一种硅基OLED显示器件防串扰的阳极制作方法技术

本发明专利技术公开了一种硅基OLED显示器件防串扰的阳极制作方法，包括如下步骤：1)将带有CMOS电路驱动的硅基板传入PVD设备中分别制作TIN

【技术实现步骤摘要】
一种硅基OLED显示器件防串扰的阳极制作方法


[0001]本专利技术属于OLED显示器制造
，尤其涉及一种硅基OLED显示器件防串扰的阳极制作方法。

技术介绍

[0002]在实现本专利技术的过程中，专利技术人发现现有技术至少存在以下问题：
[0003]现有阳极防串扰制作过程是通过做PDL(pixel definition layer)再通过干法刻蚀做成undercut，将像素与像素之间断开，让蒸镀材料CGL断开，从而防止窜扰的发生。现有阳极防窜扰制作方法比较繁琐，主要存在以下几个方面的不足：1)PDL制作过程需要增加CVD、黄光、刻蚀等工序共同参与，制作过程相对繁琐；2)产品工序增多，产品良率降低的风险就会增加。3)制作过程复杂，相应的成本也会增加。
[0004]CN111668276A
‑
有机发光显示面板及其制备方法、显示装置，公开了一种有机发光显示面板及其制备方法、显示装置。该有机发光显示面板包括：基板；多个有机发光二极管，多个所述有机发光二极管位于所述基板上，且所述有机发光二极管具有阳极、阴极，以及位于所述阳极和阴极之间的发光层和空穴注入层；防串扰隔离电极，所述防串扰隔离电极位于相邻的两个所述有机发光二极管之间的间隔处，也无法解决上述技术问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术所要解决的技术问题是提供一种硅基OLED显示器件防串扰的阳极制作方法，新型硅基OLED显示器防窜扰的阳极制作过程更简单，有效提高了硅基OLED阳极制作效率。
[0006]为了解决上述技术问题，本专利技术所采用的技术方案是：一种硅基OLED显示器件防串扰的阳极制作方法，包括如下步骤：
[0007]1)将带有CMOS电路驱动的硅基板传入PVD设备中分别制作TIN
‑
AL
‑
ITO复合膜；
[0008]2)将复合膜的基板进行光刻制程；
[0009]3)将步骤2)的基板送至干法刻蚀设备，制作具有AL膜层内嵌的RGB三像素；
[0010]4)将步骤3)基板送至蒸镀设备，实现CGL断裂。
[0011]上述第1)步中，TIN采用磁控溅射法制备，靶材为金属Ti靶，工艺气体为Ar和N2，直流电源8kw，Ar/N2流量分别为45/80sccm。
[0012]上述第1)步中，AL采用磁控溅射法制备，靶材为金属Al靶，工艺气体为Ar，直流电源10kw，Ar气流量50sccm。
[0013]上述第1)步中，ITO采用磁控溅射法制备，靶材为粉末冶金ITO靶材，工艺气体为Ar和O2，直流电源1kw，Ar/O2流量分别为80/4sccm。
[0014]上述第2)步包括如下步骤：
①
涂胶；
②
曝光；
③
显影。
[0015]所述第2)步的第
①
步中，选用北科华C7600光刻胶，匀胶设备spin涂覆，光刻胶厚度8000A。
[0016]所述第2)步的第
②
步中，选用I
‑
line光刻机，曝光能量选用2000J/
㎡
，SPACECD：B
‑
B 450nm
±
50nm；G
‑
B或B
‑
G 200nm
±
50nm；R
‑
G或G
‑
R 500nm
±
50nm，R
‑
B或B
‑
R 200nm
±
50nm。
[0017]所述第2)步的第
③
步中，显影液选用2.38％TMAH液，显影时间115.5S。
[0018]所述第3)步包括如下步骤：
①
先进行ITO/Al/TiN刻蚀，气体BCl310
‑
200sccm或Cl2 10
‑
100sccm或N2 10
‑
100sccm或Ar 10
‑
200sccm，上射频功率500
‑
2500w，下射频功率10
‑
500w，压力5
‑
50mt，形成60
°
的RGB三像素；
②
利用ITO相对于Al选择比低的刻蚀recipe实现对Al的横向刻蚀：气体BCl310
‑
200sccm或Cl2 10
‑
