【技术实现步骤摘要】
本公开涉及工艺邻近效应校正方法和工艺邻近效应校正设备。
技术介绍
1、制造半导体设备的半导体工艺通过诸如蚀刻、沉积、平坦化、生长和注入的各种过程的组合来进行。蚀刻可以通过在对象上形成光致抗蚀剂的图案，并使用化学物质、气体、等离子体、离子束等移除对象中没有被光致抗蚀剂覆盖的部分来执行。
2、在执行蚀刻的工艺中，可能会由于各种因素而出现工艺误差。这些可能带来工艺误差的因素可能是由例如工艺的特性以及通过蚀刻实现的光致抗蚀剂图案或半导体图案的特性引起的。由于图案的特性而导致的工艺误差可以通过修改或改变图案的布局来补偿。
3、随着对半导体设备集成度提高和半导体工艺小型化的需求增加，半导体布局中包括的图案的数量快速增加。此外，随着修改或改变图案的布局以补偿工艺误差的计算量的快速增加，使用机器学习的工艺邻近效应校正(process proximity effect correction，ppc)正在被使用。
技术实现思路
1、本公开的各方面提供了一种能够有效改善半导体工艺中使用的...
【技术保护点】
1.一种用于执行多个图案的工艺邻近效应校正PPC的PPC设备的PPC方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的工艺邻近效应校正方法，其中，训练灵敏度模型包括：
3.根据权利要求2所述的工艺邻近效应校正方法，其中
4.根据权利要求2所述的工艺邻近效应校正方法，还包括：
5.根据权利要求2所述的工艺邻近效应校正方法，其中，训练灵敏度模型还包括：
6.根据权利要求1所述的工艺邻近效应校正方法，其中，估计多个图案的ACI-CD灵敏度预测值包括：
7.根据权利要求6所述的工艺邻近效应校正方法，还包括：<...
【技术特征摘要】
1.一种用于执行多个图案的工艺邻近效应校正ppc的ppc设备的ppc方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的工艺邻近效应校正方法，其中，训练灵敏度模型包括：
3.根据权利要求2所述的工艺邻近效应校正方法，其中
4.根据权利要求2所述的工艺邻近效应校正方法，还包括：
5.根据权利要求2所述的工艺邻近效应校正方法，其中，训练灵敏度模型还包括：
6.根据权利要求1所述的工艺邻近效应校正方法，其中，估计多个图案的aci-cd灵敏度预测值包括：
7.根据权利要求6所述的工艺邻近效应校正方法，还包括：
8.根据权利要求7所述的工艺邻近效应校正方法，还包括：
9.根据权利要求7所述的工艺邻近效应校正方法，其中，所述多个图案的aci-cd灵敏度预测值是基于校正多个图案的布局cd时的aci-cd预测值和校正之前的aci-cd预测值之间的差来确定的，并且
10.根据权利要求1所述的工艺邻近效应校正方法，其中，针对多个图案的布局cd的每个大小来估计多个图案的aci-cd灵敏度预测值，以确定多个图案的布局cd的校正率。
11.一种使用处理器执行多个图案的工艺邻近效应校正ppc的ppc校正设备的ppc方法，所述方法包括：
12.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴大宁，高汀勋，金成烈，金铃九，金泰勋，金贤中，李泳周，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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