【技术实现步骤摘要】
本申请涉及光刻领域，特别是涉及一种光刻图案预测方法、装置、电子设备和计算机可读存储介质。
技术介绍
1、掩膜图案光刻后的图案轮廓可以通过光学邻近校正(optical proximitycorrection，简称opc)模型进行预测，目前光学邻近校正模型的建模流程大致为：从测试掩膜上选取建模图案集，建模图案集包括大量各不相同的建模图案；确定建模图案的关键尺寸(critical dimension，简称cd)量测值；建立光学模型并计算建模图案的光强分布模型；基于光强分布模型建立光刻胶模型；最后利用关键尺寸量测值校正光刻胶模型的参数。
2、在计算光强分布模型和校正光刻胶模型时，只考虑了邻近掩膜图案带来的影响，如图1所示，对目标仿真区域p，在周围加上光学模型和光刻胶模型作用区域q，得到实际的仿真计算区域为p+q。对于深紫外光刻工艺，作用区域q的宽度通常只有几微米到几十微米。按照这样的方法，可以实现光学邻近校正模型的快速建模和仿真。但由于模型只考虑了短程效应，模型的精确度不够。
3、深紫外光刻工艺所使用的掩膜尺寸是26×3...
【技术保护点】
1.一种光刻图案预测方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的光刻图案预测方法，其特征在于，通过多个相同的第一图案、所述第一图案的第一关键尺寸量测值，确定关键尺寸预测值对掩膜位置的第一分布模型包括：
3.如权利要求2所述的光刻图案预测方法，其特征在于，所述第一分布模型为：
4.如权利要求3所述的光刻图案预测方法，其特征在于，通过关于关键尺寸预测值、所述第一关键尺寸量测值的损失函数，确定所述二元多项式函数中的参数的值包括：
5.如权利要求3所述的光刻图案预测方法，其特征在于，根据所述第一分布模型、曝光强度和关键尺寸关...
【技术特征摘要】
1.一种光刻图案预测方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的光刻图案预测方法，其特征在于，通过多个相同的第一图案、所述第一图案的第一关键尺寸量测值，确定关键尺寸预测值对掩膜位置的第一分布模型包括：
3.如权利要求2所述的光刻图案预测方法，其特征在于，所述第一分布模型为：
4.如权利要求3所述的光刻图案预测方法，其特征在于，通过关于关键尺寸预测值、所述第一关键尺寸量测值的损失函数，确定所述二元多项式函数中的参数的值包括：
5.如权利要求3所述的光刻图案预测方法，其特征在于，根据所述第一分布模型、曝光强...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：华芯程杭州科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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