存储阵列及制备方法、存储芯片、相变存储器和电子设备技术

本申请适用于半导体技术领域，提供了一种存储阵列及制备方法、存储芯片、相变存储器和电子设备，所述存储阵列包括：衬底层，以及排布在所述衬底层上的多个相变存储单元；每个所述相变存储单元包括：第一电极、多块相变材料和多个第二电极，所述多块相变材料与所述多个第二电极一一对应，每块所述相变材料位于所述第一电极和对应的所述第二电极之间。通过调整每个相变存储单元的结构，在每个相变存储单元中设置多块相变材料，而且每块相变材料与相对应的第二电极相接触，通过各个第二电极即可实现对各块相变材料的控制，每块相变材料可存储1bit数据，相变存储单元即可实现对多bit数据的存储，可以提高存储阵列的存储量。可以提高存储阵列的存储量。可以提高存储阵列的存储量。

【技术实现步骤摘要】
存储阵列及制备方法、存储芯片、相变存储器和电子设备


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种存储阵列及制备方法、存储芯片、相变存储器和电子设备。

技术介绍

[0002]相变存储器(phase change memory，PCM)，是利用硫系化合物在晶态和非晶态之间相互转化时所表现出来的导电性差异来存储数据的一种存储介质，既具有内存(memory)快速读写的优势，又兼顾了存储器(storage)非易失的特点。
[0003]参见图1，图1为PCM的结构示意图，图1中的PCM包括两层存储阵列，每层存储阵列中均包括多个存储单元，每个存储单元包括顶电极、底电极、选通材料和相变材料等。但是，现有PCM的物理结构中，1个存储单元仅可以存储1比特(bit)数据。

技术实现思路

[0004]本申请提供一种存储阵列及制备方法、存储芯片、相变存储器和电子设备，解决了现有技术中存储阵列的1个存储单元仅可以存储1bit数据的问题。
[0005]为达到上述目的，本申请采用如下技术方案：
[0006]第一方面，提供一种存储阵本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储阵列，其特征在于，所述存储阵列包括：衬底层，以及排布在所述衬底层上的多个相变存储单元；每个所述相变存储单元包括：第一电极、多块相变材料和多个第二电极，所述多块相变材料与所述多个第二电极一一对应，每块所述相变材料位于所述第一电极和对应的所述第二电极之间。2.根据权利要求1所述的存储阵列，其特征在于，各个所述相变存储单元之间通过位线和字线连接；针对各个所述相变存储单元，所述相变存储单元的第一电极与所述位线连接，所述相变存储单元中的各所述相变材料分别通过对应的第二电极与不同的所述字线连接；与同一所述第二电极相对应的其他相变材料，位于与所述相变存储单元相邻的相变存储单元中，所述相变存储单元的第一电极和相邻相变存储单元的第一电极分别与不同的所述位线连接。3.根据权利要求2所述的存储阵列，其特征在于，各所述字线沿第一方向连接各所述第二电极；多条所述位线位于每个所述相变存储单元的第一电极的上方；与同一所述位线连接的各所述相变存储单元沿第二方向间隔排布。4.根据权利要求1至3任一所述的存储阵列，其特征在于，针对各个所述相变存储单元，所述相变存储单元中的至少两块所述相变材料，纵向排布在所述相变存储单元的第一电极的外侧；所述相变存储单元中位于同一水平面的各所述相变材料，等间距周向排布在所述相变存储单元的第一电极的外侧。5.根据权利要求1至4任一所述的存储阵列，其特征在于，所述存储阵列还包括：绝缘层；所述绝缘层覆盖在多个所述相变存储单元的上表面，并与各个所述相变存储单元之间的绝缘材料相接触；位线通过贯穿所述绝缘层的通孔与各所述相变存储单元的第一电极连接。6.根据权利要求1至5任一所述的存储阵列，其特征在于，所述相变存储单元还包括：缓冲层或选通层，所述缓冲层或所述选通层覆盖在所述相变存储单元的第一电极的外表面，位于所述第一电极和所述相变材料之间。7.根据权利要求6所述的存储阵列，其特征在于，若所述相变存储单元包括所述缓冲层，则所述相变存储单元还包括选通层，所述选通层覆盖在所述相变存储单元的缓冲层的外表面，位于所述缓冲层和所述相变材料之间。8.根据权利要求1至5任一所述的存储阵列，其特征在于，所述多个相变存储单元为自选通材料，所述自选通材...

【专利技术属性】
技术研发人员：谭海波，吴全潭，蓝天，童浩，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：