温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明公开了一种Micro OLED阳极制备方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1)在基板上制作Ag前道膜层;步骤2)制作PDL层,所述PDL层凸出一定高度;步骤3)整面附Ag膜层;步骤4)对PDL层的凸起部进行研磨,去除凸起PDL层上的A...该专利属于安徽芯视佳半导体显示科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过安徽芯视佳半导体显示科技有限公司授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明公开了一种Micro OLED阳极制备方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1)在基板上制作Ag前道膜层;步骤2)制作PDL层,所述PDL层凸出一定高度;步骤3)整面附Ag膜层;步骤4)对PDL层的凸起部进行研磨,去除凸起PDL层上的A...