一种彩色显示的硅基OLED显示器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种彩色显示的硅基OLED显示器及其制备方法，其特征在于：包括像素区，所述像素区的外侧为间隔区，所述间隔区的外侧为阴极环区，所述阴极环区的外侧为绑定区，所述像素区包括第一像素区，第二像素区和第三像素区，所述第一像素区布置在像素区的中心区域，所述第二像素区和第三像素区依次布置在所述第一像素区外侧。本发明专利技术彩色化显示的硅基OLED产品及其制备方法，结构简单，成本低，能够大幅提高产品亮度，具有较强的实用性和较好的应用前景。前景。前景。

【技术实现步骤摘要】
一种彩色显示的硅基OLED显示器及其制备方法


[0001]本专利技术属于半导体光电显示
，更具体地说，涉及一种彩色显示的硅基OLED显示器及其制备方法。

技术介绍

[0002]硅基OLED显示器件区别于常规利用非晶硅、微晶硅或低温多晶硅薄膜晶体管为背板的AMOLED器件，它以单晶硅芯片为基底，像素尺寸为传统显示器件的1/10，精细度远远高于传统器件。单晶硅芯片采用现有成熟的集成电路CMOS工艺，不但实现了显示屏像素的有源寻址矩阵，还在硅芯片上实现了如SRAM存储器TCON等多种功能的驱动控制电路，大大减少了器件的外部连线增加了可靠性，实现了轻量化。与其他微显示技术相比，OLED微显示技术亦具有不少优点：(1)低功耗，比LCD功耗小20％，电池重量可以更轻。(2)工作温度宽，LCD不能在板端温度如
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20℃下工作，必须额外加热元件，而在高温下又必须使用冷却系统，所有这些解决方案都会增加整个显示器的重量、体积和功耗。而OLED为全固态器件，不需要加热和冷却就可以工作在
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40℃～+70℃的温度范围内。(3)高对比度，LCD使用内置背光源，其对比度为1000:1，而OLED微显示器的对比度可以达到10000:1以上。(4)响应速度快，OLED像素更新所需时间小于1us，而LCD的更新时间通常为10～15ms，相差了1000到1500倍，OLED的显示画面更流畅从而减小视疲劳。
[0003]目前传统的硅基OLED的彩色化均采用白光OLED上制作RGB彩色滤光片的方式，产品亮度受限于(1)白光OLED自身效率有限，(2)彩色滤光片30％的透过率，产品亮度一般低于3000nit以下，难以适用于高亮的应用场合。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是解决现有技术存在的问题，提供一种结构简单，成本低，能够大幅提高产品亮度的彩色化显示的硅基OLED产品及其制备方法。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术采取的技术方案为：所提供的这种彩色显示的硅基OLED显示器，其特征在于：包括像素区，所述像素区的外侧为间隔区，所述间隔区的外侧为阴极环区，所述阴极环区的外侧为绑定区，所述像素区包括第一像素区，第二像素区和第三像素区，所述第一像素区布置在像素区的中心区域，所述第二像素区和第三像素区依次布置在所述第一像素区外侧。
[0006]为使上述技术方案更加详尽和具体，本专利技术还提供以下更进一步的优选技术方案，以获得满意的实用效果：
[0007]所述像素区为矩形，所述第一像素区为矩形，所述第一像素区的矩形四角顶点到像素区矩形对应的四角顶点距离都相等。
[0008]所述第二像素区为矩形形状，所述第二像素区矩形四角顶点到像素区矩形对应的四角顶点距离都相等；所述第三像素区为矩形形状。
[0009]所述第一像素区、第二像素区和第三像素区的发光颜色选择白色、红色、绿色、蓝
色、黄色中的任意一种。
[0010]所述阴极环区可以为环形的封闭矩形，也可以为环形封闭矩形的一部分。
[0011]所述绑定区包括栅极行驱动区域和源信号驱动区域。
[0012]所述第一像素区(101)和第二像素区(102)交界处，所述第二像素区(102)和第三像素区(103)交界处均设有形成有黑色矩阵层。
[0013]所述黑色矩阵层形成于薄膜封装层的上方。
[0014]彩色显示的硅基OLED显示器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
[0015]S1、提供一硅基板；
[0016]S2、制作像素区阳极，分别形成第一像素区阳极，第二像素区阳极和第三像素区阳极；
[0017]S3、选择对应形状的掩模版，在真空镀膜机中分别沉积第一像素区，第二像素区和第三像素区对应的OLED部分，各像素区OLED发光颜色可以选择白色、红色、绿色、蓝色、黄色中的任意一种；
[0018]S4、在OLED层上形成薄膜封装层，对OLED部分形成保护；
[0019]S5、进行盖板贴合、打线、绑定和切割等模组工程，完成产品的制作。
[0020]彩色显示的硅基OLED显示器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
