一种MicroOLED阳极制备方法技术

本发明专利技术公开了一种Micro OLED阳极制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1)在基板上制作Ag前道膜层；步骤2)制作PDL层，所述PDL层凸出一定高度；步骤3)整面附Ag膜层；步骤4)对PDL层的凸起部进行研磨，去除凸起PDL层上的Ag膜层；步骤5)制作Ag后道膜层。本发明专利技术Micro OLED阳极制备方法，结构简单，具有较高的反射率，可很好的满足窄线宽产品工艺需求，具有较强的实用性和较好的应用前景。强的实用性和较好的应用前景。强的实用性和较好的应用前景。

【技术实现步骤摘要】
一种Micro OLED阳极制备方法


[0001]本专利技术属于半导体显示领域，更具体地说，涉及一种Micro OLED阳极制备方法。

技术介绍

[0002]现有Micro OLED产品，是通过OLED发光，其中部分光路传导至阳极，通过阳极反射层及微腔效应增加OLED发光效率。
[0003]现有Micro OLED产品一般采用Al作为阳极反射层。可通过干法刻蚀工艺将Al膜层制作出所需要的图案。在平板/柔性显示，也有采用Ag作为阳极反射层，一般通过湿法刻蚀工艺将Ag膜层制作出所需要的图案。Al阳极反射层与Ag阳极反射层相比，反射率会低5％
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7％。Micro OLED像素密度高，单个像素尺寸小，若采用Ag作为阳极反射层，传统湿法刻蚀工艺因各向同性的特点，无法满足窄线宽产品的工艺需求。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是解决现有技术存在的问题，提供一种结构简单，具有较高的反射率，可很好的满足窄线宽产品工艺需求的Micro OLED阳极制备方法。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术采取本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Micro OLED阳极制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1)在基板上制作Ag前道膜层；步骤2)制作PDL层，所述PDL层凸出一定高度；步骤3)整面附Ag膜层；步骤4)对PDL层的凸起部进行研磨，去除凸起PDL层上的Ag膜层；步骤5)制作Ag后道膜层。2.按照权利要求1所述的Micro OLED阳极制备方法，其特征在于：步骤1)中基板包括硅片基底及设于硅片基底上的驱动电路板。3.按照权利要求2所述的Micro OLED阳极制备方法，其特征在于：在所述硅片基底上制备驱动电路板所需的图案。4.按照权利要求3所述的Micro OLED阳极制备方法，其特征在于：步骤1)中，所述Ag前道膜层为第一ITO层，在制备好的驱动电路板上沉积制备第一ITO层。5.按照权利要求4所述的Micro ...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：安徽芯视佳半导体显示科技有限公司，
类型：发明
国别省市：