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本申请涉及光刻领域，公开了一种光刻图案预测方法、装置、电子设备和可读存储介质，包括：通过多个相同的第一图案、第一图案的第一关键尺寸量测值，确定关键尺寸预测值对掩膜位置的第一分布模型；多个第一图案在掩膜的不同位置；根据第一分布模型、曝光强度和...
该专利属于华芯程（杭州）科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华芯程（杭州）科技有限公司授权不得商用。

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