一种制造技术

本实用新型专利技术公开了一种

【技术实现步骤摘要】
一种Micro
‑
OLED透明阴极结构


[0001]本技术属于
OLED
显示的

。
更具体地，本技术涉及一种
Micro
‑
OLED
透明阴极结构，以增强薄膜封装效果
。

技术介绍

[0002]Micro
‑
OLED)
显示产业迅猛发展，国内外相关产品也层出不穷，尤其在
VR、AR
行业的显示模块正逐步被
Micro
‑
OLED
显示屏取代
。
[0003]Micro
‑
OLED
由有机发光二极管
(OLED)
通电后发光作为光源，通过电路及逻辑控制显示不同画面
。
但
OLED
产品失效的主要原因之一就是有机发光层易与大气中的水氧反应，引发的发光效率下降或膜层失效
。
[0004]采用“OLED
；透明；阴极结构；水氧反应”等关键词，对现有公开的技术文献进行检索，得到与本技术相关的检索结果如下：
[0005]1、
中国专利文献：“复合阴极结构及其制备方法
、
发光器件和显示装置”，专利
(
申请
)
号为：
201911064318.5
，其记载的技术方案为：
[0006]“复合阴极结构及其制备方法
、
发光器件和显示装置，复合阴极结构包括：第一阴极层，第一阴极层为低功函数金属与
Ag
的合金层；第二阴极层，第二阴极层设置在所述第一阴极层上，第二阴极层为
Ag
纳米线层；其中，低功函数金属为功函数为
1.5ev
～
3.5eV
的金属”；
[0007]其记载的技术效果是：
[0008]“通过将低功函数金属与
Ag
混合的合金层作为第一阴极层，既可保留低功函数金属较高的电子注入能力又可保留高功函数金属
Ag
的高稳定性
。
同时将
Ag
纳米线层作为第二阴极层，可与第一阴极层形成良好的界面接触，没有注入势垒，而且
Ag
纳米线是透明的，可以在增加厚度从而增加阴极可靠性的同时与第一阴极层组合形成透明的复合阴极结构，能够应用到顶发射发光器件或透明发光器件中”。
[0009]2、
中国专利文献：“一种低功函数阴极结构有机电致发光器件的制备方法”，专利
(
申请
)
号为：
202111062450.X
；其记载的技术方案为：
[0010]“低功函数阴极结构有机电致发光器件的制备方法，通过采用金属
Yb
靶材尤其是特定的圆柱形
Yb
靶材，有效的提高了电子的注入和传输性能
。
此外，当电子传输层采用特定的噁唑类衍生物或噻唑类衍生物时，阴极与电子传输层之间的能级更加匹配，进一步提升了电子注入效率，进而又改善了器件的发光效率”；
[0011]其记载的技术效果是：
[0012]“采用两层覆盖层，不仅使得器件具有较高的发光效率，同时可以进一步有效隔绝水氧，减少水氧对器件的损害；低功函数阴极结构有机电致发光器件，具有较高的发光效率以及较长的使用寿命”。
[0013]上述现有公开的技术方案，并未能解决现有技术中存在的“有机发光层易与大气中的水氧反应，引发的发光效率下降或膜层失效”的问题和缺陷
。

技术实现思路

[0014]本技术提供一种
Micro
‑
OLED
透明阴极结构，其目的是增强薄膜封装效果
。
[0015]为了实现上述目的，本技术采取的技术方案为：
[0016]本技术
Micro
‑
OLED
透明阴极结构，所述的
Micro
‑
OLED
包括衬底基板，在衬底基板表面上设有阳极膜层结构
、
像素定义层，在所述的像素定义层的外围，设置阴极导线环；在所述的阴极导线环的最外围，设置阴极环边界结构；在阳极膜层结构和像素定义层的外表面上，设置
OLED
膜层；在所述的
OLED
膜层和阴极导线环的外表面上，设置
Mg/Ag
阴极膜层；在所述的
Mg/Ag
阴极膜层和阴极环边界结构的外表面上，设置氧化锌铟膜层
。
[0017]在所述的阴极环边界结构外的衬底基板的表面上，所述的氧化锌铟膜层形成向外的氧化锌铟膜层覆盖延伸区
。
[0018]在所述的及氧化锌铟膜层覆盖延伸区的外表面上，设置薄膜封装结构层
。
[0019]在所述的氧化锌铟膜层外的衬底基板的表面上，所述的薄膜封装结构层形成向外的薄膜封装结构层延伸区
。
[0020]为了实现与上述技术方案相同的专利技术目的，本技术还提供以上所述的
Micro
‑
OLED
透明阴极结构的制备方法，其过程为：
[0021]步骤一
、
在衬底基板的表面上，制备阳极膜层结构
、
阴极导线环
、
像素定义层和阴极环边界结构；
[0022]步骤二
、
在所述的步骤一的基础上，制备出
OLED
膜层和
Mg/Ag
阴极膜层；
[0023]步骤三
、
在所述的步骤二的基础上，利用带
Mask
的物理气相设备沉积厚度为
200
～
2000A
的透明氧化锌铟膜层；
[0024]步骤四
、
在所述的步骤三的基础上，制备薄膜封装结构层
、
对
IZO
的延伸区域充分包裹，并保证薄膜封装边界延伸区域大于
IZO
延伸区域
。
[0025]在所述的步骤一中，所述的阴极环边界结构是在利用
CVD
工艺和
Dry etch
工艺
(
干蚀刻
)
在制备像素层时一同制备获得；该阴极环边界结构的高度等于像素定义层的高度减去
OLED
膜层的厚度
。
[0026]在所述的步骤二中，使用蒸镀方式制备
OLED
发光膜层；随后制备
Mg/Ag
阴极膜层，其厚度范围为
20
～
250A。
[0027]其中通过
Mask
开口面积扩大设计让导电阴极
Mg/Ag
覆盖阴极环，确保阴极金本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种
Micro
‑
OLED
透明阴极结构，所述的
Micro
‑
OLED
包括衬底基板
(10)
，在所述的衬底基板
(10)
表面上设有阳极膜层结构
(20)、
像素定义层
(30)
，在所述的像素定义层
(30)
的外围，设置阴极导线环
(21)
；在所述的阴极导线环
(21)
的最外围，设置阴极环边界结构
(31)
；在阳极膜层结构
(20)
和像素定义层
(30)
的外表面上，设置
OLED
膜层
(40)
；在所述的
OLED
膜层
(40)
和阴极导线环
(21)
的外表面上，设置
Mg/Ag
阴极膜层
(50)
；其特征在于：在所述的
Mg/Ag
阴极膜层
(50)
和阴极环边界结构
(31)
的外表面上，设置氧化锌铟膜层
(60)。2.
按照权利要求1所述的
Micro
‑
OLED
透明阴极结构，其特征在于：在所述的阴极环边界结构
(31)
外的衬底基板
(10)
的表面上，所述的氧化锌铟膜层
(60)
形成向外的氧化锌铟膜层覆盖延伸区
(61)。3.
按照权利要求2所述的
Micro
‑
OLED
透明阴极结构，其特征在于：在所述的氧化锌铟膜层覆盖延伸区
(61)
的外表面上，设置薄膜封装结构层
(70)。4.
按照权利要求3所述的
Micro
‑
OLED
透明阴极结构，其特征在于：在所述的氧化锌铟膜层
(60)
外的衬底基板
(10)<...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：深圳市芯视佳半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：