扩展方法技术

本发明专利技术提供扩展方法，能够使扩展后的片加热收缩。扩展方法包含如下的步骤：扩展步骤，将晶片单元的晶片的外周与环状框架的内周之间的片进行扩展；以及加热步骤，在实施了扩展步骤之后，利用对片进行加热的加热单元对晶片的外侧与环状框架的内周之间的该片的区域进行加热而使在扩展步骤中产生的片的松弛收缩。该片的区域包含第1区域以及与该第1区域相比不容易通过加热而收缩的第2区域，利用从加热单元向片放射的热，在片上形成温度比周围的片高的热点，在加热步骤中按照至少在整个第2区域定位热点的方式使加热单元移动。定位热点的方式使加热单元移动。定位热点的方式使加热单元移动。

【技术实现步骤摘要】
扩展方法


[0001]本专利技术涉及对晶片单元的片进行扩展的扩展方法。

技术介绍

[0002]为了消除因扩展而产生的片的松弛，对片进行加热而使片收缩。以往，通过使与片的被加热区域面对的加热器沿着被加热区域旋转移动而对片进行加热(例如参照专利文献1)。
[0003]专利文献1：日本特开2012
‑
156400号公报
[0004]另一方面，片具有MD(Machine direction：纵向)和TD(Transverse direction：横向)，即使对片进行加热，TD方向的两端也不容易收缩。
[0005]当片未充分地收缩时，还有可能导致无法在将晶片分割而形成的芯片之间形成充分的间隔，从而操作时相邻的芯片彼此接触而损伤。

