三嗪类封盖层材料及制备方法、有机电致发光器件和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种三嗪类封盖层材料及其制备方法，其结构是以三嗪为母核的前提下，引入了苯并呋喃、苯并噻吩及其衍生物等刚性基团，提升了结构稳定性；并且在空间结构上，在母核三嗪中引入的三个取代基团，与母核呈现趋于共平面的趋势，从而增加了密度，提高了折射率；同时，本发明专利技术的化合物具有较高的Tg及较低的蒸镀温度，既保证了本发明专利技术的有机化合物在量产时长时间蒸镀材料不分解，又降低了由于蒸镀温度的热辐射对蒸镀MASK的形变影响。的热辐射对蒸镀MASK的形变影响。的热辐射对蒸镀MASK的形变影响。

【技术实现步骤摘要】
三嗪类封盖层材料及制备方法、有机电致发光器件和显示装置


[0001]本专利技术涉及有机发光材料
，更具体的说是涉及一种三嗪类封盖层材料及制备方法、有机电致发光器件和显示装置。

技术介绍

[0002]有机电致发光器件(Organic Light Emitting Display，简称OLED)作为新型的平板显示器，经过数十年的发展，已经取得了长足的进步。在照明和显示这两个重要的领域，OLED占有重要的份额，特别是平板显示领域，“大屏小屏人人有”这句话已经成为了现实。
[0003]虽然其内量子效率已经接近100％，但外量子效率却仅有大约20％左右。大部分的光由于基板模式损失、表面等离子损失与波导效应等因素被限制在发光器件内部，导致了大量的能量损失。
[0004]直到现在，为了有机EL(电致发光)元件的实用化已有许多改良，各种作用更为细分，在基板上按照功能依次设有阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子输送层、电子注入层、阴极。在有机电致发光器件中，高效率与耐久性已可借由从底部发光的底部发光结构的发光元件达成。
[0005]近年来，已开始使用带有高功函数的金属作为阳极，从上部发光的顶部发光结构的发光元件。顶部发光结构的发光元件中，阴极系使用LiF/Al/Ag、Ca/Mg、LiF/MgAg等半透明电极。
[0006]如此的发光元件中，当于发光层发出的光入射到其他膜时，若以某个角度以上入射，则会于发光层与其他膜的界面被全反射。所以，只能利用发出的光的一部分。近年来，为了使光的取出效率提高，有人提出在折射率低的半透明电极的外侧设置高折射率的盖帽层，用来调节光学干涉距离，抑制外光反射，抑制表面等离子体能移动引起的消光，从而提高光的取出效率，提升发光效率。
[0007]作为调整折射率的覆盖层，已知使用参(8
‑
羟基喹啉)铝(以下简称为Alq3)。Alq3经常被用作绿色发光材料或电子输送材料，但是在蓝色发光元件使用的450nm附近带有弱吸收。所以，蓝色发光元件的情形，会有色纯度降低、及光取出效率一起下降的问题。
[0008]现有的CPL材料，虽然在一定程度上提高了光的取出效率，但其折射率一般在1.9以下，并不能满足高折射率的要求，并且发光效率较低。为了使有机EL元件的特性改善，特别是为了使光的取出效率大幅改善，需要开发一种具有高折光率的材料改善光取出效率，用以解决发光效率的问题。就盖帽层材料而言，需寻求折射率高、薄膜稳定性或耐久性优异的材料。

