专利技术实施例的发光二极管封装结构的制作方法的 剖面示意图。图20为本专利技术实施例的发光二极管封装结构的剖面示意图。 附图标记说明100、 200、 300、 400、 500、 600、 700、 800、 900、 1000、 1100、 1600: 发光二极管封装结构110、 230、 830、 1330、 1540、 1930:发光二极管芯片 112:发光层120、 210、 810、 1620:承载器132、 134:导线140:封装胶体212、 812:基底212a、 612a、 1512:凹槽214、 814:第一导电结构216、 816:笫二导电结构 218:壳体220、 820、 1630:第一凸起部222、 822、 1342、 1952:第一开口222a、 822a、 872a、 1342a、 1512a、 1952a:内壁224、 1340、 1950、 1950a:第一导热材料层226、 1350:笫二导热材料层232、 832、 1334、 1624c、 1932、 Gl、 G2、 G3:侧壁 234、 1934:底面240、 840、 1320、 1530、 1610、 1920:粘着层250:荧光材料层260:光学透镜270:封装胶体612:第一导线架614:第二导线架850:第一光学材料层860:第一荧光材料层870:第二凸起部872:第二开口880:透明材料层890:第二荧光材料层1310、 1510、 1910:基板1312:第一表面1332:第二表面1360、 1940:遮蔽层1512b:底部1520:光学材料层1550:荧光材料层1622:本体1624:垫高部1624a:第一端101624b:第二端1632:延伸部1634、 T:顶面1932:表面1960、 R:反射层A:第一部4分Al、 Gl:间隙B:第二部分Bl:第一导电凸块B2:第二导电凸块C:导线CI:第一导线C2-.第二导线D:间距El、 E2:电极F1:第一型半导体层F2:第二型半导体层 F3:发光层 Hl、 H2:高度 II:绝缘条 12:绝缘层 K:基底O:第二光学材料层SI:第一半导体层S2:第二半导体层Wl、 W2、 W3、 W4:宽度具体实施例方式图2绘示本专利技术实施例的发光二极管封装结构的剖面示意图。请参照图 2,本实施例的发光二极管封装结构200包括承载器210、第一凸起部220、 发光二极管芯片230以及粘着层24本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管封装结构，其特征在于，包括：　承载器；　第一凸起部，设置于所述承载器上，并具有第一开口以暴露出所述承载器；　发光二极管芯片，设置于所述承载器上并位于所述第一开口中，且所述第一开口的宽度与所述发光二极管芯片的宽 度比值为１，即为所述第一开口的内壁与所述发光二极管芯片的侧壁相贴合；以及　粘着层，设置于所述发光二极管芯片与所述承载器之间，以接合所述发光二极管芯片与所述承载器。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：蔡曜骏，许镇鹏，李兆伟，胡鸿烈，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]