[0021]S1、提供一硅基板；
[0022]S2、制作像素区阳极，分别形成第一像素区阳极，第二像素区阳极和第三像素区阳极；
[0023]S3、选择对应像素区形状的掩模版，在真空镀膜机中分别沉积白光OLED；
[0024]S4、在OLED层上形成薄膜封装层，对OLED部分形成保护；
[0025]S5、在薄膜封装层上形成彩色滤光片层，第一像素区采用透明滤光片，第二像素区和第三像素区的彩色滤光片选择红色、绿色、蓝色、黄色中的任意一种；
[0026]S6、进行盖板贴合、打线、绑定和切割等模组工程，完成产品的制作。
[0027]本专利技术与现有技术相比，具有以下优点：本专利技术彩色化显示的硅基OLED产品及其制备方法，结构简单，成本低，能够大幅提高产品亮度，具有较强的实用性和较好的应用前景。
附图说明
[0028]下面对本说明书的附图所表达的内容及图中的标记作简要说明：
[0029]图1为本专利技术的彩色显示的硅基OLED产品一种实施例结构示意图；
[0030]图2为本专利技术的彩色显示的硅基OLED产品像素区结构示意图；
[0031]图3为本专利技术的彩色显示的硅基OLED产品另一种实施例结构示意图；
[0032]图中：1
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像素区，2
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间隔区，3
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阴极环区,4
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绑定区,101
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第一像素区,102
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第二像素区,103
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第三像素区。
具体实施方式
[0033]下面对照附图，通过对实施例的描述，对本专利技术的具体实施方式作进一步详细的说明。
[0034]本专利技术彩色显示的硅基OLED显示器，如图1、2、3中所示，包括像素区1，间隔区2，阴极环区3和绑定区4，像素区1为矩形，像素区1的外侧为间隔区2，间隔区2的外侧为阴极环区3，阴极环区的外侧为绑定区4。
[0035]像素区1包括第一像素区101,第二像素区102和第三像素区103,所述第一像素区101为矩形形状，位于像素区1的中心区域，第一像素区101的矩形四角顶点到像素区1矩形对应的四角顶点距离都相等，第一像素区101的外侧为第二像素区102，第二像素区102为矩形形状，第二像素区102矩形四角顶点到像素区1矩形对应的四角顶点距离都相等，第二像素区102的外侧为第三像素区103，第三像素区103为矩形形状。第一像素区1、第二像素区102和第三像素区103的发光颜色选择白色、红色、绿色、蓝色、黄色中的任意一种。
[0036]进一步的，像素区1的对角线尺寸为0.1
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2英寸。
[0037]进一步的，阴极环区3可以为环形的封闭矩形，也可以为环形封闭矩本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种彩色显示的硅基OLED显示器，其特征在于：包括像素区，所述像素区的外侧为间隔区，所述间隔区的外侧为阴极环区，所述阴极环区的外侧为绑定区，所述像素区包括第一像素区，第二像素区和第三像素区，所述第一像素区布置在像素区的中心区域，所述第二像素区和第三像素区依次布置在所述第一像素区外侧。2.按照权利要求1所述的彩色显示的硅基OLED显示器，其特征在于：所述像素区为矩形，所述第一像素区为矩形，所述第一像素区的矩形四角顶点到像素区矩形对应的四角顶点距离都相等。3.按照权利要求2所述的彩色显示的硅基OLED显示器，其特征在于：所述第二像素区为矩形形状，所述第二像素区矩形四角顶点到像素区矩形对应的四角顶点距离都相等；所述第三像素区为矩形形状。4.按照权利要求1所述的彩色显示的硅基OLED显示器，其特征在于：所述第一像素区、第二像素区和第三像素区的发光颜色选择白色、红色、绿色、蓝色、黄色中的任意一种。5.按照权利要求1所述的彩色显示的硅基OLED显示器，其特征在于：所述阴极环区可以为环形的封闭矩形，也可以为环形封闭矩形的一部分。6.按照权利要求1所述的彩色显示的硅基OLED显示器，其特征在于：所述绑定区包括栅极行驱动区域和源信号驱动区域。7.按照权利要求1所述的彩色显示的硅基OLED显示器，其特征在于：所述第一像素区(101)和第二像素区(102)交界处，所述第二像素区(102)和第三...

【专利技术属性】
技术研发人员：晋芳铭，曹绪文，马鑫，
申请(专利权)人：深圳市芯视佳半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：