一种Micro OLED器件黑矩阵结构制造技术

本技术属于Micro OLED技术领域的Micro OLED器件黑矩阵结构。包括OC层(1)，OC层(1)上设置横向沟槽(2)和纵向沟槽(3)，横向沟槽(2)和纵向沟槽(3)上设置光刻胶部(4)，光刻胶部(4)顶部宽度大于横向沟槽(2)及纵向沟槽(3)宽度。本技术所述的Micro OLED器件黑矩阵结构，在解决黑矩阵在高像素密度产品生产过程中易发生材料剥离问题同时，使该技术应用在Micro OLED生产工艺中能够有效降低光串扰风险现象，提高产品性能。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于micro oled，更具体地说，是涉及一种micro oled器件黑矩阵结构。

技术介绍

1、micro oled器件结构中，发光单元为下部白光oled发光器件，负责色彩呈现的rgb像素为side by side排列。下部oled发出点光源，通过rgb子像素后，分别显示red/green/blue三色光。micro oled器件结构中，像素排列易发生相邻像素间光串扰的问题。现有技术中的显示领域，一般采用黑色光阻材料，通过涂布曝光显影的方式制备黑矩阵的图案，再在其上通过涂布曝光显影的方式制备rgb子像素，以防止rgb子像素发生光串扰现象。因为micro oled显示器件要求像素密度更高，rgb子像素尺寸更低(5μm及更小，黑矩阵的线宽要求为1μm以下，线宽高则影响了rgb子像素显示区域。而小的黑矩阵线宽则会降低黑矩阵材料与下层结构的附着力，极易发生光阻剥离的情况，制程失效风险高。现有器件一般不制备黑矩阵图形。因此，像素光串扰现象和光阻剥离的情况是矛盾的，现有技术不能同时解决。

2、现有技术中有名称为“oled显示面板”、公开号为“cn本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种Micro OLED器件黑矩阵结构，其特征在于：包括OC层(1)，OC层(1)上设置横向沟槽(2)和纵向沟槽(3)，横向沟槽(2)和纵向沟槽(3)上设置光刻胶部(4)，光刻胶部(4)顶部宽度大于横向沟槽(2)及纵向沟槽(3)宽度。

2.根据权利要求1所述的Micro OLED器件黑矩阵结构，其特征在于：所述的OC层(1)每个侧边位置分别设置光刻胶部(4)。

3.根据权利要求1或2所述的Micro OLED器件黑矩阵结构，其特征在于：多道横向沟槽(2)设置为平行布置的结构，多道纵向沟槽(3)设置为平行布置的结构，横向沟槽(2)和纵向沟槽(3)垂直布置。...

【技术特征摘要】

1.一种micro oled器件黑矩阵结构，其特征在于：包括oc层(1)，oc层(1)上设置横向沟槽(2)和纵向沟槽(3)，横向沟槽(2)和纵向沟槽(3)上设置光刻胶部(4)，光刻胶部(4)顶部宽度大于横向沟槽(2)及纵向沟槽(3)宽度。

2.根据权利要求1所述的micro oled器件黑矩阵结构，其特征在于：所述的oc层(1)每个侧边位置分别设置光刻胶部(4)。

3.根据权利要求1或2所述的micro oled器件黑矩阵结构，其特征在于：多道横向沟槽(2)设置为平行布置的结构，多道纵向沟槽(3)设置为平行布置的结构，横向沟槽(2)和纵向沟槽(3)垂直布置。

4.根据权利要求3所述的micro oled器件黑矩阵结构，其特征在于：所述的光刻胶部(4)包括光刻胶部上部(5)和光刻胶部下部(6)，光刻胶部上部(5)和光刻胶部下部(6)呈t型结构。

5.根据权利要求4所述的micro oled器件黑矩阵结构，其特征在于：所述的横向沟槽(2)内的光刻胶...

【专利技术属性】
技术研发人员：李启明，李亮亮，荣长停，李阳阳，陈蒙，陆炎，张良睿，
申请(专利权)人：深圳市芯视佳半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：