【技术实现步骤摘要】
本技术属于micro oled，更具体地说，是涉及一种micro oled器件黑矩阵结构。
技术介绍
1、micro oled器件结构中，发光单元为下部白光oled发光器件，负责色彩呈现的rgb像素为side by side排列。下部oled发出点光源，通过rgb子像素后，分别显示red/green/blue三色光。micro oled器件结构中，像素排列易发生相邻像素间光串扰的问题。现有技术中的显示领域，一般采用黑色光阻材料，通过涂布曝光显影的方式制备黑矩阵的图案，再在其上通过涂布曝光显影的方式制备rgb子像素，以防止rgb子像素发生光串扰现象。因为micro oled显示器件要求像素密度更高，rgb子像素尺寸更低(5μm及更小，黑矩阵的线宽要求为1μm以下，线宽高则影响了rgb子像素显示区域。而小的黑矩阵线宽则会降低黑矩阵材料与下层结构的附着力，极易发生光阻剥离的情况，制程失效风险高。现有器件一般不制备黑矩阵图形。因此，像素光串扰现象和光阻剥离的情况是矛盾的，现有技术不能同时解决。
2、现有技术中有名称为“oled显示面板”、公开号为“cn114023903a”的技术，该技术提供一种oled显示面板，该oled显示面板包括阵列基板、位于阵列基板之上的发光器件层、位于发光器件层之上的封装层、以及位于封装层之上的触控层以及位于触控层之上的偏光层；其中，偏光层包括与发光器件层对位设置的彩色滤光层、以及位于彩色滤光层之间的黑色矩阵；触控层具有微透镜结构的凹槽，彩色滤光层填充于凹槽以形成有蓝色滤光层；本专利技术的显示面板的
技术实现思路
1、本技术所要解决的技术问题是：针对现有技术的不足，提供一种结构简单，在解决黑矩阵在高像素密度产品生产过程中易发生材料剥离问题同时，使该技术应用在micro oled生产工艺中能够有效降低光串扰风险现象，提高产品性能的micro oled器件黑矩阵结构。
2、要解决以上所述的技术问题，本技术采取的技术方案为：
3、本技术为一种micro oled器件黑矩阵结构，包括oc层，oc层采用涂胶/曝光/显影的方式制备，oc层上设置横向沟槽和纵向沟槽，横向沟槽和纵向沟槽光刻胶部顶部宽度大于横向沟槽及纵向沟槽宽度。
4、所述的oc层每个侧边位置分别设置光刻胶部。
5、多道横向沟槽设置为平行布置的结构，多道纵向沟槽3设置为平行布置的结构，横向沟槽和纵向沟槽垂直布置。
6、所述的光刻胶部包括光刻胶部上部和光刻胶部下部，光刻胶部上部和光刻胶部下部呈t型结构。
7、所述的横向沟槽内的光刻胶部的光刻胶部上部宽度大于横向沟槽宽度，纵向沟槽内的光刻胶部的光刻胶部上部宽度大于纵向沟槽宽度。
8、所述的oc层制备在tfe-cvd层上部。
9、所述的oc层上表面设置red层、green层、blue层。
10、所述的光刻胶部上部设置red层、green层、blue层，且red层、green层、blue层边缘部覆盖于光刻胶上部。
11、所述的oled发光器件设置在cmos层上部；所述的tfe-cvd层设置在oled发光器件上部。
12、采用本技术的技术方案，工作原理及有益效果如下所述：
13、本技术所述的micro oled器件黑矩阵结构，结构设置时，oc层上表面按间隙设置多道横向沟槽和多道纵向沟槽，需要形成光刻胶部，利用旋涂设备在oc层上表面涂布一层黑色光刻胶，光刻胶具有流动性，光刻胶流动进入预先开好的各道沟槽(横向沟槽和纵向沟槽)，形成多道纵横布置的光刻胶部，利用曝光机进行曝光，再进行显影处理，最终形成黑矩阵图案。而光刻胶部形成黑矩阵图案后，在oled发光器件发光时，每个oled发光器件的光路受到限定，而每个oled发光器件的光路边线从对应的光刻胶部内侧位置向上射出，对光路进行限定，使得相邻像素间的光路不会发生交叉，有效避免光串扰的问题。光刻胶部部分位于沟槽内，对光刻胶部实现限位，在产品制备后，不会发生光阻剥离的情况，有效减低制程失效风险。
