一种减少旋涂不均匀的阳极及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种减少旋涂不均匀的阳极，包括CMOS基板；在所述的CMOS基板上刻蚀出相应厚度的凹坑，与阳极的厚度相对应，在凹坑中沉积阳极(Anode)，使得所述的阳极(Anode)的表面与CMOS基板的表面平齐。采用上述技术方案，通过刻蚀方法，在CMOS基板上刻蚀出相应厚度的凹坑，与阳极的厚度相对应，在凹坑中沉积阳极，使得阳极与CMOS基板的表面平齐，减少后续工艺段旋涂不均匀对产品外观的影响，提高产品的竞争力。力。力。

【技术实现步骤摘要】
一种减少旋涂不均匀的阳极及其制备方法


[0001]本专利技术属于Micro OLED显示器件及其制造工艺的
更具体地，本专利技术涉及一种减少旋涂不均匀的阳极。本专利技术还涉及该阳极的制备方法。

技术介绍

[0002]Micro OLED(Organic Light Emitting Display)是一种微型OLED显示技术，主要应用于特种军用显示(枪支瞄准镜/单兵作战头盔显示器/飞行员头盔等)以及民用消费电子领域(AR/VR/微型投影仪/航空拍摄等)，Micro OLED具有体积小/重量轻/功耗低/对比度高/分辨率高等优点，预计在接下来几年将会迎来爆发式增长。
[0003]在OLED产品中，工艺旋涂不均匀容易导致Mura(不均匀)，影响产品的外观；
[0004]现有技术的存在的问题：在OLED产品中，阳极的厚度不同导致后续蒸镀封装后的表面也是不平的，到后面工艺OC旋涂时，会因为表面不平旋涂的不均匀，各个地方旋涂的厚度也不同，也就形成了mura(不均匀)，外观上因为旋涂的厚度不同产生颜色差异化。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供一种减少旋涂不均匀的阳极，其目的是减少旋涂工艺中的表面不均匀。
[0006]为了实现上述目的，本专利技术采取的技术方案为：
[0007]本专利技术的减少旋涂不均匀的阳极，包括CMOS基板；在所述的CMOS基板上刻蚀出相应厚度的凹坑，与阳极的厚度相对应，在凹坑中沉积阳极(Anode)，使得所述的阳极(Anode)的表面与CMOS基板的表面平齐。
[0008]在所述的CMOS基板的表面上设置有与其相贴合的有机发光二极管(OLED)；在所述的有机发光二极管(OLED)的另外一面上，设置与有机发光二极管(OLED)相贴合的薄膜封装层(TFE)。
[0009]在所述的薄膜封装层(TFE)的另外一面上，设置两层相贴合的黄光的胶水(OC1、OC2)；在其中的一层黄光的胶水(OC2)中，设置彩膜(CF)；所述的彩膜(CF)为三块，分别为红、绿、蓝三基色。
[0010]在所述的黄光的胶水(OC1、OC2)的外表面上，设置用于与玻璃盖板(CG)粘连的胶水层(OCR)，所述的玻璃盖板(CG)与胶水层(OCR)粘结。
[0011]为了实现与上述技术方案相同的专利技术目的，本专利技术还提供了以上所述的减少旋涂不均匀的阳极的制备方法，其过程是：
[0012]1)、在硅片基底上制备CMOS驱动电路，形成CMOS基板；
[0013]2)、通过刻蚀工艺，在CMOS基板上刻出相应厚度的凹坑，与阳极厚度相对应；
[0014]3)、在CMOS基板的凹坑中制备阳极，是通过PVD工艺沉积出阳极；
[0015]4)、通过蒸镀工艺，制备空穴注入/传输层、有机发光层、电子注入/传输层、阴极(cathode)、蒸镀膜层(CPL)；
[0016]5)、制备薄膜封装层(TFE)；
[0017]6)、完成后续黄光及模组制程；
[0018]在所述的2)中，所述的刻蚀工艺采用激光刻蚀、干刻工艺中的任意一种。
[0019]在所述的5)中，所述的制备工艺采用包括ALD、PECVD、IJP中的任意一种。
[0020]在所述的5)中，所述的薄膜封装层(TFE)的结构为Al2O3、TiO2、ATO、SiN、SiON、SiO、亚克力系有机物、环氧树脂系有机物的膜层中的任意一种，或几种之间的任意组合。
[0021]所述的ATO为ALO和TIO的混合物。
[0022]在所述的6)中，所述的黄光及模组制程工艺包括黄光的胶水(OC1、OC2)及其中的彩膜(CF)制备；玻璃盖板(CG)的贴合、模组切割成型。
[0023]本专利技术采用上述技术方案，通过刻蚀方法，在CMOS基板上刻蚀出相应厚度的凹坑，与阳极的厚度相对应，在凹坑中沉积阳极，使得阳极与CMOS基板的表面平齐，减少后续工艺段旋涂不均匀对产品外观的影响，提高产品的质量和市场竞争力。
