相变存储器及其制造方法技术

本公开涉及一种相变存储器及其制造方法。相变存储器(PCM)可以包括多个相变存储单元，每一个相变存储单元包括上电极、下电极以及位于上电极和下电极之间的两个相变层。上电极的截面面积小于下电极的截面面积。靠近上电极的相变层的熔融温度低于靠近下电极的相变层的熔融温度，并且靠近上电极的相变层的截面面积小于或等于靠近下电极的相变层的截面面积。这种相变存储器可以加速结晶过程，提高相变速度，加速写入操作。加速写入操作。加速写入操作。加速写入操作。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：周雪，秦青，焦慧芳，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：