本发明专利技术属于硅基OLED显示器生产技术领域的硅基OLED显示器件阳极制作方法。将带有CMOS电路驱动的硅基板(9)传入溅射镀膜设备中制作Ti/TiN/Al/ITO复合叠层膜；对硅基板(9)涂胶工艺；对硅基板(9)正面进行氮化硅膜刻蚀，硅基板(9)送至去胶机去除光刻胶和残留聚合物；对Ti/TiN/Al/ITO复合叠层膜进行刻蚀，刻蚀后送至清洗机去除表面的Particle；沉积SiO2层(3)，形成SiO2薄膜，膜厚范围为300～600nm，其作用是填充子像素之间的间隙；SiO2薄膜形成后，将硅基板(9)送至涂胶显影设备，对硅基板(9)进行涂胶和固化；刻蚀光刻胶层(5)和SiO2层(7)，本发明专利技术所述的硅基OLED显示器件阳极制作方法，能够有效提升面板开口率，进而提升显示分辨率，实现超高解析画质、提高器件整体性能。提高器件整体性能。提高器件整体性能。
【技术实现步骤摘要】
一种硅基OLED显示器件阳极制作方法
[0001]本专利技术属于硅基OLED显示器生产
，更具体地说，是涉及一种硅基OLED显示器件阳极制作方法。
技术介绍
[0002]随着元宇宙概念的崛起，目前的AR、VR等设备的需求越来越大。但是目前的现有硅基OLED全彩产品分辨率普遍较低，4K及以上的高分辨率产品凤毛麟角。所以，提高硅基OLED产品的分辨率成为本领域技术亟待需要解决的技术问题。对于硅基OLED器件来说，一般的采用顶发射结构的OLED器件结构，而顶发射OLED的阳极对于制备高分辨率的OLED至关重要。这要求顶发射器件的阳极像素尺寸更小，同时具备更小的像素间距。然而，在构成画面的像素尺寸变小的同时，像素元器件很难进行同等比例缩小，因此面板开口率会相应降低，这意味着光线通过面板的效率降低，以至于很难实现较高的显示亮度。
[0003]现有技术中有名称为“一种硅基OLED显示器件及制作方法”、公开号为“115568242A”的技术，该技术的方法包括：在硅基背板上形成多个发光器件的阳极；其中，发光器件的颜色至少包括第一颜色、第二颜色和第三颜色，阳极至少包括第一阳极、第二阳极和第三阳极；在第一阳极上制作第一颜色发光器件；在第二阳极上制作第二颜色发光器件；在第三阳极上制作第三颜色发光器件；在发光器件之间形成第一薄膜封装层；依次形成整层的共阴极层、第一光提取层和第二薄膜封装层。本专利技术的技术方案可以实现真实发光器件的制备，从而提高显示器件的亮度及色域效果，满足高亮产品的需求并保障高PPI的要求。然而，该技术没有涉及本申请的技术问题和技术方案。
技术实现思路
[0004]本专利技术所要解决的技术问题是：针对现有技术的不足，提供一种步骤简单，能够有效提升面板开口率，进而提升显示分辨率，实现超高解析画质、提高器件整体性能的硅基OLED显示器件阳极制作方法。
[0005]要解决以上所述的技术问题，本专利技术采取的技术方案为：
[0006]本专利技术为一种硅基OLED显示器件阳极制作方法，所述的硅基OLED显示器件阳极制作方法的制作步骤为：
[0007]S1.将带有CMOS电路驱动的硅基板传入溅射镀膜设备中制作Ti/TiN/Al/ITO复合叠层膜，然后将制备了Ti/TiN/Al/ITO复合叠层膜的硅基板上传入化学气相沉积镀膜设备中制作氮化硅膜层；
[0008]S2.将进行S1步骤后的硅基板传入涂胶显影设备，对硅基板涂胶工艺；然后传入光刻机进行曝光；再传入涂胶显影设备进行显影工艺；
[0009]S3.将进行S2步骤后硅基板传入ICP干法刻蚀设备中，对硅基板正面进行氮化硅膜刻蚀，该道刻蚀工序是本专利的重点部分，通过分步刻蚀的方法，来实现不同的坡度角，继而在后续的阳极刻蚀中，将图形转移至阳极结构中，实现更大的开口面积；
