【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，尤其涉及一种掩模板组件、光刻装置和光刻方法。
技术介绍
1、半导体技术随着摩尔定律的不断发展，半导体结构从平面结构向三维立体结构演进，半导体结构的关键尺寸(critical dimension，cd)和图形周期(pitch)越来越小，导致利用光刻工艺形成半导体结构时遇到的问题越来越多。例如，小尺寸半导体结构在光刻工艺中的工艺窗口越来越小，容易造成离焦等缺陷，从而影响半导体结构的良率。
技术实现思路
1、本申请提供一种掩模板组件、光刻装置和光刻方法，可以利用第一掩模板和第二掩模板，通过两次曝光工艺，提高光刻工艺的工艺窗口。
2、第一方面，提高一种掩模板组件，该掩模板组件包括第一掩模板和第二掩模板。第一掩模板，用于对待刻蚀层上的正性光刻胶中位于禁止周期的部分进行第一次曝光，得到第一光刻胶图案。第一掩模板包括交替的第一透光图形和第一散射图形。第二掩模板，用于对第一光刻胶图案进行第二次曝光，得到第二光刻胶图案。第二掩模板包括交替的第二透光图形和第二散射图形。
<...【技术保护点】
1.一种掩模板组件，其特征在于，包括第一掩模板和第二掩模板；
2.根据权利要求1所述的掩模板组件，其特征在于，所述待刻蚀层还包括位于所述禁止周期的第一待保留图形，所述第一待保留图形均为条状，且所有所述第一待保留图形的图案以及图形周期均相同；
3.根据权利要求1或2所述的掩模板组件，其特征在于，所述待刻蚀层还包括位于禁止周期以外的第二待保留图形，所述第二待保留图形的图形周期，小于所述待刻蚀层中其他待保留图形的图形周期；
4.根据权利要求1或2所述的掩模板组件，其特征在于，沿所述第一透光图形指向所述第一散射图形的方向，所述第一散射图形的...
【技术特征摘要】
1.一种掩模板组件，其特征在于，包括第一掩模板和第二掩模板；
2.根据权利要求1所述的掩模板组件，其特征在于，所述待刻蚀层还包括位于所述禁止周期的第一待保留图形，所述第一待保留图形均为条状，且所有所述第一待保留图形的图案以及图形周期均相同；
3.根据权利要求1或2所述的掩模板组件，其特征在于，所述待刻蚀层还包括位于禁止周期以外的第二待保留图形，所述第二待保留图形的图形周期，小于所述待刻蚀层中其他待保留图形的图形周期；
4.根据权利要求1或2所述的掩模板组件，其特征在于，沿所述第一透光图形指向所述第一散射图形的方向，所述第一散射图形的宽度，小于所述第一透光图形的宽度；
5.一种光刻装置，其特征在于，包括显影设备、刻蚀设备、以及权利要求1-4任一项所述的掩模...
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