技术实现思路

[0009]有鉴于此，本专利技术提供了一种三嗪类封盖层材料及制备方法、有机电致发光器件和显示装置。所述封盖层材料结构是以三嗪为母核的前提下，引入了苯并呋喃、苯并噻吩及
其衍生物等刚性基团，提升了结构稳定性；并且在空间结构上，在母核三嗪中引入的三个取代基团，与母核呈现趋于共平面的趋势，从而增加了密度，提高了折射率；同时，所述材料具有较高的Tg及较低的蒸镀温度，既保证了本专利技术的有机化合物在量产时长时间蒸镀材料不分解，又降低了由于蒸镀温度的热辐射对蒸镀MASK的形变影响。
[0010]为了实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案：
[0011]一种三嗪类封盖层材料，其结构通式如式1所示：
[0012][0013]其中，
[0014]X同时为O或同时为S；
[0015]L1各自独立地选自连接键、经取代或未经取代的C3～C60环烷基、经取代或未经取代的3元～30元杂环烷基、经取代或未经取代的C6～C60芳基和经取代或未经取代的3元～30元的杂芳基中的任意一种；
[0016]L2～L3为相同的基团，选自连接键、苯基、萘基、联苯基、三联苯基、菲基、吡啶、吡咯、喹啉、咪唑、咔唑和9
‑
苯基
‑
9H
‑
咔唑中的任意一种；
[0017]Ar1选自经取代或未经取代的C1～C30烷基、经取代或未经取代的C2～C30烯基、经取代或未经取代的C2～C30炔基、经取代或未经取代的C3～C30环烷基、经取代或未经取代的3元～30元环烯基、经取代或未经取代的C6～C30芳基和经取代或未经取代的C6～C30稠环基中的任意一种。
[0018]进一步地，
[0019]Ar1选自苯基、萘基、咔唑、9
‑
苯基
‑
9H
‑
咔唑、联苯基、三联苯基、菲基、吡啶、吡咯、喹啉、咪唑、芴基、苯并呋喃、苯并噻吩、萘并呋喃、萘并噻吩、二苯并呋喃、二苯并噻吩、苯并萘并呋喃和苯并萘并噻吩中的任意一种。
[0020]L1独立的选自连接键、苯基、萘基、联苯基、三联苯基、菲基、吡啶、吡咯、喹啉和咪唑，咔唑，9
‑
苯基
‑
9H
‑
咔唑中的任意一种。
[0021]在上述技术方案中，
[0022]术语“经取代或未经取代”中取代基的碳原子数表示构成未经取代时碳原子数而不考虑取代基中的碳原子数。
[0023]术语“经取代或未经取代的”意指被选自以下的一个、两个或更多个取代基取代：
甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、环戊烷、环己烷、苯基、联苯基、萘基、芴基、二甲基芴基、菲基、蒽基、茚基、三亚苯基、芘基、基、呋喃基、噻吩基、吡咯基、吡啶基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、异苯并呋喃基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、苯并异噁唑基、苯并噁唑基、异吲哚基、吲哚基、苯并吲哚基、吲唑基、苯并噻二唑基、咔唑基、苯并咔唑基或者被以上所示的取代基中的两个或更多个取代基相连接的取代基取代，或者不具有取代基。
[0024]“杂环烷基”和“杂芳基”中杂原子包括但不限于O、S和N；
[0025]具体的，上述式1包括以下结构：
[0026][0027][0028][0029]本专利技术的另一个目的在于提供上述三嗪类封盖层材料的制备方法。
[0030]1)当
‑
L1‑
Ar1与不同时合成路径为：
[0031][0032]其中，Hal同时为Br或同时为I；
[0033]Hal1选自Cl或Br；
[0034]R
’
为
[0035]Ar1、X、L1、L2和L3与上述范围相同。
[0036]具体制备工艺如下：
[0037]在氮气保护下，将原料1(1.00eq)和原料2(1.50eq
‑
1.80eq)溶于250.00mL
‑
300.00mL甲苯、乙醇和水的混合溶液中，加入碱(3.00eq
‑
4.00eq)，钯催化剂(0.03eq
‑
0.04eq)，膦配体(0.03eq
‑
0.04eq)搅拌均匀，升温至80℃
‑
95℃，回流反应6h
‑
8h；反应结束
后，稍降温度，使用硅藻土进行本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种三嗪类封盖层材料，其特征在于，所述封盖层材料的结构通式如式1所示：其中，X同时为O或S；L1各自独立地选自连接键、经取代或未经取代的C3～C60环烷基、经取代或未经取代的3元～30元杂环烷基、经取代或未经取代的C6～C60芳基和经取代或未经取代的3元～30元的杂芳基中的任意一种；L2～L3为相同的基团，选自连接键、苯基、萘基、联苯基、三联苯基、菲基、吡啶、吡咯、喹啉、咪唑、咔唑或9
‑
苯基
‑
9H
‑
咔唑；Ar1选自经取代或未经取代的C1～C30烷基、经取代或未经取代的C2～C30烯基、经取代或未经取代的C2～C30炔基、经取代或未经取代的C3～C30环烷基、经取代或未经取代的3元～30元环烯基、经取代或未经取代的C6～C30芳基和经取代或未经取代的C6～C30稠环基中的任意一种。2.根据权利要求1所述的三嗪类封盖层材料，其特征在于，所述Ar1选自苯基、萘基、咔唑、9
‑
苯基
‑
9H
‑
咔唑、联苯基、三联苯基、菲基、吡啶、吡咯、喹啉、咪唑、芴基、苯并呋喃、苯并噻吩、萘并呋喃、萘并噻吩、二苯并呋喃、二苯并噻吩、苯并萘并呋喃或苯并萘并噻吩。3.根据权利要求1所述的三嗪类封盖层材料，其特征在于，所述L1独立的选自连接键、苯基、萘基、联苯基、三联苯基、菲基、吡啶、吡咯、喹啉、咪唑、咔唑或9
‑
苯基
‑
9H
‑
咔唑。4.根据权利要求1所述的三嗪类封盖层材料，其特征在于，所述封盖层材料具体结构如下所示：
5.一种如权利要求1
‑
4任一所述的三嗪类封盖层材料的制备方法，其特征在于，1)当
‑
L1‑
Ar1与不同时合成路径为：其中，Hal同时为Br或I；Hal1选自Cl或Br；R
’
为Ar1、X、L1、L2和L3如权利要求1
‑
3任一所述；具体包括以下步骤：在氮气保护下，将原料1(1.00eq)和原料2(1.50eq
‑
1.80eq)溶于250.00mL
‑
300.00mL甲苯、乙醇和水的混合溶液中，加入碱(3.00eq
‑
4.00eq)，钯催化剂(0.03eq
‑
0.04eq)，膦配体(0.03eq
‑
0.04eq)搅拌均匀，升温至80℃
‑
95℃，回流反应6h
‑
8h；反应结束后，使用硅藻土进
行过滤，除去盐及催化剂，滤液冷却至室温后，水洗三遍，保留有机相，并用乙酸乙酯萃取水相；合并有机相后，使用无水硫酸镁干燥，旋转蒸发去除溶剂，得到固体有机物；使用二氯甲烷将固体有机物完全溶解，然后缓慢滴加到石油醚溶液中，搅拌均匀，有沉淀析出，通过柱色谱法纯化剩余物质获得中...

【专利技术属性】
技术研发人员：马晓宇，金成寿，韩瑞峰，任卫华，唐志杰，
申请(专利权)人：吉林奥来德光电材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：