100sccm或Ar 10
‑
200sccm，上射频功率500
‑
2500w，下射频功率10
‑
500w，压力5
‑
50mt；
③
光刻胶去除：用氧气和氮气，功率500
‑
3000mt，氧气50
‑
5000mt，氮气50
‑
500，压力500
‑
9000mt。
[0019]上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点或有益效果，新型硅基OLED显示器防窜扰的阳极制作过程更简单，有效提高了硅基OLED阳极制作效率。
附图说明
[0020]图1为本专利技术实施例中提供的硅基OLED显示器件防串扰的阳极制作方法的原理图；
[0021]图2为图1的硅基OLED显示器件防串扰的阳极制作方法的原理图；
[0022]图3为图1的硅基OLED显示器件防串扰的阳极制作方法的原理图；
[0023]图4为图1的硅基OLED显示器件防串扰的阳极制作方法的原理图；
[0024]上述图中的标记均为：1、ITO，2、AL，3、TIN，4、硅基板，5、光刻胶，6、CGL。
具体实施方式
[0025]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0026]参见图1～4，一种硅基OLED显示器件防串扰的阳极制作方法，包括如下步骤：
[0027]步骤1：将带有CMOS电路驱动的硅基板传入PVD设备中分别制作TIN/AL/ITO复合膜。
①
TIN：采用磁控溅射法制备，靶材为金属Ti靶，工艺气体为Ar和N2，直流电源8kw，Ar/N2流量分别为45/80sccm；
②
AL：采用磁控溅射法制备，靶材为金属Al靶，工艺气体为Ar，直流电源10kw，Ar气流量50sccm；
③
ITO：采用磁控溅射法制备，靶材为粉末冶金ITO靶材，工艺气体为Ar和O2，直流电源1kw，Ar/O2流量分别为80/4sccm。有益效果：这种工艺参数可以提高膜层均一性，改善膜层表面平坦度，参见附图1。
[0028]步骤2：将复合膜的基本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅基OLED显示器件防串扰的阳极制作方法，其特征在于，包括如下步骤：1)将带有CMOS电路驱动的硅基板传入PVD设备中分别制作TIN
‑
AL
‑
ITO复合膜；2)将复合膜的基板进行光刻制程；3)将步骤2)的基板送至干法刻蚀设备，制作具有AL膜层内嵌的RGB三像素；4)将步骤3)基板送至蒸镀设备，实现CGL断裂。2.如权利要求硅基OLED显示器件防串扰的阳极制作方法，其特征在于，上述第1)步中，TIN采用磁控溅射法制备，靶材为金属Ti靶，工艺气体为Ar和N2，直流电源8kw，Ar/N2流量分别为45/80sccm。3.如权利要求硅基OLED显示器件防串扰的阳极制作方法，其特征在于，上述第1)步中，AL采用磁控溅射法制备，靶材为金属Al靶，工艺气体为Ar，直流电源10kw，Ar气流量50sccm。4.如权利要求硅基OLED显示器件防串扰的阳极制作方法，其特征在于，上述第1)步中，ITO采用磁控溅射法制备，靶材为粉末冶金ITO靶材，工艺气体为Ar和O2，直流电源1kw，Ar/O2流量分别为80/4sccm。5.如权利要求硅基OLED显示器件防串扰的阳极制作方法，其特征在于，上述第2)步包括如下步骤：
①
涂胶；
②
曝光；
③
显影。6.如权利要求硅基OLED显示器件防串扰的阳极制作方法，其特征在于，所述第2)步的第
①
步中，选用北科华C7600光刻胶，匀胶设备spin涂覆，光刻胶厚度8000A。7.如权利要求硅基OLED显示器件防串扰的阳极制作方法，其特征在于，所述第2)步的第
②
步中，选用I
‑
line光刻机，曝光能量选用2000J/
㎡
，SPACE CD：B
‑
B 450nm
±
50nm；G
‑
B或B
‑
G 200nm
±

【专利技术属性】
技术研发人员：陆炎，曹绪文，晋芳铭，孙圣，张良睿，李亮亮，荣长停，陈蒙，李启明，李阳阳，林进志，
申请(专利权)人：安徽芯视佳半导体显示科技有限公司，
类型：发明
国别省市：