一种硅基OLED微腔阳极结构的制备方法技术

一种硅基OLED微腔阳极结构的制备方法，属于硅基OLED微腔器件技术领域，该硅基OLED微腔阳极结构的制备方法，包括以下步骤：在衬底上进行黄光制程，保留衬底上两相邻子像素之间的光刻胶；沉积金属反射层后，沉积多层导电膜层，在相邻两层导电膜层沉积之间进行包括负性光刻胶涂布的黄光制程以保留一种子像素上方的负性光刻胶；去除光刻胶后得到微腔阳极结构，本发明专利技术的有益效果是，本发明专利技术减少了工艺流程，提高了制备效率，减少干法刻蚀设备和化学气相沉积设备数量，降低了制备成本，而且可以增加产品良率及性能。产品良率及性能。产品良率及性能。

【技术实现步骤摘要】
一种硅基OLED微腔阳极结构的制备方法


[0001]本专利技术涉及硅基OLED微腔器件
，尤其涉及一种硅基OLED微腔阳极结构的制备方法。

技术介绍

[0002]目前硅基Micro OLED微显示的市场需求，加速推动着其制备工艺的改善及优化。目前，因硅基Micro OLED器件的制备良率较低，为避免较大的良率损失，目前阳极结构普遍选择简单的单层厚度结构，此结构工艺简单，但因阳极子像素厚度相同，在搭配后续的彩色滤光层时，无法有效的匹配，造成器件的光色不纯，出光效率不高。为了器件的出光更纯，效率更高，则需要器件的BGR具备不同的腔长。OLED厚度均相同，为得到不同的腔长，故需要器件阳极的BGR子像素阳极厚度不同，即为微腔器件。
[0003]传统具有微腔结构的阳极制作使用Hard Mask工艺，需要经过多次物理沉积镀膜、化学沉积镀膜、黄光工艺、干法刻蚀及湿法剥离工艺等，工艺步骤较多，对生产设备要求较高，且造成产能浪费及良率损失。
[0004]如公开号为CN113380967A的专利公开了一种强微腔器件叠层阳极的制备方法，包括以下本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅基OLED微腔阳极结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：在衬底上进行黄光制程，保留衬底上两相邻子像素之间的光刻胶；步骤2：沉积金属反射层后，沉积多层导电膜层，在相邻两层导电膜层沉积之间进行包括负性光刻胶涂布的黄光制程以保留一种子像素上方的负性光刻胶；步骤3：去除光刻胶后得到微腔阳极结构。2.根据权利要求1所述的硅基OLED微腔阳极结构的制备方法，其特征在于：所述步骤1之前进行衬底的制备，包括在硅片基板上制备CMOS驱动电路，形成CMOS基板衬底。3.根据权利要求1所述的硅基OLED微腔阳极结构的制备方法，其特征在于：所述步骤1的具体工艺步骤为：1)在衬底上整面涂布光刻胶层Ⅰ；2)经曝光、显影、烘烤后保留衬底上两相邻子像素之间的呈底切轮廓的光刻胶层Ⅰ。4.根据权利要求3所述的硅基OLED微腔阳极结构的制备方法，其特征在于：在衬底上涂布的光刻胶层Ⅰ采用负性光刻胶或正性光刻胶，通过低光剂量的情况下进行曝光、显影、烘烤后，保留底上两相邻子像素之间的光刻胶层Ⅰ，使光刻胶层Ⅰ呈底切轮廓。5.根据权利要求1所述的硅基OLED微腔阳极结构的制备方法，其特征在于：所述金属反射层采用具有良好导电和反射率的材料沉积，采用的材料包括Ti、Al、TiN或Ag；所述导电膜层采用功函数高的透明导电氧化物薄膜沉积，采用的材料包括ITO或IZO。6.根据权利要求1所述的硅基OLED微腔阳极结构的制备方法，其特征在于：所述步骤2中采用物理气相沉积法沉积金属反射层和多层导电膜层，所述导电膜层包括依次沉...

【专利技术属性】
技术研发人员：张亚飞，刘晓佳，刘胜芳，赵铮涛，
申请(专利权)人：安徽熙泰智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：