一种半导体结构的制备方法和半导体结构技术

本公开涉及半导体技术领域，提供了一种半导体结构的制备方法和半导体结构，该方法包括：提供衬底；形成沿第二方向延伸的字线，并于字线的表面形成第一介质层，其中，字线部分位于衬底内；于字线的两侧分别形成源极接触结构和漏极接触结构；于漏极接触结构上方形成第一电极；于第一电极上方形成相变层，并于相变层上形成第二电极；于第二电极上方形成位线接触结构；于位线接触结构上方形成沿第一方向延伸的位线；于位线上方形成第二介质层。本公开实施例能够简化制备相变存储器的工艺，提高存储密度，并改善RC延迟等缺陷，提升相变存储器的性能。性能。性能。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构的制备方法和半导体结构


[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构的制备方法和半导体结构。

技术介绍

[0002]相变存储器（Phase Change Memory，PCM）是一种非易失存储设备，其利用材料的可逆转的相变来存储信息。随着内存存储需求的增加，有必要追寻更高的存储密度和更小的存储节点，显然，传统的平面型晶体管并不能满足高存储密度的需求。随着启动电流（Ion）降低、泄漏电流增加，以及栅极控制能力弱、工艺制程更困难等，使用包含埋入式字线晶体管的平面型晶体管将面临更多的挑战。

技术实现思路

[0003]本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法和半导体结构。
[0004]第一方面，本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法，包括：提供衬底；形成沿第二方向延伸的字线，并于所述字线的表面形成第一介质层，其中，所述字线部分位于所述衬底内；于所述字线的两侧分别形成源极接触结构和漏极接触结构；于所述漏极接触结构上方形成第一电极；于所述第一电极上方形成相变层，并于所述相变层上方形成第二电极；于所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供衬底；形成沿第二方向延伸的字线，并于所述字线的表面形成第一介质层，其中，所述字线部分位于所述衬底内；于所述字线的两侧分别形成源极接触结构和漏极接触结构；于所述漏极接触结构上方形成第一电极；于所述第一电极上方形成相变层，并于所述相变层上方形成第二电极；于所述第二电极上方形成位线接触结构；于所述位线接触结构上方形成沿第一方向延伸的位线；于所述位线上方形成第二介质层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述字线之前，所述方法还包括：于所述衬底内形成栅氧层；其中，位于所述衬底内的部分所述字线与所述栅氧层接触；对应地，于所述字线的表面形成第一介质层，包括：于所述字线的表面和所述衬底的表面形成所述第一介质层。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在形成所述源极接触结构之后，所述方法还包括：于所述源极接触结构的顶面平面上方形成第一隔离层和源极线结构；其中，所述半导体结构包括多个所述源极线结构，所述源极线结构沿所述第二方向延伸，且沿所述第二方向，一个所述源极线结构与若干个所述源极接触结构连接；所述第一隔离层将多个所述源极线结构隔离开，所述第一隔离层的顶面与所述源极线结构的顶面平齐；对应地，于所述漏极接触结构上方形成第一电极，包括：于所述第一隔离层内形成与所述漏极接触结构连接的所述第一电极。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，于所述第一隔离层内形成与所述漏极接触结构连接的所述第一电极，包括：于所述源极线结构和所述第一隔离层上方形成第一氧化层和第二隔离层；于所述第二隔离层、所述第一氧化层和所述第一隔离层内形成第一凹孔，所述第一凹孔暴露所述漏极接触结构；于位于所述第一隔离层内的所述第一凹孔内形成第一隔热层，在所述第二隔离层和所述第一氧化层内形成第二凹孔；去除被所述第二凹孔暴露的部分所述第一氧化层，将所述第二凹孔扩大为第三凹孔；通过阶梯覆盖工艺在所述第三凹孔内和所述第二隔离层上方形成牺牲层，其中，位于所述第三凹孔内的所述牺牲层具有空腔；去除位于所述第二隔离层上方的所述牺牲层和位于所述空腔周围的部分所述牺牲层，将所述空腔扩大为第四凹孔，所述第四凹孔的底部暴露部分所述第一隔热层；去除被所述第四凹孔暴露的所述第一隔热层，在所述第一隔热层内形成相变凹孔；去除所述牺牲层、所述第二隔离层和所述第一氧化层；于所述相变凹孔内形成所述第一电极。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在相邻的所述源极线结构之间的区域包括至少一对第一电极，于所述相变凹孔内形成所述第一电极之后，所述方法还包括：
去除部分所...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖昱程，蒋懿，杨晨，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：