本发明专利技术涉及光刻仿真领域，特别是涉及一种光学邻近修正方法、装置、设备及计算机可读存储介质，通过获取目标版图；对所述目标版图进行MBOPC模拟，得到全芯掩膜；确定所述全芯掩膜上的坏点；根据所述坏点确定待调区域；对所述待调区域内的边段进行扰动，并通过验证模型进行OPC模拟，记录对应的EPE变化，得到EPE影响矩阵；根据预设的生产工艺要求，确定所述EPE影响矩阵对应的约束条件；求解所述约束条件下的EPE影响矩阵，得到最优边段移动数据；根据所述最优边段移动数据对所述待调区域进行调整，得到修正掩膜。本发明专利技术对存在坏点的待调区域进行扰动，并进行二次OPC模拟在兼顾了较低算力占用的同时，解决坏点。解决坏点。解决坏点。
【技术实现步骤摘要】
光学邻近修正方法、装置、设备及计算机可读存储介质
[0001]本专利技术涉及光刻仿真领域，特别是涉及一种光学邻近修正方法、装置、设备及计算机可读存储介质。
技术介绍
[0002]当前用于大规模集成电路制造的光刻系统主要包括单色激光光源、掩模版、光学投射系统，及晶片等部分。光源发出的光线经过聚光镜聚焦后入射至掩模版，经过掩模版透光由投射系统入射至晶片上的光阻进行曝光，再经过清洗和蚀刻，掩模上的图形就被复制到晶片上。
[0003]目前主流的光刻系统使用波长193nm的氟化氩深紫外光源（投影透镜浸入于水中），用于光刻工艺节点28nm
‑
7nm，电路的关键尺寸已经远远小于光源的波长，因此光的干涉和衍射现象更加强烈，加上显著而复杂的掩模版厚度及光阻效应，极大的影响了光刻工艺的成像质量。为此工艺流程必须采用基于系统仿真的分辨率增强技术，以显著提高成像效果。
[0004]基于模型的光学临近效应校正技术（Model
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based OPC，简称MBOPC）是一种重要的光刻分辨率增强技术，采用仿真和数学优化算法修改设计图形并生成掩模版图，从而提高光刻系统分辨率和所设计图形保真度，其具体工作流程中，输入的设计图形可以在多边形的边界将边拆解成段（边段），然后优化移动以形成新的掩模版多边形。
[0005]绝大多数的边段都可以用简单的多次负反馈迭代方式进行移动优化，或者用稍微复杂的矩阵计算求解器来迭代以考虑边段之间的主要的光学相互作用，经过多次迭代这些边段一般都能达到收敛，也即得到确定位置的仿真最优解，但对于很多挑战性的坏点区域，以上的传统迭代无法达到合理的优化收敛效果，而且也无法再次运用这些方法加以修复。
[0006]因此，如何在算力允许、不显著增加模拟时长的情况下，使光学邻近修正中的坏点收敛，得到符合生产工艺要求及目标版图要求的掩膜图形，是本领域技术人员亟待解决的问题。
技术实现思路
[0007]本专利技术的目的是提供一种光学邻近修正方法、装置、设备及计算机可读存储介质。
[0008]为解决上述技术问题，本专利技术提供一种光学邻近修正方法，包括：获取目标版图；对所述目标版图进行MBOPC模拟，得到全芯掩膜；确定所述全芯掩膜上的坏点；根据所述坏点确定待调区域；对所述待调区域内的边段进行扰动，并通过验证模型进行OPC模拟，记录对应的EPE变化，得到EPE影响矩阵；所述验证模型中的模拟过程包括对光阻效应及掩膜版厚度效应中的至少一种的模拟；
根据预设的生产工艺要求，确定所述EPE影响矩阵对应的约束条件；求解所述约束条件下的EPE影响矩阵，得到最优边段移动数据；根据所述最优边段移动数据对所述待调区域进行调整，得到修正掩膜。
[0009]可选地，在所述的光学邻近修正方法中，所述根据所述坏点确定待调区域包括：根据所述坏点确定核心区域，并在所述核心区域外侧确定外围区域；其中所述核心区域中边段的第一可动范围大于所述外围区域中边段的第二可动范围；相应地，所述对所述待调区域内的边段进行扰动，并通过验证模型进行OPC模拟，记录对应的EPE变化，得到EPE影响矩阵包括：对所述核心区域内的边段及所述外围区域内的边段进行扰动，并记录对应的EPE变化，得到EPE影响矩阵；相应地，所述根据所述最优边段移动数据对所述待调区域进行调整，得到修正掩膜包括：根据所述最优边段移动数据对所述核心区域及所述外围区域进行调整，得到修正掩膜。
[0010]可选地，在所述的光学邻近修正方法中，所述对所述待调区域内的边段进行扰动，并通过验证模型进行OPC模拟，记录对应的EPE变化，得到EPE影响矩阵包括：对所述待调区域内的边段逐一进行扰动，并通过验证模型进行OPC模拟，记录对应的EPE变化，得到EPE影响矩阵。
[0011]可选地，在所述的光学邻近修正方法中，所述求解所述约束条件下的EPE影响矩阵，得到最优边段移动数据包括：通过稀疏矩阵或密矩阵求解所述约束条件下的EPE影响矩阵，得到最优边段移动数据。
[0012]可选地，在所述的光学邻近修正方法中，所述生产工艺要求包括MRC要求及掩膜版对称性要求中的至少一种。