附图说明
[0024]图1为本专利技术的结构示意图。
具体实施方式
[0025]下面对照附图，通过对实施例的描述，对本专利技术的具体实施方式作进一步详细的说明，以帮助本领域的技术人员对本专利技术的专利技术构思、技术方案有更完整、准确和深入的理解。
[0026]本专利技术属于Micro OLED显示领域，具体地说涉及一种Micro OLED显示器件结构及其制备。如图1所示本专利技术的结构，为一种减少旋涂不均匀的阳极，其包括CMOS基板。
[0027]为了解决现有技术存在的问题并克服其缺陷，实现减少旋涂工艺中的表面不均匀的专利技术目的，本专利技术采取的技术方案为：
[0028]如图1所示，本专利技术的减少旋涂不均匀的阳极，在所述的CMOS基板上刻蚀出相应厚度的凹坑，与阳极的厚度相对应，在凹坑中沉积阳极(Anode)，使得所述的阳极(Anode)的表面与CMOS基板的表面平齐。
[0029]本专利技术采用刻蚀技术，在CMOS基板上刻蚀出相应厚度的凹坑，与阳极的厚度相对应，在凹坑中沉积阳极，使得阳极与CMOS基板的表面平齐，使得产品表面保持水平一致，降低后续工艺段的旋涂不均匀的影响，减少对产品外观的影响，提高产品的质量和竞争力。
[0030]因为对CMOS基板刻蚀的厚度会根据相应的阳极厚度来决定，每个阳极的厚度可以根据不同需要确定。
[0031]图中，CMOS Substrate—IC驱动基板。
[0032]在所述的CMOS基板的表面上设置有与其相贴合的有机发光二极管(OLED)；在所述的有机发光二极管(OLED)的另外一面上，设置与有机发光二极管(OLED)相贴合的薄膜封装层(TFE)。
[0033]在所述的薄膜封装层(TFE)的另外一面上，设置两层相贴合的黄光的胶水(OC1、OC2)；在其中的一层黄光的胶水(OC2)中，设置彩膜(CF)；所述的彩膜(CF)为三块，分别为红、绿、蓝三基色。即图中彩膜(CF)从左至右的分布。
[0034]在所述的黄光的胶水(OC1、OC2)的外表面上，设置用于与玻璃盖板(CG)粘连的胶水层(OCR)，所述的玻璃盖板(CG)与胶水层(OCR)粘结。
[0035]OCR是模组的一种胶水，起到与玻璃盖板(CG)粘连的作用。
[0036]OC1、OC 2：黄光的胶水，起到流平作用。
[0037]为了实现与上述技术方案相同的专利技术目的，本专利技术还提供了以上所述的减少旋涂不均匀的阳极的制备方法，其过程是：
[0038]1)、在硅片基底上制备CMOS驱动电路，形成CMOS基板；
[0039]2)、通过刻蚀工艺，在CMOS基板上刻出相应厚度的凹坑，与阳极厚度相对应；
[0040]3)、在CMOS基板的凹坑中制备阳极，是通过PVD工艺沉积出阳极；
[0041]PVD工艺是指在真空条件下，采用低电压、大电流的电弧放电技术，利用气体放电使靶材蒸发并使被蒸发物质与气体都发生电离，利用电场的加速作用，使被本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种减少旋涂不均匀的阳极，包括CMOS基板，其特征在于：在所述的CMOS基板上刻蚀出相应厚度的凹坑，与阳极的厚度相对应，在凹坑中沉积阳极(Anode)，使得所述的阳极(Anode)的表面与CMOS基板的表面平齐。2.按照权利要求1所述的减少旋涂不均匀的阳极，其特征在于：在所述的CMOS基板的表面上设置有与其相贴合的有机发光二极管(OLED)；在所述的有机发光二极管(OLED)的另外一面上，设置与有机发光二极管(OLED)相贴合的薄膜封装层(TFE)。3.按照权利要求2所述的减少旋涂不均匀的阳极，其特征在于：在所述的薄膜封装层(TFE)的另外一面上，设置两层相贴合的黄光的胶水(OC1、OC2)；在其中的一层黄光的胶水(OC2)中，设置彩膜(CF)；所述的彩膜(CF)为三块，分别为红、绿、蓝三基色。4.按照权利要求3所述的减少旋涂不均匀的阳极，其特征在于：在所述的黄光的胶水(OC1、OC2)的外表面上，设置用于与玻璃盖板(CG)粘连的胶水层(OCR)，所述的玻璃盖板(CG)与胶水层(OCR)粘结。5.按照权利要求1至4中任意一项所述的减少旋涂不均匀的阳极的制备方法，其特征在于，该制备方法的过程是：1)、在硅片基底上制备CMOS驱动电路，形成CMOS基板；2)、通过刻蚀工艺，在CMOS基板上刻出相应厚度的...

【专利技术属性】
技术研发人员：何靖，曹君，
申请(专利权)人：安徽熙泰智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：