一种提高硅基OLED显示器件亮度的阳极制备方法技术

本发明专利技术公开了一种提高硅基OLED显示器件亮度的阳极制备方法，包括以下步骤：在所述的硅基板上制作SiNx/SiOx复合膜、制作光刻图形；通过刻蚀和去胶工艺，制成像素凹槽；阳极Ag膜沉积制备；化学机械抛光；清洗；ITO膜的溅射沉积；涂胶、曝光和显影；对ITO进行刻蚀和去胶；制备像素隔离层；涂胶、曝光和显影；完成硅基OLED阳极的制备。采用上述技术方案，采用Ag电极在硅基OLED领域应用，在不影响分辨率的前提下，可以显著提升阳极反射率，进而可有效提高终端产品AR/VR的亮度；Ag的热稳定性相较于Al更优，提升了阳极工艺的容忍度；为开拓市场提供有利基础条件。基础条件。基础条件。

【技术实现步骤摘要】
一种提高硅基OLED显示器件亮度的阳极制备方法


[0001]本专利技术属于硅基OLED的
更具体地说，本专利技术涉及一种提高硅基OLED显示器件亮度的阳极制备方法。

技术介绍

[0002]随着元宇宙概念的崛起，目前市场上的AR、VR等设备的需求越来越大。但是目前市场上的现有硅基OLED全彩产品亮度普遍较低，只有2000nit左右。因此，提高硅基OLED产品的亮度成为本领域技术任意普遍想解决的技术问题。
[0003]对于硅基OLED器件来说，一般的采用顶发射结构的OLED器件结构，而顶发射OLED的阳极对于制备高效率的OLED至关重要。这要求顶发射器件的阳极具备高的反射率，常用的作为顶发射OLED的反射金属的材料包括Al和Ag等。而在硅基OLED领域中，Ag阳极极少使用。
[0004]主要原因有以下几个方面：
[0005]1、由于硅基OLED的高的像素分辨率，对于像素阳极制备的精度需要达到0.5um甚至更高，目前面板厂常用的Ag的湿法刻蚀工艺根本达不到这么高的精度要求；
[0006]2、Ag的干法刻蚀，存在刻蚀速率慢、刻蚀副产物不易挥发等问题；
[0007]3、而曾经尝试的Ag Liftoff制程也存在精度低、PR胶容易残留的问题。
[0008]以上几方面的原因，就造成目前几乎所有的硅基OLED工厂只能采用Al阳极来解决这一问题，而性能更优的Ag电极的使用几乎无法实现。