[0013]一种光学邻近修正装置，包括：获取模块，用于获取目标版图；MBOPC模块，用于对所述目标版图进行MBOPC模拟，得到全芯掩膜；坏点模块，用于确定所述全芯掩膜上的坏点；划区模块，用于根据所述坏点确定待调区域；扰动模块，用于对所述待调区域内的边段进行扰动，并通过验证模型进行OPC模拟，记录对应的EPE变化，得到EPE影响矩阵；所述验证模型中的模拟过程包括对光阻效应及掩膜版厚度效应中的至少一种的模拟；约束模块，用于根据预设的生产工艺要求，确定所述EPE影响矩阵对应的约束条件；求解模块，用于求解所述约束条件下的EPE影响矩阵，得到最优边段移动数据；修正模块，用于根据所述最优边段移动数据对所述待调区域进行调整，得到修正掩膜。
[0014]可选地，在所述的光学邻近修正装置中，所述划区模块包括：分层划区单元，用于根据所述坏点确定核心区域，并在所述核心区域外侧确定外
围区域；其中所述核心区域中边段的第一可动范围大于所述外围区域中边段的第二可动范围；相应地，所述扰动模块包括：分层扰动单元，用于对所述核心区域内的边段及所述外围区域内的边段进行扰动，并记录对应的EPE变化，得到EPE影响矩阵；相应地，所述修正模块包括：分层修正单元，用于根据所述最优边段移动数据对所述核心区域及所述外围区域进行调整，得到修正掩膜。
[0015]可选地，在所述的光学邻近修正装置中，所述扰动模块包括：逐一扰动单元，用于对所述待调区域内的边段逐一进行扰动，并通过验证模型进行OPC模拟，记录对应的EPE变化，得到EPE影响矩阵。
[0016]一种光学邻近修正设备，包括：存储器，用于存储计算机程序；处理器，用于执行所述计算机程序时实现如上述任一种所述的光学邻近修正方法的步骤。
[0017]一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上述任一种所述的光学邻近修正方法的步骤。
[0018]本专利技术所提供的光学邻近修正方法，通过获取目标版图；对所述目标版图进行MBOPC模拟，得到全芯掩膜；确定所述全芯掩膜上的坏点；根据所述坏点确定待调区域；对所述待调区域内的边段进行扰动，并通过验证模型进行OPC模拟，记录对应的EPE变化，得到EPE影响矩阵；所述验证模型中的模拟过程包括对光阻效应及掩膜版厚度效应中的至少一种的模拟；根据预设的生产工艺要求，确定所述EPE影响矩阵对应的约束条件；求解所述约束条件下的EPE影响矩阵，得到最优边段移动数据；根据所述最优边段移动数据对所述待调区域进行调整，得到修正掩膜。本专利技术对存在坏点的待调区域进行扰动，并进行二次OPC模拟，且在二次OPC模拟中选用考虑光阻效应和/或掩膜版厚度效应的验证模型，结合线性规划算法对扰动后得到的EPE影响矩阵求解，从而使计算结果快速收敛，也即在兼顾了较低算力占用的同时，求得边段的最优移动，本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括：获取目标版图；对所述目标版图进行MBOPC模拟，得到全芯掩膜；确定所述全芯掩膜上的坏点；根据所述坏点确定待调区域；对所述待调区域内的边段进行扰动，并通过验证模型进行OPC模拟，记录对应的EPE变化，得到EPE影响矩阵；所述验证模型中的模拟过程包括对光阻效应及掩膜版厚度效应中的至少一种的模拟；根据预设的生产工艺要求，确定所述EPE影响矩阵对应的约束条件；求解所述约束条件下的EPE影响矩阵，得到最优边段移动数据；根据所述最优边段移动数据对所述待调区域进行调整，得到修正掩膜。2.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述根据所述坏点确定待调区域包括：根据所述坏点确定核心区域，并在所述核心区域外侧确定外围区域；其中所述核心区域中边段的第一可动范围大于所述外围区域中边段的第二可动范围；相应地，所述对所述待调区域内的边段进行扰动，并通过验证模型进行OPC模拟，记录对应的EPE变化，得到EPE影响矩阵包括：对所述核心区域内的边段及所述外围区域内的边段进行扰动，并记录对应的EPE变化，得到EPE影响矩阵；相应地，所述根据所述最优边段移动数据对所述待调区域进行调整，得到修正掩膜包括：根据所述最优边段移动数据对所述核心区域及所述外围区域进行调整，得到修正掩膜。3.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述对所述待调区域内的边段进行扰动，并通过验证模型进行OPC模拟，记录对应的EPE变化，得到EPE影响矩阵包括：对所述待调区域内的边段逐一进行扰动，并通过验证模型进行OPC模拟，记录对应的EPE变化，得到EPE影响矩阵。4.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述求解所述约束条件下的EPE影响矩阵，得到最优边段移动数据包括：通过稀疏矩阵或密矩阵求解所述约束条件下的EPE影响矩阵，得到最优边段移动数据。5.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述生产工艺要求包括MRC要求及掩膜版对称性要求中的...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：华芯程杭州科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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