一种叔胺衍生物及其有机电致发光器件制造技术

本发明专利技术提供的一种叔胺衍生物，作为如萘等稠环芳基或如喹啉等包含氮原子的稠环杂芳基通过吡啶、嘧啶、喹啉、异喹啉等作为桥连被结合到苯并萘并呋喃、苯并萘并噻吩等基团的芳胺化合物，可以在具有较宽的带隙以及高折射率的同时提升紫外线区域的吸收波长，从而在适用于有机发光元件的覆盖层时实现高效率以及长使用寿命的有机电致发光元件；同时该叔胺衍生物具有较高的玻璃化转变温度(T

【技术实现步骤摘要】
一种叔胺衍生物及其有机电致发光器件


[0001]本专利技术涉及有机光电材料
，特别是涉及一种叔胺衍生物及其有机电致发光器件。

技术介绍

[0002]有机电致发光器件(OLED，Organic Light Emission Diode)，具有高亮度、材料选择范围宽、驱动电压低、全固化主动发光等特性，同时拥有高清晰、广视角，以及可顺畅显示动画的高速响应等优势，在新一代的显示和照明产品上有着广泛的应用前景，是最近十几年的热门研究领域。
[0003]OLED一般由阳极、有机功能层以及金属阴极构成。其中，阳极作为电极和出光面，须有高电导率和高透光率，一般采用商业化的珚锡氧化物(ITO)；有机功能层一般包括电子传输层(ETL，Electron Transport Layer)、发光层(EML，Emission layer)和空穴传输层(HTL，Hole Transport Layer)等；阴极通常采用具有较低功函数的金属或金属合金材料。随着功能提高的不断要求，现增加了电子注入层(ETL，Electron Injecting Layer)、电子阻挡层(EBL，Electron
‑
Blocking Layer)、空穴注入层(HIL，Hole Injection Layer)、空穴阻挡层(HBL，Hole Block Layer)和覆盖层(CPL，Capping Layer)等多种功能辅助结构。在外加电场的作用下，阳极产生的空穴与阴极产生的电子向发光层迁移，到达发光层后，空穴与电子复合产生激子，并释放能量，激子在电场的作用下发生迁移，将能量传递给发光物质，发光物质的分子中的电子从基态跃迁到激发态，由于激发态不稳定，受激电子以辐射的方式，跃迁回到基态时，就产生发光现象，即被称之电致发光。
[0004]虽然现在OLED的内量子效率已经接近100％，但从发光层中发出的光入射到其他膜时，在ITO薄膜和玻璃衬底的界面以及玻璃衬底和空气的界面处会发生全反射，出射到OLED器件外部空间的光主要以导波形式限制在有机薄膜、ITO薄膜和玻璃衬底中，最终只有20％左右的光子到达外部，接近80％的光都不能射出，限制在器件内部以热量散失，热量积聚过多会对器件内部其他有机材料的寿命造成不良影响，极大的制约了OLED的发展和应用，因此，如何提高OLED的光取出效率成为研究的热点。
[0005]目前，实现提高OLED出光几率的一类重要方法是在阴极表面添加光取出层，即覆盖层材料，可有效减少OLED器件中的全反射效应，提高光耦合效率，有机材料应用于OLED器件的光取出层要求其具有较高玻璃化转变温度和分子热稳定性，在可见光领域吸收低、折射率高。因此，开发具有折射率高、薄膜稳定性和耐久性优异的材料来提高OLED的光取出效率成为本领域技术人员亟需解决的问题。

