【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体显示，更具体地说，涉及一种阳极银图案制作方法。
技术介绍
1、micro oled和micro led技术是当前vr、ar、mr、xr的最受欢迎的技术方案，microoled和micro led广泛应用于工业、民用、军事、医疗等领域，该技术正迎来爆炸式增长。银作为电导率、反射率最佳的微显示金属材料，是制作micro oled和micro led阳极或者阴极的最佳材料，而micro oled和micro led显示器件的高分辨率，导致了线距需要达到亚微米级别0.1—1um，传统的湿法工艺刻蚀线距只能有效控制在3um以上，无法满足micro oled和micro led的工艺需求。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是解决现有技术存在的问题，提供一种满足micro oled和microled的银图案小间距工艺需求，提高显示器件分辨率的阳极银图案制作方法。
2、为了实现上述目的，本专利技术采取的技术方案为：所提供的这种阳极银图案制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1)在显示器阳极上制作银膜层；步骤2)在银膜层上涂光刻胶；步骤3)光刻显影；步骤4)干法刻蚀；步骤5)去光刻胶；步骤4)中干刻工艺腔室充入ch4、h2和ar，气体ch4流量1-200sccm，ar流量1-200sccm，h2流量1-200sccm。
3、为使上述技术方案更加详尽和具体，本专利技术还提供以下更进一步的优选技术方案，以获得满意的实用效果：
4、步骤4)中，充
5、步骤4)中，开启射频源电源功率0.1-5kw，2-30s后，开启偏置射频功率0.1-3kw，反应30-600s，关闭电源，关闭气体。
6、步骤1)中，银膜层厚度为30-1000nm。
7、步骤2)中，涂0.5-2um厚度的光刻胶。
8、步骤3)中，显影线距宽度0.1-1um。
9、步骤5)中，去胶腔室充入氩气和氮气或者氧气，氮气或氧气占比1-5％，气体总流量50-200sccm。
10、打开射频源电源功率01.-5kw，反应10-120s。
11、本专利技术与现有技术相比，具有以下优点：本专利技术阳极银图案制作方法，有效解决micro oled和micro led的银图案小间距工艺需求，提高显示器件分辨率，具有较强的实用性和较好的应用前景。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种阳极银图案制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1)在显示器阳极上制作银膜层；步骤2)在银膜层上涂光刻胶；步骤3)光刻显影；步骤4)干法刻蚀；步骤5)去光刻胶；步骤4)中干刻工艺腔室充入CH4、H2和Ar，气体CH4流量1-200sccm，Ar流量1-200sccm，H2流量1-200sccm。
2.按照权利要求1所述的阳极银图案制作方法，其特征在于：步骤4)中，充入气体后，气氛稳定2-30s。
3.按照权利要求2所述的阳极银图案制作方法，其特征在于：步骤4)中，开启射频源电源功率0.1-5kw，2-30s后，开启偏置射频功率0.1-3kw，反应30-600s，关闭电源，关闭气体。
4.按照权利要求1所述的阳极银图案制作方法，其特征在于：步骤1)中，银膜层厚度为30-1000nm。
5.按照权利要求1所述的阳极银图案制作方法，其特征在于：步骤2)中，涂0.5-2um厚度的光刻胶。
6.按照权利要求1所述的阳极银图案制作方法，其特征在于：步骤3)中，显影线距宽度0.1-1um。
7.按照权利要求1所述
8.按照权利要求7所述的阳极银图案制作方法，其特征在于：打开射频源电源功率01.-5kw，反应10-120s。
...【技术特征摘要】
1.一种阳极银图案制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1)在显示器阳极上制作银膜层；步骤2)在银膜层上涂光刻胶；步骤3)光刻显影；步骤4)干法刻蚀；步骤5)去光刻胶；步骤4)中干刻工艺腔室充入ch4、h2和ar，气体ch4流量1-200sccm，ar流量1-200sccm，h2流量1-200sccm。
2.按照权利要求1所述的阳极银图案制作方法，其特征在于：步骤4)中，充入气体后，气氛稳定2-30s。
3.按照权利要求2所述的阳极银图案制作方法，其特征在于：步骤4)中，开启射频源电源功率0.1-5kw，2-30s后，开启偏置射频功率0.1-3kw，反应30-600s，关闭电源，关闭气体。
【专利技术属性】
技术研发人员：李亮亮，
申请(专利权)人：深圳市芯视佳半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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