[0010]S4.将进行S3步骤后的硅基板送至去胶机去除光刻胶和残留聚合物，再送至清洗机去除表面的Particle；然后将硅基板传入金属刻蚀设备中，对Ti/TiN/Al/ITO复合叠层膜进行刻蚀，刻蚀后送至清洗机去除表面的Particle；
[0011]S5.将进行S4步骤后的硅基板送至化学气相沉积设备的TEOS腔室中，沉积SiO2层，形成SiO2薄膜，膜厚范围为300～600nm，其作用是填充子像素之间的间隙；SiO2薄膜形成后，将硅基板送至涂胶显影设备，对硅基板进行涂胶和固化，其目的是平坦化作用，在后续回刻过程中，尽可能确保子像素之间保留充分的SiO2此步骤仅需涂胶和固化，无须曝光和显影；
[0012]S6.将进行S5步骤后硅基板送至ICP干法刻蚀设备中，刻蚀光刻胶层和SiO2层，通过设置EPD(刻蚀终点侦测)，刻蚀终点停在ITO薄膜表面，同时子像素之间的SiO2也得到了充分的保留；
[0013]S7.将进行S6步骤后的硅基板传入化学气相沉积设备中，采用硅烷和笑气制备SiO2作为像素隔离结构；然后进行涂胶、曝光和显影，制作光刻像素图形；
[0014]S8.将进行S7步骤后的硅基板传入干法刻蚀设备和去胶设备，对像素上方的像素隔离结构上的SiO2层进行刻蚀和去胶工艺，做出像素隔离层，最后送至清洗机去除晶圆表面的Particle，完成硅基OLED阳极基板的制作。
[0015]对硅基板正面进行氮化硅膜刻蚀时，首先选用工艺气体氩气，搭配四氟化碳，将氮化硅一半的膜层刻蚀掉。
[0016]对硅基板正面进行氮化硅膜刻蚀时，其次停止通入氩气和四氟化碳，选用三氟甲烷气体继续进行刻蚀，将剩余的氮化硅膜层刻蚀完全。
[0017]对硅基板正面进行氮化硅膜刻蚀时，再次停止通入三氟甲烷，通入O2，去除光刻胶层。
[0018]将硅基板传入溅射镀膜设备中制作Ti/TiN/Al/ITO复合叠层膜时，其中Ti层的厚度为5～15nm，其作用是去除水氧，避免形成Al氧化物，降低接触电阻，同时对Al应力迁移有抑制作用。TiN层是阻挡层，其厚度为10～40nm，防止Al向Si衬底扩散以及避免Al和Ti发生互溶；Al层是阳极中作为导电和反射的主体材料，其厚度为70～100nm；ITO层是微腔层，其厚度为10～15nm，增加载流子的注入效率，提升光效。
[0019]将硅基板传入金属刻蚀设备中后，采用BCl3和Cl2作为刻蚀气体。
[0020]采用本专利技术的技术方案，工作原理及有益效果如下所述：
[0021]本专利技术所述的硅基OLED显示器件阳极制作方法，技术方案的创新点主要体现在：使用氮化硅(化学气相沉积制备)作为阳极的硬掩模层，通过干法刻蚀的工艺气体和参数调整，制备出具有不同坡度角的硬掩模层图形，继而在金属阳极刻蚀过程中，将硬掩模层的图案转移保留至金属阳极，形成具有不同坡度角的阳极结构。与现有技术相比，本专利技术的有益效果主要体现在：提升单个子像素的有效显示面积，具体表现为：一方面，在不影响像素间距的前提下，像素显示面积可以显著提升20％以上；另一方面，这种具有不同坡度角的阳极结构也不会导致像素隔离结构出现孔洞和缝隙的情况(阳极的坡度较不能太陡，一般要求＜45
°
，否则像素隔离层不能有效覆盖，出现断裂或者孔洞问题)。因此，本专利技术的制作方法，有效解决现有技术的问题。
附图说明
[0022]下面对本说明书各附图所表达的内容及图中的标记作出简要的说明：
[0023]图1为本专利技术所述的硅基OLED显示器件阳极制作时制作氮化硅膜层的示意图；
[0024]图2为本专利技术所述的硅基OLED显示器件阳极制作时进行显影工艺的示意图；
