电子管芯测试器件和方法技术

本公开的实施例涉及电子管芯测试器件和方法。存储器单元包括具有半导体区和绝缘区的衬底。第一绝缘层在衬底上延伸。相变材料层位于第一绝缘层上。存储器单元还包括具有导电轨的互连网络。延伸穿过所述第一绝缘层的第一导电通孔的第一端与所述相变材料层接触，并且所述第一导电通孔的第二端与所述半导体区接触。延伸穿过第一绝缘层的第二导电通孔的第一端与相变材料层和导电轨两者接触，并且第二导电通孔的第二端仅与绝缘区接触。通孔的第二端仅与绝缘区接触。通孔的第二端仅与绝缘区接触。

【技术实现步骤摘要】
电子管芯测试器件和方法
[0001]优先权要求
[0002]本申请要求于2021年7月30日提交的法国专利申请No.2108320的优先权，该申请的全部内容在法律允许的最大程度上通过引用结合于此。


[0003]本专利技术大体上涉及存储器装置，并且更明确地说，涉及相变存储器单元。

技术介绍

[0004]相变材料是在热的作用下可以在晶相和非晶相之间转换的材料。由于非晶材料的电阻显著大于相同材料的结晶相的电阻，因此这种现象用于定义两个存储状态，例如逻辑0和逻辑1，这两个存储状态由通过相变材料测量的电阻区分。用于制造存储器的最常见的相变材料是由锗、锑和碲构成的合金。
[0005]在本领域中需要解决已知相变存储器的全部或一些缺点。

技术实现思路

[0006]一个实施例提供一种存储器单元，包括：包括半导体区和绝缘区的衬底；第一绝缘层和位于第一绝缘层上的相变材料的第二层，第一绝缘层由第一和第二导电通孔穿过，第一导电通孔通过一端与第一层接触并且通过另一端与半导体区接触，第二导电通孔通过一端与第一层以及覆盖第一层的互连网络本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器单元，包括：衬底，包括半导体区和绝缘区；第一绝缘层，在所述衬底上；第一导电通孔和第二导电通孔，穿过所述第一绝缘层；相变材料层，位于所述第一绝缘层上；以及互连网络，包括导电轨；其中所述第一导电通孔的第一端与所述相变材料层接触，并且所述第一导电通孔的第二端与所述半导体区接触；以及其中所述第二导电通孔的第一端与所述相变材料层和所述导电轨两者接触，并且其中所述第二导电通孔的第二端仅与所述绝缘区接触。2.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述半导体区是晶体管的源极区或漏极区。3.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述互连网络包括第二绝缘层，并且其中所述导电轨穿过所述第二绝缘层。4.根据权利要求3所述的存储器单元，其中所述第二绝缘层的厚度大于所述相变材料层的厚度，并且其中所述第二绝缘层覆盖所述相变材料层。5.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述相变材料层的厚度小于所述导电轨的厚度。6.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述导电轨和所述相变材料层被绝缘材料的一部分分离。7.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述相变材料层至少部分处于结晶状态。8.一种存储器阵列，包括：多个存储器单元，其中每个存储器单元包括根据权利要求1所述的存储器单元。9.根据权利要求8所述的存储器阵列，其中所述多个存储器单元中的至少一个存储器单元具有部分处于非晶状态的所述相变材料层。10.一种制造存储器单元的方法，包括：a)形成在衬底中的半导体区和绝缘区；b)形成在所述衬底上方的第一绝缘层；c)形成穿过所述第一绝缘层的第一导电通孔和第二导电通孔；d)形成位于所述第一绝缘层上的相变材料层；以及e)形成包括导电轨的互连网络；其中，所述第一导电通孔的第一端与所述相变材料层接触，并且所述第一导电通孔的第二端与所述半导体区接触；以及其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：P，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：