技术实现思路

[0006]由此，本专利技术的目的在于提供能够使扩展后的片加热收缩的扩展方法。
[0007]根据本专利技术，提供扩展方法，将晶片单元的片进行扩展，该晶片单元包含晶片、粘贴有该晶片的该片以及粘贴有该片的外周缘的环状框架，该环状框架具有收纳该晶片的开口，其中，该扩展方法具有如下的步骤：扩展步骤，将该晶片单元的该晶片的外周与该环状框架的内周之间的该片进行扩展；以及加热步骤，在实施了该扩展步骤之后，利用对该片进行加热的加热单元对该晶片的外侧与该环状框架的内周之间的该片的被加热区域进行加热，使在该扩展步骤中产生的该片的松弛收缩，该片的该被加热区域包含第1区域以及与该第1区域相比不容易通过加热而收缩的第2区域，利用从该加热单元向该片放射的热，在该片上形成温度比周围的片高的热点，在该加热步骤中，按照至少在整个该第2区域中定位该热点的方式使该加热单元移动。
[0008]优选在该加热步骤中，按照使该热点在该被加热区域中沿着该晶片的外周呈圆状移动并且在该第2区域中使该热点沿着该晶片的径向往复移动的方式使该加热单元移动。
[0009]优选在该加热步骤中，按照在该被加热区域上使该热点呈同心圆状移动的方式使该加热单元移动，由此对该片的整个该被加热区域进行加热。
[0010]本专利技术起到能够使扩展后的片加热收缩的效果。
附图说明
[0011]图1是示出具有作为第1实施方式的扩展方法的扩展对象的片的晶片单元的结构例的立体图。
[0012]图2是图1所示的晶片单元的俯视图。
[0013]图3是示意性示出图2中的III部的片的分子链的图。
[0014]图4是示意性示出图2中的IV部的片的分子链的图。
[0015]图5是示出实施第1实施方式的扩展方法的扩展装置的结构例的立体图。
[0016]图6是示意性示出图5所示的扩展装置的分割单元的结构例的剖视图。
[0017]图7是示意性示出图5所示的扩展装置的加热单元的结构例的剖视图。
[0018]图8是示意性示出图7所示的加热单元的加热部与晶片单元的位置关系的侧视图。
[0019]图9是示出第1实施方式的扩展方法的流程的流程图。
[0020]图10是示意性示出图9所示的扩展方法的扩展步骤的剖视图。
[0021]图11是在图9所示的扩展方法的加热步骤中通过加热单元的框架固定单元固定了晶片单元的框架的状态的剖视图。
[0022]图12是在图9所示的扩展方法的加热步骤中将片进行了扩展的状态的剖视图。
[0023]图13是在图9所示的扩展方法的加热步骤的加热单元的保持工作台上吸引保持晶片单元且使上推部件和保持工作台下降的状态的剖视图。
[0024]图14是在图9所示的扩展方法的加热步骤中对片的区域的松弛进行加热的状态的剖视图。
[0025]图15是示意性示出在图9所示的扩展方法的加热步骤中对片的区域的松弛进行加热的加热部的移动轨迹的俯视图。
[0026]图16是示意性示出图15中的XVI部的热点的移动轨迹的俯视图。
[0027]图17是示意性示出图15中的XVII部的热点的移动轨迹的俯视图。
[0028]图18是示意性示出比较例的第2区域的热点的移动轨迹的俯视图。
[0029]图19是示意性示出在第2实施方式的扩展方法的加热步骤中对片的区域的松弛进行加热的加热部的移动轨迹的俯视图。
[0030]图20是示意性示出在第3实施方式的扩展方法的加热步骤中对片的区域的最内周进行加热的加热部的移动轨迹的俯视图。
[0031]图21是示意性示出在第3实施方式的扩展方法的加热步骤中对片的区域的径向的中央进行加热的加热部的移动轨迹的俯视图。
[0032]图22是示意性示出在第3实施方式的扩展方法的加热步骤中对片的区域的最外周进行加热的加热部的移动轨迹的俯视图。
[0033]标号说明
[0034]37：加热单元；200：晶片单元；201：晶片；202：片；203：开口；204：环状框架；215：区域(被加热区域)；216：第1区域；217：第2区域；373：红外线(热)；374：热点；1001：扩展步骤；1002：加热步骤。
具体实施方式
[0035]以下，参照附图对本专利技术的实施方式进行详细说明。本专利技术并不被以下实施方式所记载的内容限定。另外，在以下所记载的构成要素中包含本领域技术人员能够容易想到的内容、实质上相同的内容。另外，以下所记载的结构可以适当组合。另外，可以在不脱离本专利技术的主旨的范围内进行结构的各种省略、置换或变更。
[0036][第1实施方式][0037]根据附图，对本专利技术的第1实施方式的扩展方法进行说明。图1是示出具有作为第1实施方式的扩展方法的扩展对象的片的晶片单元的结构例的立体图。图2是图1所示的晶片
单元的俯视图。图3是示意性示出图2中的III部的片的分子链的图。图4是示意性示出图2中的IV部的片的分子链的图。
[0038](晶片单元)
[0039]第1实施方式的扩展方法是对图1所示的晶片单元200的片202进行扩展的方法。如图1所示，晶片单元200具有：晶片201；粘贴有晶片201的片202；粘贴有片202的外周缘且具有收纳晶片201的开口203的环状框架204。
[0040]在第1实施方式中，晶片201是以硅、蓝宝石、砷化镓或SiC(碳化硅)等作为基板的圆板状的半导体晶片或光器件晶片等。如图1所示，晶片201在正面205的由相互交叉的多条分割预定线206划分的各区域内分别形成有器件207。
[0041]器件207例如是IC(Integrated Circuit：集成电路)或LSI(Large Scale Integration：大规模集成)等集成电路、CCD(Charge Coupled Device：电感耦合元件)或CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor：互补金属氧化物半导体)等图像传感器、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems：微机电系统)或存储器(半导体存储装置)等。
[0042]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种扩展方法，将晶片单元的片进行扩展，该晶片单元包含晶片、粘贴有该晶片的该片以及粘贴有该片的外周缘的环状框架，该环状框架具有收纳该晶片的开口，其中，该扩展方法具有如下的步骤：扩展步骤，将该晶片单元的该晶片的外周与该环状框架的内周之间的该片进行扩展；以及加热步骤，在实施了该扩展步骤之后，利用对该片进行加热的加热单元对该晶片的外侧与该环状框架的内周之间的该片的被加热区域进行加热，使在该扩展步骤中产生的该片的松弛收缩，该片的该被加热区域包含第1区域以及与该第1区域相比不容易通过加热而收缩的第2区域，...

【专利技术属性】
技术研发人员：植木笃，政田孝行，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：