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1.一种Micro OLED器件黑矩阵结构，其特征在于：包括OC层(1)，OC层(1)上设置横向沟槽(2)和纵向沟槽(3)，横向沟槽(2)和纵向沟槽(3)上设置光刻胶部(4)，光刻胶部(4)顶部宽度大于横向沟槽(2)及纵向沟槽(3)宽度。
2.根据权利要求1所述的Micro OLED器件黑矩阵结构，其特征在于：所述的OC层(1)每个侧边位置分别设置光刻胶部(4)。
3.根据权利要求1或2所述的Micro OLED器件黑矩阵结构，其特征在于：多道横向沟槽(2)设置为平行布置的结构，多道纵向沟槽(3)设置为平行布置的结构，横向沟槽(2)和纵向沟槽(3)垂直布置。
4.根据权利要求3所述的Micro OLED器件黑矩阵结构，其特征在于：所述的光刻胶部(4)包括光刻胶部上部(5)和光刻胶部下部(6)，光刻胶部上部(5)和光刻胶部下部(6)呈T型结构。
5.根据权利要求4所述的Micro OLED器件黑矩阵结构，其特征在于：所述的横向沟槽(2)内的光刻胶部(4)的光刻胶部上部(5)宽度大于横向沟槽(2)宽度，纵向沟槽(3)内的光刻胶部(4)的
6.根据权利要求1或2所述的Micro OLED器件黑矩阵结构，其特征在于：所述的OC层(1)制备在TFE-CVD层(7)上部。
7.根据权利要求6所述的Micro OLED器件黑矩阵结构，其特征在于：所述的OC层(1)上表面设置RED层(8)、GREEN层(9)、BLUE层(10)。
8.根据权利要求7所述的Micro OLED器件黑矩阵结构，其特征在于：所述的光刻胶部(4)上部设置RED层(8)、GREEN层(9)、BLUE层(10)，且RED层(8)、GREEN层(9)、BLUE层(10)边缘部覆盖于光刻胶部(4)上部。
9.根据权利要求8所述的Micro OLED器件黑矩阵结构，其特征在于：OLED发光器件(11)设置在CMOS层(12)上部；TFE-CVD层(7)设置在OLED发光器件(11)上部。
...【技术特征摘要】
1.一种micro oled器件黑矩阵结构，其特征在于：包括oc层(1)，oc层(1)上设置横向沟槽(2)和纵向沟槽(3)，横向沟槽(2)和纵向沟槽(3)上设置光刻胶部(4)，光刻胶部(4)顶部宽度大于横向沟槽(2)及纵向沟槽(3)宽度。
2.根据权利要求1所述的micro oled器件黑矩阵结构，其特征在于：所述的oc层(1)每个侧边位置分别设置光刻胶部(4)。
3.根据权利要求1或2所述的micro oled器件黑矩阵结构，其特征在于：多道横向沟槽(2)设置为平行布置的结构，多道纵向沟槽(3)设置为平行布置的结构，横向沟槽(2)和纵向沟槽(3)垂直布置。
4.根据权利要求3所述的micro oled器件黑矩阵结构，其特征在于：所述的光刻胶部(4)包括光刻胶部上部(5)和光刻胶部下部(6)，光刻胶部上部(5)和光刻胶部下部(6)呈t型结构。
5.根据权利要求4所述的micro oled器件黑矩阵结构，其特征在于：所述的横向沟槽(2)内的光刻胶...
【专利技术属性】
技术研发人员：李启明，李亮亮，荣长停，李阳阳，陈蒙，陆炎，张良睿，
申请(专利权)人：深圳市芯视佳半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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