技术实现思路

[0006]针对现有技术存在的上述问题，本专利技术的目的在于提供一种叔胺衍生物及其有机电致发光器件，可有效提升OLED器件的光取出效率，从而提升OLED器件的发光效率。
[0007]本专利技术提供了一种叔胺衍生物，所述叔胺衍生物由化学式1表示，
[0008][0009]所述X选自O或S；
[0010]所述环A、环B独立的选自无、取代或未取代的苯环、取代或未取代的萘环中的一种，并且环A、环B中的至少一个不为无；
[0011]所述Ar1、Ar2独立的选自取代或未取代的C10～C30的稠环芳基、取代或未取代的C6～C30的稠环杂芳基中的一种；
[0012]所述L1选自单键、取代或未取代的C6～C30的亚芳基、取代或未取代的二价的C3～C12的环烷基和C6～C30的芳基的稠合环基、取代或未取代的C3～C30的亚杂芳基或其组合中的一种；
[0013]所述L2、L3独立的选自化学式2或化学式3表示的结构中的一种，
[0014][0015]所述Y独立的选自N或CR2，且至少一个Y选自N；
[0016]所述L4选自单键、取代或未取代的C6～C30的亚芳基、取代或未取代的C3～C30的亚杂芳基或其组合中的一种；
[0017]所述R1、R2独立的选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种，或者相邻的两个取代基之间可以连接形成取代或未取代的环；
[0018]所述a1选自0、1、2、3或4。
[0019]本专利技术还提供了一种有机电致发光器件，包含阳极、有机物层、阴极、覆盖层，所述覆盖层包含有本专利技术叔胺衍生物中的至少一种。
[0020]本专利技术的有益效果：
[0021]本专利技术提供的一种叔胺衍生物，作为如萘等稠环芳基或如喹啉等包含氮原子的稠环杂芳基通过吡啶、嘧啶、喹啉、异喹啉等作为桥连被结合到苯并萘并呋喃、苯并萘并噻吩等基团的芳胺化合物，可以在具有较宽的带隙以及高折射率的同时提升紫外线区域的吸收波长，从而在适用于有机发光元件的覆盖层时实现高效率以及长使用寿命的有机电致发光元件；同时该叔胺衍生物具有较高的玻璃化转变温度(T
g
)可以防止分子间的重结晶并在有机发光元件的驱动过程中产生热量时维持薄膜的稳定状态，从而提升外部量子效率并显著改善使用寿命。
[0022]另外，在高折射率的覆盖层中加入低折射率材料，可有效减少有机电致发光器件中的全反射效应，提高光耦合效率，进一步提高器件的发光效率。
具体实施方式：
[0023]下面将结合本专利技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施
例仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术的保护范围。
[0024]在本专利技术的化合物中，未指定为特定同位素的任何原子被包括作为该原子的任何稳定同位素，并且包含处于其天然同位素丰度与非天然丰度两者的原子。
[0025]在本专利技术中，“*
‑”
意指与另一取代基连接的部分。
[0026]本专利技术中，当取代基在环上的位置不固定时，表示其可连接于所述环的相应可选位点中的任意一个。
[0027]例如，可表示可表示可表示可表示以此类推。
[0028]本专利技术所述的卤素包括氟、氯、溴、碘。
[0029]在本专利技术中，所述烷基可以是线性或支化的，优选具有1至12个碳原子，更优选具有1至6个碳原子。所述烷基可以是被取代或未被取代的。具体实例包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、1
‑
甲基
‑
丁基、1
‑
乙基
‑
丁基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、正己基、1
‑
甲基戊基、2
‑
甲基戊基、4
‑
甲基
‑2‑
戊基、2
‑
乙基丁基、1
‑
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种叔胺衍生物，其特征在于，所述叔胺衍生物由化学式1表示，所述X选自O或S；所述环A、环B独立的选自无、取代或未取代的苯环、取代或未取代的萘环中的一种，并且环A、环B中的至少一个不为无；所述Ar1、Ar2独立的选自取代或未取代的C10～C30的稠环芳基、取代或未取代的C6～C30的稠环杂芳基中的一种；所述L1选自单键、取代或未取代的C6～C30的亚芳基、取代或未取代的二价的C3～C12的环烷基和C6～C30的芳基的稠合环基、取代或未取代的C3～C30的亚杂芳基或其组合中的一种；所述L2、L3独立的选自化学式2或化学式3表示的结构中的一种，所述Y独立的选自N或CR2，且至少一个Y选自N；所述L4选自单键、取代或未取代的C6～C30的亚芳基、取代或未取代的C3～C30的亚杂芳基或其组合中的一种；所述R1、R2独立的选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种，或者相邻的两个取代基之间可以连接形成取代或未取代的环；所述a1选自0、1、2、3或4。2.根据权利要求1所述的叔胺衍生物，其特征在于，所述叔胺衍生物具有如化学式1
‑
1至化学式1
‑
8所示结构中的一种，
所述R1独立的选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的甲基、取代或未取代的乙基、取代或未取代的异丙基、取代或未取代的叔丁基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基中的一种；所述a1选自0、1、2、3或4；所述a2选自0、1或2；所述a3选自0、1、2或3。3.根据权利要求1所述的叔胺衍生物，其特征在于，所述环A、环B中至少一个选自取代或未取代的苯环。4.根据权利要求1所述的叔胺衍生物，其特征在于，所述L1独立的选自单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚联苯基、取代或未取代的亚三联苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚蒽基、取代或未取代的亚菲基、取代或未取代的亚三亚苯基、取...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙月，刘小婷，刘喜庆，
申请(专利权)人：长春海谱润斯科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：