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本发明涉及光刻模拟领域,特别是涉及一种掩膜版优化方法、装置、设备及计算机可读存储介质,通过接收目标版图;将所述目标版图进行OPC修正,得到待调掩膜;确定所述待调掩膜上各个相邻的边段间的错位距离;根据相邻的边段间的错位距离,确定处理组;所述处...该专利属于华芯程(杭州)科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过华芯程(杭州)科技有限公司授权不得商用。
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本发明涉及光刻模拟领域,特别是涉及一种掩膜版优化方法、装置、设备及计算机可读存储介质,通过接收目标版图;将所述目标版图进行OPC修正,得到待调掩膜;确定所述待调掩膜上各个相邻的边段间的错位距离;根据相邻的边段间的错位距离,确定处理组;所述处...