一种MicroOLED阳极制备方法技术

本发明专利技术公开了一种Micro OLED阳极制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1)在基板上制作Ag前道膜层；步骤2)制作PDL层，所述PDL层凸出一定高度；步骤3)整面附Ag膜层；步骤4)对PDL层的凸起部进行研磨，去除凸起PDL层上的Ag膜层；步骤5)制作Ag后道膜层。本发明专利技术Micro OLED阳极制备方法，结构简单，具有较高的反射率，可很好的满足窄线宽产品工艺需求，具有较强的实用性和较好的应用前景。强的实用性和较好的应用前景。强的实用性和较好的应用前景。

【技术实现步骤摘要】
一种Micro OLED阳极制备方法


[0001]本专利技术属于半导体显示领域，更具体地说，涉及一种Micro OLED阳极制备方法。

技术介绍

[0002]现有Micro OLED产品，是通过OLED发光，其中部分光路传导至阳极，通过阳极反射层及微腔效应增加OLED发光效率。
[0003]现有Micro OLED产品一般采用Al作为阳极反射层。可通过干法刻蚀工艺将Al膜层制作出所需要的图案。在平板/柔性显示，也有采用Ag作为阳极反射层，一般通过湿法刻蚀工艺将Ag膜层制作出所需要的图案。Al阳极反射层与Ag阳极反射层相比，反射率会低5％
‑
7％。Micro OLED像素密度高，单个像素尺寸小，若采用Ag作为阳极反射层，传统湿法刻蚀工艺因各向同性的特点，无法满足窄线宽产品的工艺需求。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是解决现有技术存在的问题，提供一种结构简单，具有较高的反射率，可很好的满足窄线宽产品工艺需求的Micro OLED阳极制备方法。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术采取的技术方案为：所提供的这种一种Micro OLED阳极制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1)在基板上制作Ag前道膜层；步骤2)制作PDL层，所述PDL层凸出一定高度；步骤3)整面附Ag膜层；步骤4)对PDL层的凸起部进行研磨，去除凸起PDL层上的Ag膜层；步骤5)制作Ag后道膜层。
[0006]为使上述技术方案更加详尽和具体，本专利技术还提供以下更进一步的优选技术方案，以获得满意的实用效果：
[0007]步骤1)中基板包括硅片基底及设于硅片基底上的驱动电路板。
[0008]在所述硅片基底上制备驱动电路板所需的图案。
[0009]步骤1)中，所述Ag前道膜层为第一ITO层，在制备好的驱动电路板上沉积制备第一ITO层。
[0010]步骤2)中所述PDL层下方附着在硅片基底上，所述PDL层上方凸起产品最上层一定高度。
[0011]步骤3)中所述Ag膜层附着在所述第一ITO层和所述PDL层上方。
[0012]步骤4)中采用CMP设备对高出所述第一ITO层上Ag膜层的PDL层凸起部进行研磨，研磨后所述PDL层高出所述Ag膜层Ag后道膜层的高度。
[0013]步骤5)中所述Ag后道膜层为第二ITO层。
[0014]所述第二ITO层与研磨后所述PDL层同平面。
[0015]本专利技术与现有技术相比，具有以下优点：本专利技术Micro OLED阳极制备方法，结构简单，具有较高的反射率，可很好的满足窄线宽产品工艺需求，具有较强的实用性和较好的应用前景。
附图说明
[0016]下面对本说明书的附图所表达的内容及图中的标记作简要说明：
[0017]图1为本专利技术Micro OLED阳极制备方法中基板结构示意图；
[0018]图2为本专利技术Micro OLED阳极制备方法中步骤一示意图；
[0019]图3为本专利技术Micro OLED阳极制备方法中步骤二示意图；
[0020]图4为本专利技术Micro OLED阳极制备方法中步骤三示意图；
[0021]图5为本专利技术Micro OLED阳极制备方法中步骤四示意图；
[0022]图6为本专利技术Micro OLED阳极制备方法中步骤五示意图。
[0023]图中标记为：1、硅片基底；2、驱动电路板；3、第一ITO层；4、PDL层；5、Ag膜层；6、第二ITO层。
具体实施方式
