【技术实现步骤摘要】
本技术涉及显示，尤其涉及一种阵列基板和显示装置。
技术介绍
1、如今，随着信息化社会的发展，显示技术也得到快速发展。
2、现有显示装置中包括像素电路、栅极驱动电路等电路结构，在显示装置的电路结构中低温多晶硅硅薄膜晶体管(ltps-tft)和氧化物半导体薄膜晶体管(如igzo-tft)同时被广泛使用。
3、然而，现有的显示装置的电路结构存在制作工艺复杂的问题。
技术实现思路
1、本技术提供了一种阵列基板和显示装置，可以减少阵列基板所需的膜层结构，减小信号线到第一薄膜晶体管源漏极层的挖孔深度，从而可以简化阵列基板的制作步骤，提升了阵列基板的制作工艺。
2、第一方面，本技术提供了一种阵列基板，包括：衬底；至少一个第一薄膜晶体管，第一薄膜晶体管设置在衬底的一侧，第一薄膜晶体管包括多晶硅半导体层和第一栅极，第一栅极设置在多晶硅半导体层远离衬底的一侧；至少一个第二薄膜晶体管，第二薄膜晶体管设置在衬底的一侧，第二薄膜晶体管包括氧化物半导体层和源漏极层，氧化物半导体层至...
【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述氧化物半导体层包括第一源极区、第一漏极区和所述第一源极区与所述第一漏极区之间的导电沟道，所述源漏极层包括源极和漏极；
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述源极与所述第一源极区的氧化物半导体层接触，所述漏极与所述第一漏极区的氧化物半导体层接触。
4.根据权利要求1至3任一项所述的阵列基板，其特征在于，还包括第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层和层间绝缘层；
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括像素电路，...
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述氧化物半导体层包括第一源极区、第一漏极区和所述第一源极区与所述第一漏极区之间的导电沟道，所述源漏极层包括源极和漏极；
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述源极与所述第一源极区的氧化物半导体层接触，所述漏极与所述第一漏极区的氧化物半导体层接触。
4.根据权利要求1至3任一项所述的阵列基板，其特征在于，还包括第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层和层间绝缘层；
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括像素电路，所述像素电路...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨正杰，段丹妮，
申请(专利权)人：上海和辉光电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。