一种Micro-OLED有效抑制像素定义层漏电流的方法技术

本发明专利技术公开了一种Micro

【技术实现步骤摘要】
一种Micro
‑
OLED有效抑制像素定义层漏电流的方法


[0001]本专利技术属于OLED显示的
更具体地，本专利技术涉及一种Micro
‑
OLED有效抑制像素定义层漏电流的方法。

技术介绍

[0002]Micro
‑
OLED技术是进眼显示设备最佳方案之一，正逐步成为VR、AR产品的主流显示器。Micro
‑
OLED技术基础是有机发光二极管(OLED)，该技术原理为OLED在电压/电流驱动型下被点亮，显示设备通过对电压/电流的控制实现对像素(Pixel)的控制，从而显示不同的画面。
[0003]为了精准控制画面，就需对器件的电压/电流进行精准控制，但由于像素定义层(Pixel Definition Layer，PDL)膜层通常为化学气相沉积(CVD)制备的SiO/SiN膜层，这就导致PDL处存在轻微漏电流现象，引发像素无法精确控制，如像素整体微发光或像素边缘发光等现象，进而导致显示器出现颜色不均、残影等异常。
[0004]对现有技术进行检索，得到与本专利技术相关的技术文献检索结果：
[0005]中国专利文献：“像素电路及其驱动方法、阵列基板及显示装置”，专利(申请)号为：201980001352.X。其记载的技术方案为：
[0006]“该像素电路(10)包括第一调节电路(100)和第二调节电路(200)。第一调节电路(100)被配置为接收第一数据信号(Data1)以及发光控制信号(EM)以控制用于驱动发光元件(300)发光的驱动电流的大小；第二调节电路(200)被配置为接收第二数据信号(Data2)以及时间控制信号(TC)以控制驱动电流施加于发光元件(300)的时间；其中，时间控制信号(TC)在发光控制信号(EM)允许驱动电流产生的时间段内变化”；
[0007]“该像素电路(10)可以控制驱动电流施加于发光元件(300)的时间，在保证发光元件(300)工作在较高电流密度的前提下，通过控制发光元件(300)的发光时间，使得发光元件(300)可以实现各种灰阶显示”。
[0008]但是，上述公开的技术方案并未能解决现有技术存在的“PDL处存在轻微漏电流现象，引发像素无法精确控制，如像素整体微发光或像素边缘发光等现象，进而导致显示器出现颜色不均、残影等异常”的问题和缺陷。

技术实现思路

[0009]本专利技术提供一种Micro
‑
OLED有效抑制像素定义层漏电流的方法，其目的是有效抑制像素间的漏电流现象。
[0010]为了实现上述目的，本专利技术采取的技术方案为：
[0011]本专利技术Micro
‑
OLED有效抑制像素定义层漏电流的方法，所述的Micro
‑
OLED包括像素定义层；所述的方法利用原子层沉积技术(ALD)制备致密AlO
x
，HfO2(氧化铪)或AlO
x
/HfO2叠层膜，作为像素定义层(PDL)。
[0012]所述的方法过程如下：
[0013]步骤1、在带有CMOS基板上制备出Micro
‑
OLED的anode结构；
[0014]步骤2、利用原子层沉积技术(ALD)制备高介电常数(High K值)的像素定义层(PDL)；
[0015]步骤3、利用涂胶/曝光/显影及ETCH工艺对ALD方法制备的AlO
x
，HfO2像素定义层(PDL)进行刻蚀，进而形成像素定义层标准结构。
[0016]在所述的步骤2中，片源进入ALD腔体，通入N2，100～2000sccm；通入前驱体
‑
1，三甲基铝(TMA)或四二乙基氨基铪(TDEAH)，0.1～2s，清洗(Purge)：5～100s，通入前驱体
‑
2，水(H2O)，0.1～2s，清洗(Purge)，5～200s；循环生长500～100000cycle(循环周期)，生长10～2000nm。
[0017]或者，所述的步骤2替换为：使用plasma型(等离子体)ALD工艺制备AlO
x
，HfO2或AlO
x
/HfO2叠层膜作为像素定义层(PDL)。
[0018]本专利技术采用上述技术方案，通过ALD方法制备的具备高介电常数的AlO
x
，HfO2像素定义层(PDL)，有效抑制像素间的漏电流现象，从而精准控制像素点亮(开启)进而实现显示屏幕精细控制，解决或缓解像素边缘发光问题。
附图说明
[0019]图1为本专利技术Micro
‑
OLED的阳极结构示意图；
[0020]图2为本专利技术在Micro
‑
OLED的阳极结构上利用原子层沉积技术(ALD)制备高介电常数(High K值)的像素定义层(PDL)示意图；
[0021]图3为本专利技术Micro
‑
OLED的高介电常数(High K值)像素定义层Etch后的形貌示意图。
具体实施方式
[0022]下面对照附图，通过对实施例的描述，对本专利技术的具体实施方式作进一步详细的说明，以帮助本领域的技术人员对本专利技术的专利技术构思、技术方案有更完整、准确和深入的理解。
[0023]如图1至图3所示本专利技术的阳极结构。本专利技术为一种Micro
‑
OLED有效抑制像素定义层漏电流的方法，所述的Micro
‑
OLED的阳极结构包括像素定义层。图中，Anode为阳极；Substrate为基板；PDL为像素定义层。
[0024]为了解决现有技术存在的问题并克服其缺陷，实现有效抑制像素间的漏电流现象的专利技术目的，本专利技术采取的技术方案为：
[0025]如图1至图3所示，本专利技术Micro
‑
OLED有效抑制像素定义层漏电流的方法，所述的方法利用原子层沉积技术(ALD)制备致密AlO
x
，HfO2(氧化铪)或AlO
x
/HfO2叠层膜，作为像素定义层(PDL)。
[0026]本专利技术的上述方法，利用原子层沉积技术(ALD)制备致密AlO
x
，HfO2(氧化铪)或AlO
x
/HfO2叠层膜，作为像素定义层(PDL)，取代传统的化学气相沉积(CVD)方式制备的SiO/SiN(SiO介电常数3.6～4，SiN介电常数7～8)PDL，通过AlO
x
，HfO2自身的高介电常数(AlO
x
介电常数8～9，HfO2介电常数14～18)特性，有效抑制像素间的漏电流现象，从而精准控制像素点亮(开启)进而实现显示屏幕精细控制。
[0027]所述的方法过程如下：
[0028]步骤1、在带有CMOS基板上制备出Micro
‑
OLED的anode结构；如图1所示；
[0029]步骤2、利用原子层沉积技术(ALD)制本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Micro
‑
OLED有效抑制像素定义层漏电流的方法，所述的Micro
‑
OLED包括像素定义层；其特征在于：所述的方法利用原子层沉积技术制备致密AlO
x
，HfO2或AlO
x
/HfO2叠层膜，作为像素定义层。2.按照权利要求1所述的Micro
‑
OLED有效抑制像素定义层漏电流的方法，其特征在于：所述的方法过程如下：步骤1、在带有CMOS基板上制备出Micro
‑
OLED的anode结构；步骤2、利用原子层沉积技术制备高介电常数的像素定义层；步骤3、利用涂胶/曝光/显影及ETCH工艺对ALD方法制备的AlO
x
，HfO2像素定义层进行刻蚀，进而形成像素定义层标准结构。3.按照权利要求2所述的Micro
‑
OLED有效抑制像素定义层漏电流的方法，其特征在于：在所述的步骤2中，片源进入ALD腔体，通入N2，100～2000sccm。4.按照权利要求3所述的Micro
‑
OLE...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：深圳市芯视佳半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：