技术实现思路

[0009]本专利技术提供一种提高硅基OLED显示器件亮度的阳极制备方法，其目的是有效解决阳极反射率偏低的问题，提升显示亮度。
[0010]为了实现上述目的，本专利技术采取的技术方案为：
[0011]本专利技术的提高硅基OLED显示器件亮度的阳极制备方法，所述的硅基OLED显示器件包括带有CMOS电路驱动的硅基板；
[0012]所述的阳极制备方法的过程包括以下步骤：
[0013]步骤1、在所述的硅基板上制作SiNx/SiOx复合膜、制作光刻图形；
[0014]步骤2、通过刻蚀和去胶工艺，制成像素凹槽；
[0015]步骤3、阳极Ag膜沉积制备；
[0016]步骤4、化学机械抛光；清洗；
[0017]步骤5、ITO膜的溅射沉积；涂胶、曝光和显影；
[0018]步骤6、对ITO进行刻蚀和去胶；
[0019]步骤7、制备像素隔离层；涂胶、曝光和显影；
[0020]步骤8、完成硅基OLED阳极的制备。
[0021]在所述的步骤1中，将带有CMOS电路驱动的硅基板传入化学气相沉积镀膜设备中
制作SiNx/SiOx复合膜；然后在已制备的SiNx/SiOx复合膜的硅基板上进行涂胶、曝光和显影，制作所需的光刻图形。
[0022]在所述的步骤2中，将完成了步骤1的硅基板传入干法刻蚀设备和去胶设备，对硅基板进行刻蚀和去胶工艺；得到带有像素凹槽图案的硅基板。
[0023]在所述的步骤3中，将完成了步骤2的硅基板传入磁控溅射镀膜设备中，在硅基板正面沉积阳极Ag膜。
[0024]在所述的步骤4中，将在步骤3中镀好Ag膜的硅基板送至化学机械抛光设备使用研磨液对基板进行化学机械抛光，作平坦化处理；然后送至清洗设备，对抛光后的硅基板进行清洗。
[0025]在所述的步骤5中，将完成了步骤4的硅基板传入磁控溅射镀膜设备中进行ITO膜的溅射沉积；然后进行涂胶、曝光和显影，制作所需的光刻像素图形。
[0026]在所述的步骤6中，将完成了步骤5的硅基板传入干刻刻蚀设备和去胶设备，对像素之间的ITO膜进行刻蚀和去胶工艺，得到具有像素图案的硅基板。
[0027]在所述的步骤7中，将完成了步骤6的硅基板传入化学气相沉积镀膜设备中，制备SiOx或SiNx或SiOx与SiNx的复合膜层作为像素隔离层PDL；然后进行涂胶、曝光和显影，制作所需的光刻像素图形。
[0028]在所述的步骤8中，将完成了步骤7的硅基板传入干法刻蚀设备和去胶设备，对像素上方的SiNx或者SiOx进行刻蚀和去胶工艺，制作出像素隔离结构，完成硅基OLED阳极基板的制作。
[0029]本专利技术采用上述技术方案，开拓了Ag电极在硅基OLED领域应用的新工艺和新方法；一方面在不影响分辨率的前提下，可以显著提升阳极反射率(90％
→
98％)，进而可有效提高终端产品AR/VR的亮度；另一方面Ag的热稳定性相较于Al更优，提升了阳极工艺的容忍度；为开拓市场提供有利基础条件。
附图说明
[0030]附图所示内容及图中的标记简要说明如下：
[0031]图1为本专利技术的制备方法步骤1的工艺结构示意图；
[0032]图2为所述方法步骤2的工艺结构示意图；
[0033]图3为所述方法步骤3的工艺结构示意图；
[0034]图4为所述方法步骤4的工艺结构示意图；
[0035]图5为所述方法步骤5的工艺结构示意图；
[0036]图6为所述方法步骤6的工艺结构示意图；
[0037]图7为所述方法步骤7的工艺结构示意图；
[0038]图8为所述方法步骤8的工艺结构示意图。
[0039]图中标记为：
[0040]1、硅基板，2、光刻胶，3、SiOx，4、SiNx，5、Ag膜，6、ITO膜，7、像素隔离层PDL。
具体实施方式
[0041]下面对照附图，通过对实施例的描述，对本专利技术的具体实施方式作进一步详细的
说明，以帮助本领域的技术人员对本专利技术的专利技术构思、技术方案有更完整、准确和深入的理解。
[0042]如图1至图8所示本专利技术的结构，为一种提高硅基OLED显示器件亮度的阳极制备方法，是一种适用于硅基OLED微显示器领域的新型Ag阳极制备方法。
[0043]所述的硅基OLED显示器件包括带有CMOS电路驱动的硅基板1。
[0044]为了解决现有技术存在的问题并克服其缺陷，实现有效解决阳极反射率偏低的问题，提升显示亮度的专利技术目的，本专利技术采取的技术方案为：
[0045]如图1至图8所示，本专利技术的提高硅基OLED显示器件亮度的阳极制备方法，其过程包括以下步骤：
[0046]步骤1、在所述的硅基板1上制作SiNx3/SiOx4复合膜、制作光刻图形；
[0047]步骤2、通过刻蚀和去胶工艺，制成像素凹槽；
[0048]步骤3、阳极Ag膜沉积制备；
[0049]步骤4、化学机械抛光；清洗；
[0050]步骤5、ITO膜的溅射沉积；涂胶、曝光和显影；
[0051]步骤6、对ITO进行刻蚀和去胶；
[0052]步骤7、制备像素隔离层；涂胶、曝光和显影；
[0053]步骤8、完成硅基OLED阳极的制备。
[0054]本专利技术的关键是：本专利技术所采用的技术方案是：使用化学机械研磨法制备Ag阳极。
[0055]与现有技术相比，本专利技术有效解决阳极反射率偏低，提本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高硅基OLED显示器件亮度的阳极制备方法，所述的硅基OLED显示器件包括带有CMOS电路驱动的硅基板(1)，其特征在于：所述的阳极制备方法的过程包括以下步骤：步骤1、在所述的硅基板(1)上制作SiNx(3)/SiOx(4)复合膜、制作光刻图形；步骤2、通过刻蚀和去胶工艺，制成像素凹槽；步骤3、阳极Ag膜沉积制备；步骤4、化学机械抛光；清洗；步骤5、ITO膜的溅射沉积；涂胶、曝光和显影；步骤6、对ITO进行刻蚀和去胶；步骤7、制备像素隔离层；涂胶、曝光和显影；步骤8、完成硅基OLED阳极的制备。2.按照权利要求1所述的提高硅基OLED显示器件亮度的阳极制备方法，其特征在于：在所述的步骤1中，将带有CMOS电路驱动的硅基板(1)传入CVD设备中制作SiNx(3)/SiOx(4)复合膜；然后在已制备的SiNx(3)/SiOx(4)复合膜的硅基板(1)上进行涂胶、曝光和显影，制作所需的光刻图形。3.按照权利要求1所述的提高硅基OLED显示器件亮度的阳极制备方法，其特征在于：在所述的步骤2中，将完成了步骤1的硅基板(1)传入干法刻蚀设备和去胶设备，对硅基板(1)进行刻蚀和去胶工艺；得到带有像素凹槽图案的硅基板(1)。4.按照权利要求1所述的提高硅基OLED显示器件亮度的阳极制备方法，其特征在于：在所述的步骤3中，将完成了步骤2的硅基板(1)传入磁控溅射镀膜设备中，在硅基板(1)正面进行阳极Ag膜(5)溅射沉积。5.按照权利要求1所述的提高硅基OLED显...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：安徽芯视佳半导体显示科技有限公司，
类型：发明
国别省市：