具有投射衬垫的相变存储器单元制造技术

一种半导体结构(100)，包括：被第二电介质层(114)包围的加热器(116)；在第二电介质层(114)的顶部上的投射衬垫(124)；以及在投射衬垫(124)上方的相变材料层(126)。投射衬垫(124)的顶表面与加热器(116)的顶表面基本上齐平。投射衬垫(124)将相变材料层(126)与第二电介质层(114)分隔开。投射衬垫(124)可以在相变材料层(126)的结晶相(126a)和无定形相(126b)中提供平行的传导路径。半导体结构(100)可包括在加热器(116)下方并与加热器(116)电接触的底部电极(110)和在相变材料层(126)上方并与相变材料层(126)电接触的顶部电极(128)。电极(128)。电极(128)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有投射衬垫的相变存储器单元


[0001]本专利技术总体上涉及相变存储器单元，并且更具体地涉及用于形成具有投射衬垫的类型相变存储器单元的方法和结构。

技术介绍

[0002]相变存储器单元可以用于数据存储。相变存储器单元是非易失性随机存取存储器。相变存储器单元的典型配置可包括布置在至少两个电极之间并耦合到至少两个电极的相变材料。当相变存储器单元在使用中时，相变材料可以在至少两个可逆地可转变的相(无定形相和结晶相)中的一个中操作。无定形相和结晶相彼此不同。在无定形相中，与结晶相相比，相变材料具有明显更高的电阻。为了促进相位转变，将可实现期望的相变的能量(例如，电能、热能、任何其他合适形式的能量或它们的组合)供应至相变材料。
[0003]为了促进从结晶相到无定形相的变化，可以向电极之一(例如底部电极)施加电能(诸如电压脉冲)，使得电极处或者基本上在电极附近的相变材料加热到其熔化温度以上。然后将相变材料迅速冷却至低于其玻璃温度。以这种方式处理的相变材料从结晶相转变成无定形相。在已经发生这样的相变的相变材料中创建了无定形化区域。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种结构，包括：由第二电介质层包围的加热器；在所述第二电介质层的顶部上的投射衬垫，其中所述投射衬垫的顶表面与所述加热器的顶表面大体上齐平；以及在所述投射衬垫上方的相变材料层，所述投射衬垫将所述相变材料层与所述第二电介质层分隔开。2.根据权利要求1所述的结构，进一步包括：在所述加热器下方并与所述加热器电接触的底部电极；以及在所述相变材料层上方并且与所述相变材料层电接触的顶部电极。3.根据权利要求2所述的结构，进一步包括：在所述顶部电极上方并与所述顶部电极直接接触的掩模层；在所述顶部电极上方并与所述顶部电极电接触的顶部电极触点；以及在所述底部电极下方并与所述底部电极电接触的底部电极触点。4.根据权利要求1所述的结构，其中所述相变材料层包括结晶相和无定形相，其中所述无定形相在所述加热器的正上方。5.根据权利要求4所述的结构，其中所述投射衬垫在所述相变材料层的所述结晶相和所述无定形相中提供平行的传导路径。6.根据权利要求4所述的结构，其中所述投射衬垫横向地延伸超过所述相变材料层的所述无定形相。7.根据权利要求1所述的结构，其中所述加热器包括：外层；中间层，其中所述中间层位于所述外层与内层之间；以及内层，其中所述内层被所述中间层包围。8.一种结构，包括：在第二电介质层内的加热器，其中所述加热器的顶部部分在所述第二电介质层上方竖直延伸；在所述第二电介质层的顶部上的投射衬垫，所述投射衬垫在所述加热器的所述顶部部分上并且与所述加热器的所述顶部部分直接接触，所述加热器的所述顶部部分在所述第二电介质层上方竖直延伸；以及位于所述投射衬垫上方的相变材料层，所述投射衬垫将所述相变材料层与所述加热器和所述第二电介质层分隔开。9.根据权利要求8所述的结构，进一步包括：在所述加热器下方并与所述加热器电接触的底部电极；以及在所述相变材料层上方并且与所述相变材料层电接触的顶部电极。10.根据权利要求9所述的结构，进一步包括：在所述顶部电极上方并与所述顶部电极直接接触的掩模层；...

【专利技术属性】
技术研发人员：玉仁祚，鲍如强，A，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：