[0025]图3为本专利技术所述的硅基OLED显示器件阳极制作时将氮化硅一半的膜层刻蚀掉的示意图；
[0026]图4为本专利技术所述的硅基OLED显示器件阳极制作时去除光刻胶的示意图；
[0027]图5为本专利技术所述的硅基OLED显示器件阳极制作时刻蚀后送入湿法清洗机进行清洗的示意图；
[0028]图6为本专利技术所述的硅基OLED显示器件阳极制作时对基板进行涂胶和烘烤工艺的示意图；...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种硅基OLED显示器件阳极制作方法，其特征在于：所述的硅基OLED显示器件阳极制作方法的制作步骤为：S1.将带有CMOS电路驱动的硅基板(9)制作Ti/TiN/Al/ITO复合叠层膜，然后将制备了Ti/TiN/Al/ITO复合叠层膜的硅基板(9)制作氮化硅膜层；S2.将进行S1步骤后的硅基板(9)进行涂胶工艺；然后进行曝光；再进行显影工艺；S3.将进行S2步骤后硅基板(9)正面进行氮化硅膜刻蚀，继而在后续的阳极刻蚀中，将图形转移至阳极结构中；S4.将进行S3步骤后的硅基板(9)去除光刻胶和残留聚合物，再去除表面的Particle；然后对Ti/TiN/Al/ITO复合叠层膜进行刻蚀，刻蚀后去除表面的Particle；S5.将进行S4步骤后的硅基板沉积SiO2层(3)，形成SiO2薄膜；SiO2薄膜形成后，对硅基板(9)进行涂胶和固化；S6.将进行S5步骤后的硅基板(9)刻蚀光刻胶层(5)和SiO2层(7)，通过设置EPD，刻蚀终点停在ITO薄膜表面，同时子像素之间的SiO2保留；S7.将进行S6步骤后的硅基板(9)制备SiO2作为像素隔离结构；然后进行涂胶、曝光和显影，制作光刻像素图形；S8.将进行S7步骤后的硅基板(9)对像素上方的像素隔离结构上的SiO2层(7)进行刻蚀和去胶工艺，做出像素隔离层(8)，最后去除晶圆表面的Particle，完成硅基OLED阳极基板的制作。2.根据权利要求1所述的硅基OLED显示器件阳极制作方法，其特征在于：对硅基板(9)正面进行氮化硅膜刻蚀时，首先选用工艺气体氩气，搭配四氟化碳，将氮化硅一半的膜层刻蚀掉。3.根据权利要求2所述的硅基OLED显示器件阳极制作方法，其特征在于：对硅基板(9)正面进行氮化硅膜刻蚀时，其次停止通入氩气和四氟化碳，选用三氟甲烷气体继续进行刻蚀，将剩余的氮化硅膜层刻蚀完全。4.根据权利要求3所述的硅基OLED显示器件阳极制作方法，其特征在于：对硅基板(9)正面进行氮化硅膜刻蚀时，再次停止通入三氟甲烷，通入O2，去除光刻胶层(5)。5.根据权利要求1或4所述的硅基OLED显示器件阳极制作方法，其特征在于：将硅基板(9)传入溅射镀膜设备中制作Ti/TiN/Al/ITO复合叠层膜时，其中Ti层(4)的厚度为5～15nm，其作用是去除水氧，避免形成Al氧化物，降低接触电阻，同时对Al应力迁移有抑制作用。6.根据权利要求5所述的硅基OLED显示器件阳极制作方法，其特征在于：TiN层(10)是阻挡层，其厚度为10～40nm，防止Al向Si衬底扩散以及避免Al和Ti发生互溶；Al层(3)...
【专利技术属性】
技术研发人员：李阳阳，李亮亮，曹绪文，晋芳铭，孙圣，张良睿，荣长停，陈蒙，李启明，陆炎，
申请(专利权)人：深圳市芯视佳半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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