半导体存储装置制造方法及图纸

实施方式提供容量大的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：在第一方向上排列的第一电极及第二电极；以及相变层，设置在第一电极与第二电极之间，包含锗(Ge)、锑(Sb)以及碲(Te)中的至少1种。相变层构成为能够转变为非晶相相对于晶体相的体积比率为第一比率的第一状态、所述体积比率为比第一比率大的第二比率的第二状态、以及所述体积比率为比第二比率大的第三比率的第三状态。二比率大的第三比率的第三状态。二比率大的第三比率的第三状态。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储装置
[0001][关联申请的参考][0002]本申请享受以日本专利申请2022
‑
030690号(申请日：2022年3月1日)为基础申请的优先权。本申请通过参考此基础申请包括基础申请的全部内容。


[0003]本实施方式涉及半导体存储装置。

技术介绍

[0004]已知一种半导体存储装置，具备第一电极以及第二电极、以及设置于第一电极与第二电极之间的相变层。相变层例如包含锗(Ge)、锑(Sb)和碲(Te)等。

技术实现思路

[0005]本专利技术所要解决的技术问题在于提供容量大的半导体存储装置。
[0006]一个实施方式的半导体存储装置，具备：第一电极以及第二电极，在第一方向上排列；以及相变层，设置于第一电极与第二电极之间，包含锗(Ge)、锑(Sb)以及碲(Te)中的至少1种。相变层构成为，能够转变为非晶相相对于晶体相的体积比率为第一比率的第一状态、所述体积比率为比第一比率大的第二比率的第二状态、以及所述体积比率为比第二比率大的第三比率的第三状态。
附图说明r/>[0007]图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体存储装置，具备：在第一方向上排列的第一电极及第二电极；以及相变层，设置在所述第一电极与所述第二电极之间，包含锗Ge、锑Sb及碲Te中的至少1种。所述相变层构成为，能够转变为非晶相相对于晶体相的体积比率为第一比率的第一状态、所述体积比率为比所述第一比率大的第二比率的第二状态、所述体积比率为比所述第二比率大的第三比率的第三状态。2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，所述相变层具备第一区域和比所述第一区域更靠近所述第一电极的第二区域，在所述相变层处于所述第二状态的情况下，所述第二区域的非晶相相对于晶体相的体积比率，小于所述第一区域的非晶相相对于晶体相的体积比率。3.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，所述第一电极在所述第一方向上的宽度小于10nm。4.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，所述相变层在所述第二状态下，包含相对于所述相变层的总体积为10％～90％的所述晶体相。5.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，当将所述相变层的所述第一方向上的宽度设为第一宽度，并将所述相变层的、与所述第一方向交叉的第二方向上的宽度设为第二宽度时，所述第一宽度为所述第二宽度的1.5倍以上。6.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，通过向所述第一电极与所述第二电极之间供给第一电压，由此所述相变层从所述第一状态转变为所述第二状态，通过向所述第一电极与所述第二电极之间供给比所述第一电压大的第二电压...

【专利技术属性】
技术研发人员：大出裕之，大西佑辉，渡边伊吹，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：