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一种硅基OLED微腔阳极结构的制备方法，属于硅基OLED微腔器件技术领域，该硅基OLED微腔阳极结构的制备方法，包括以下步骤：在衬底上进行黄光制程，保留衬底上两相邻子像素之间的光刻胶；沉积金属反射层后，沉积多层导电膜层，在相邻两层导电膜层沉...
该专利属于安徽熙泰智能科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽熙泰智能科技有限公司授权不得商用。

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