串联OLED器件的横向串扰阻断方法及串联OLED器件技术

本发明专利技术提供一种串联OLED器件的横向串扰阻断方法及串联OLED器件，串联OLED器件的电子传输层和空穴传输层之间设有一金属导电层；方法包括：对金属导电层进行图案化，以使图案化后的金属导电层与串联OLED器件的每个子像素在纵向投影上一一对应；其中，金属导电层为金属界面层和/或电荷产生层。有益效果：本发明专利技术通过对电荷产生层和/或金属界面层进行图案化，从而解决横向串扰的发生。从而解决横向串扰的发生。从而解决横向串扰的发生。

【技术实现步骤摘要】
串联OLED器件的横向串扰阻断方法及串联OLED器件


[0001]本专利技术涉及OLED
，尤其涉及一种串联OLED器件的横向串扰阻断方法及串联OLED器件。

技术介绍

[0002]有机发光二极管(Organic Light
‑
Emitting Diode，OLED)是无背光源、无液晶的自发光显示，具有优异的色彩饱和度、对比度和反应速度。由于材质更加轻薄，可透明、可柔性，OLED能够实现多样化的设计。
[0003]现有的OLED器件串联结构中，在电子传输层和空穴传输层之间设置有电荷产生层(charge generation layer，CGL)和金属界面层(IL)；其中，电荷产生层一般包括N型电荷产生层(N
‑
CGL)和P型电荷产生层(P
‑
CGL)，分别用来为单个的电子发光元件提供电子和空穴。电荷产生层通过低功函数金属以实现低工作电压和更少的功耗，以及与相邻的电荷传输层有良好的最高已占轨道(Lower Unoccupied Molecular Orbital，LUMO)和最低未占轨道(Highest Occupied Molecular Orbital，HUMO)能级搭配，以防止电荷产生层中的电荷累积。金属界面层(IL)位于N型电荷产生层和P型电荷产生层之间，采用低功函数金属或者碱金属化合物，例如Ag、LiF、K、Ga、Yb、Mg等材料制成。
[0004]现有技术中，由于低功函数金属以及碱金属化合物的导电性较强，因此在纵向串联的两个发光器件之间会存在横向导通，容易使器件发生横向串扰，从而导致串联OLED器件在低灰阶亮度下品味难以满足客户要求。

