【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及掩膜校正领域，特别是涉及一种掩膜图案校正方法、装置、电子设备和计算机可读存储介质。
技术介绍
1、半导体光刻工艺中使用的掩膜通常由电子束曝光和蚀刻工艺制造获得。需要的目标掩膜图案一般包括亚分辨率辅助图形(sub-resolution assisting feature，sraf)和主要图形(main feature)。当电子束曝光时的曝光图案和目标掩膜图案完全相同，由于电子束散射、蚀刻偏差等效应，导致最终获得的掩膜图案和目标掩膜图案之间存在误差，且误差会随着掩膜尺寸变小而变大。因此，进行掩膜工艺校正非常必要。将电子束曝光区域在目标掩膜图案的基础上进行校正，使得到的掩膜图案更接近目标掩膜图案。
2、目前，掩膜工艺校正有两种方式，分别为基于规则的校正和基于模型的校正。在基于规则的掩膜工艺校正中，首先需要定义掩膜偏差规则表，在掩膜偏差规则表中指定对于特定线宽和特定间距的边缘段，其移动的方向和距离，再依据掩膜偏差规则表对掩膜图案中所有的边缘段进行移动。在基于模型的掩膜工艺校正中，首先需要建立掩膜工艺校正模型(mask ...
【技术保护点】
1.一种掩膜图案校正方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的掩膜图案校正方法，其特征在于，还包括：
3.如权利要求2所述的掩膜图案校正方法，其特征在于，还包括：
4.如权利要求1所述的掩膜图案校正方法，其特征在于，利用预先建立的掩膜偏差规则表对所述其他目标图案进行校正包括：
5.如权利要求1所述的掩膜图案校正方法，其特征在于，利用预先建立的掩膜工艺校正程序对所述亚分辨率辅助图形目标图案进行校正，得到校正后亚分辨率辅助图形图案包括：
6.如权利要求5所述的掩膜图案校正方法，其特征在于，获取所述控制点的边...
【技术特征摘要】
1.一种掩膜图案校正方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的掩膜图案校正方法，其特征在于，还包括：
3.如权利要求2所述的掩膜图案校正方法，其特征在于，还包括：
4.如权利要求1所述的掩膜图案校正方法，其特征在于，利用预先建立的掩膜偏差规则表对所述其他目标图案进行校正包括：
5.如权利要求1所述的掩膜图案校正方法，其特征在于，利用预先建立的掩膜工艺校正程序对所述亚分辨率辅助图形目标图案进行校正，得到校正后亚分辨率辅助图形图案包括：
6.如权利要求5所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：华芯程杭州科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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