[0024]下面对照附图，通过对实施例的描述，对本专利技术的具体实施方式作进一步详细的说明。
[0025]在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0026]本专利技术一种Micro OLED阳极制备方法，步骤1)在基板上制作Ag前道膜层；步骤2)在阳极外围的Space区域制作PDL层(Pixel Define Layer)，所述PDL层4凸出一定高度；步骤3)整面附Ag膜层5；步骤4)对PDL层4的凸起部进行研磨，去除凸起PDL层3上的Ag膜层5；步骤5)制作Ag后道膜层。采用此方法制作Micro OLED阳极，可实现采用Ag膜层实现制备阳极，具有高反射率。在现有基本基础上进行PDL层制备，Ag膜层附膜后，在将PDL层上的Ag膜层去除，该制备方法不受湿法刻蚀影响，可满足窄线宽产品的工艺需求。
[0027]步骤1)中基板包括硅片基底1及设于硅片基底1上的驱动电路板2。在所述硅片基底1上制备驱动电路板2所需的图案。
[0028]步骤1)中，所述Ag前道膜层为第一ITO层3，在制备好的驱动电路板2上沉积制备第一ITO层3。
[0029]步骤2)中所述PDL层4下方附着在硅片基底1上，PDL层4上方凸起产品最上层一定高度。
[0030]步骤3)中Ag膜层5附着在所述第一ITO层3和所述PDL层4上方。
[0031]步骤4)中采用CMP设备对高出所述第一ITO层3上Ag膜层5的PDL层凸起部进行研磨，研磨后所述PDL层4高出所述Ag膜层Ag后道膜层的高度。
[0032]步骤5)中所述Ag后道膜层为第二ITO层6。第二ITO层6与研磨后PDL层同平面。
[0033]具体的，本专利技术中基板包括硅片基底1及设于硅片基底1上的驱动电路板2。如图1中所示，在硅片基底1上通过PVD/曝光/刻蚀等设备，制备驱动电路板2所需的图案。参见附图1。
[0034]步骤1)：在制备好的驱动电路2上，通过PVD/曝光/刻蚀等设备，沉积制备第一ITO层3或其他透明或不透明的导电层，作为连接底层驱动电路的阳极端子。参见附图2。
[0035]步骤2)：在步骤1已制备好的产品上，通过CVD/曝光/刻蚀等设备，制作PDL层4。PDL层4比常规制程PDL更厚(如何定义更厚，厚度限定范围)。PDL层4下方附着在硅片基底上，上方凸起一定高，参见附图3。
[0036]步骤3)：在步骤2已制备好的产品上，通过PVD设备沉积Ag膜层5。整面附Ag膜层5，Ag膜层5附着在第一ITO层3和凸起的PDL层4上方，参见附图4。
[0037]步骤4)：与传统通过湿法/干法刻蚀不同，本步骤中，采用CMP设备对高出第一ITO层3上Ag膜层5的PDL层4凸起部进行研磨，去除凸起PDL层4上的Ag膜层5。通过本道工艺，切断Ag膜层5之间的连接，形成工艺所需的Ag膜层图案。研磨时将PDL层4保留一定高度，即研磨后PDL层4高出Ag膜层5一定距离，以便于下一步中形成第二ITO层6，参见附图5。
[0038]步骤5)：在步骤4已制备好的产品上，继续通过PVD/曝光/刻蚀沉积后续第二ITO膜层6或其他透明本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Micro OLED阳极制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1)在基板上制作Ag前道膜层；步骤2)制作PDL层，所述PDL层凸出一定高度；步骤3)整面附Ag膜层；步骤4)对PDL层的凸起部进行研磨，去除凸起PDL层上的Ag膜层；步骤5)制作Ag后道膜层。2.按照权利要求1所述的Micro OLED阳极制备方法，其特征在于：步骤1)中基板包括硅片基底及设于硅片基底上的驱动电路板。3.按照权利要求2所述的Micro OLED阳极制备方法，其特征在于：在所述硅片基底上制备驱动电路板所需的图案。4.按照权利要求3所述的Micro OLED阳极制备方法，其特征在于：步骤1)中，所述Ag前道膜层为第一ITO层，在制备好的驱动电路板上沉积制备第一ITO层。5.按照权利要求4所述的Micro ...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：安徽芯视佳半导体显示科技有限公司，
类型：发明
国别省市：