技术实现思路

[0005]为了解决以上技术问题，本专利技术提供了一种串联OLED器件的横向串扰阻断方法及串联OLED器件。
[0006]本专利技术所解决的技术问题可以采用以下技术方案实现：
[0007]一种串联OLED器件的横向串扰阻断方法，所述串联OLED器件的电子传输层和空穴传输层之间设有一金属导电层；
[0008]所述方法包括：
[0009]对金属导电层进行图案化，以使图案化后的所述金属导电层与所述串联OLED器件的每个子像素在纵向投影上一一对应；
[0010]其中，所述金属导电层为金属界面层和/或电荷产生层。
[0011]优选地，所述图案化的实现方式包括：使用精细金属掩膜板、使用喷墨打印技术、使用蚀刻技术、使用激光矩阵中的任意一种方式实现。
[0012]优选地，所述对金属导电层进行图案化，具体包括：
[0013]以一精细金属掩膜板为阻挡，于所述电子传输层上形成一不沾金属区域，所述不沾金属区域位于所述电子传输层上除所述金属导电层外的区域；
[0014]于所述电子传输层上除所述不沾金属区域外的区域淀积形成所述金属导电层。
[0015]优选地，所述不沾金属区域采用有机材料或无机材料形成。
[0016]优选地，所述不沾金属区域采用导电图案材料形成。
[0017]优选地，所述子像素包括：阵列排布的第一颜色子像素、第二颜色子像素和第三颜色子像素，且所述第一颜色子像素、所述第二颜色子像素和所述第三颜色子像素中相邻的子像素的颜色不同。
[0018]本专利技术提供一种串联OLED器件，采用如上述的串联OLED器件的横向串扰阻断方法制备得到，所述器件包括：
[0019]图案化的金属导电层，位于一电子传输层和一空穴传输层之间，且图案化后的所述金属导电层与所述串联OLED器件的每个子像素在纵向投影上一一对应；
[0020]其中，所述金属导电层为金属界面层和/或电荷产生层。
[0021]优选地，所述不沾金属区域采用有机材料或无机材料形成。
[0022]优选地，所述不沾金属区域采用导电图案材料形成。
[0023]优选地，所述子像素包括：阵列排布的第一颜色子像素、第二颜色子像素和第三颜色子像素，且所述第一颜色子像素、所述第二颜色子像素和所述第三颜色子像素中相邻的子像素的颜色不同。
[0024]本专利技术技术方案的优点或有益效果在于：
[0025]本专利技术通过对电荷产生层和/或金属界面层进行图案化，从而解决横向串扰的发生。
附图说明
[0026]图1为本专利技术较佳实施例中，串联OLED器件的结构示意图；
[0027]图2为本专利技术较佳实施例中，串联OLED器件的结构示意图；
[0028]图3为现有技术中，电荷产生层和/或金属界面层未图案化的示意图；
[0029]图4为本专利技术较佳实施例中，电荷产生层和/或金属界面层图案化之后的示意图。
具体实施方式
[0030]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0031]需要说明的是，在不冲突的情况下，本专利技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0032]下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步说明，但不作为本专利技术的限定。
[0033]参见图1，本专利技术实施例中的串联OLED器件的串联结构可以包括从下至上依次设置的阳极1、空穴注入层2、第一空穴传输层3、第一电子阻挡层4、第一发光层5、第一电子传输层6、电荷产生层7、第二空穴传输层9、光学调整层10、第二电子阻挡层11、第二发光层12、第二电子传输层13、阴极14、光提取层15；其中，第一发光层5包括EB子像素51、EG子像素52、ER子像素53；光学调整层10包括第一光学调整层101和第二光学调整层102；第二发光层12包括EB子像素121、EG子像素122、ER子像素123，其中，EB、EG、ER为红、绿、蓝3原色光束的平
均能量强度。
[0034]如图2所示，串联OLED器件的串联结构中还可包括：金属界面层8，位于电荷产生层7的N型电荷产生层71和P型电荷产生层72之间。
[0035]需要说明的是，下文中所示的横向串扰阻断方法不仅仅局限于如图1和图2所示的串联结构的串联OLED器件，对于其他结构的串联OLED器件也同样适用。
[0036]参见图1
‑
4，本专利技术的较佳的实施例中，基于现有技术中存在的上述问题，现提供一种串联OLED器件的横向串扰阻断方法，串联OLED器件的电子传输层和空穴传输层之间设有一金属导电层；
[0037]方法具体包括如下步骤：
[0038]对金属导电层进行图案化，以使图案化后的金属导电层与串联OLED器件的每个子像素在纵向投影上一一对应；
[0039]其中，金属导电层为金属界面层8和/或电荷产生层7。
[0040]具体的，本专利技术实施例通过对电荷产生层7(CGL)和/或金属界面层8(IL)进行图案化，使得图案化后本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种串联OLED器件的横向串扰阻断方法，其特征在于，所述串联OLED器件的电子传输层和空穴传输层之间设有一金属导电层；所述方法包括：对金属导电层进行图案化，以使图案化后的所述金属导电层与所述串联OLED器件的每个子像素在纵向投影上一一对应；其中，所述金属导电层为金属界面层和/或电荷产生层。2.根据权利要求1所述的串联OLED器件的横向串扰阻断方法，其特征在于，所述图案化的实现方式包括：使用精细金属掩膜板、使用喷墨打印技术、使用蚀刻技术、使用激光矩阵中的任意一种方式实现。3.根据权利要求1所述的串联OLED器件的横向串扰阻断方法，其特征在于，所述对金属导电层进行图案化，具体包括：以一精细金属掩膜板为阻挡，于所述电子传输层上形成一不沾金属区域，所述不沾金属区域位于所述电子传输层上除所述金属导电层外的区域；于所述电子传输层上除所述不沾金属区域外的区域淀积形成所述金属导电层。4.根据权利要求1所述的串联OLED器件的横向串扰阻断方法，其特征在于，所述不沾金属区域采用有机材料或无机材料形成。5.根据权利要求1所述的串联OLED器件的横向串扰阻断方法，其特征在于，所述不沾金属区域采用导电图案材料...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘培，薛浩，张磊，邹忠哲，
申请(专利权)人：上海和辉光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：