一种掩膜版优化方法、装置、设备及计算机可读存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术涉及光刻模拟领域，特别是涉及一种掩膜版优化方法、装置、设备及计算机可读存储介质，通过接收目标版图；将所述目标版图进行OPC修正，得到待调掩膜；确定所述待调掩膜上各个相邻的边段间的错位距离；根据相邻的边段间的错位距离，确定处理组；所述处理组中包括在所述待调掩膜上连续的多个边段，且同一处理组内的相邻的边段间的错位距离小于调整阈值；将同一处理组内的边段调整至齐平，得到优化掩膜。本发明专利技术计算所述待调掩膜上的相邻边段之间的错位距离，将错位距离较小的边段合并对齐，以避免后续掩膜生产过程中掩膜版机台不必要的反复重新定位校准，大大缩短了掩模版制造的周期，提升了掩膜版的生产效率。提升了掩膜版的生产效率。提升了掩膜版的生产效率。

【技术实现步骤摘要】
一种掩膜版优化方法、装置、设备及计算机可读存储介质


[0001]本专利技术涉及光刻模拟领域，特别是涉及一种掩膜版优化方法、装置、设备及计算机可读存储介质。

技术介绍

[0002]光刻是芯片制造过程中的核心工艺。光学系统，掩模版以及光刻胶系统中的非线性效应会带来芯片制造过程中的从设计图形到晶圆制造中的转移失真。现有掩模版图形优化主要是通过OPC（光学邻近效应修正）技术基于EPE（边缘位置误差）或者CD（关键尺寸）的目标函数对掩模版版图进行仿真和优化，来最大化的减少半导体制造过程中由于光学等非线性效应造成的图形失真。而在14nm以及以下的先进节点中，由于考虑到掩模版制造中的工艺误差问题，通常会对OPC修正后的版图进行MPC修正，以弥补掩模制造的误差。
[0003]掩模版制造过程中，OPC版图中的分割单元的个数直接影响了制造掩模版的速度和质量，目前的掩模版制造流程，由于OPC修正中会对版图实行大量的碎片化，所以OPC修正图形中，被分割的单元，也称边段的数目非常的大，非必须的边段会使掩模版机台在制造过程中反复定位，在制造时间产生不必要的浪费。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掩膜版优化方法，其特征在于，包括：接收目标版图；将所述目标版图进行OPC修正，得到待调掩膜；确定所述待调掩膜上各个相邻的边段间的错位距离；根据相邻的边段间的错位距离，确定处理组；所述处理组中包括在所述待调掩膜上连续的多个边段，且同一处理组内的相邻的边段间的错位距离小于调整阈值；将同一处理组内的边段调整至齐平，得到优化掩膜。2.如权利要求1所述的掩膜版优化方法，其特征在于，所述将同一处理组内的边段调整至齐平包括：确定所述处理组内的目标边段；将所述处理组内的非目标边段移动至所述目标边段对应的垂直高度位置，使同一处理组内的边段齐平。3.如权利要求1所述的掩膜版优化方法，其特征在于，所述将同一处理组内的边段调整至齐平包括：根据所述处理组确定所述处理组内的最高边段及最低边段；所述最高边段为与同一处理组内相邻的边段的接触端均为凸角的边段，所述最低边段为与同一处理组内相邻的边段的接触端均为凹角的边段；根据所述最高边段对应的垂直高度位置及所述最低边段对应的垂直高度位置，确定目标高度位置；所述目标高度位置位于所述最高边段对应的垂直高度位置及所述最低边段对应的垂直高度位置之间；将所述处理组内的边段移动至所述目标高度位置，使同一处理组内的边段齐平。4.如权利要求3所述的掩膜版优化方法，其特征在于，所述根据所述最高边段对应的垂直高度位置及所述最低边段对应的垂直高度位置，确定目标高度位置包括：取所述最高边段对应的垂直高度位置及所述最低边段对应的垂直高度位置的平均值，作为目标高度位置。5.如权利要求1所述的掩膜版优化方法，其特征在于，在得到所述优化掩膜之后，还包括：对所述优化掩膜进行MPC修正，得到理论输入掩膜；对所述理论输入掩膜进行MPC仿真，得到工作掩膜；对所述工作掩膜进行OPC仿真，得到仿真版图；计算所述仿真版图的EPE；判断所述仿真版图的EPE...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：华芯程杭州科技有限公司，
类型：发明
国别省市：