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本公开的实施例涉及电子管芯测试器件和方法。存储器单元包括具有半导体区和绝缘区的衬底。第一绝缘层在衬底上延伸。相变材料层位于第一绝缘层上。存储器单元还包括具有导电轨的互连网络。延伸穿过所述第一绝缘层的第一导电通孔的第一端与所述相变材料层接触，...
该专利属于意法半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体股份有限公司授权不得商用。

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