一种化合物及其有机电致发光器件制造技术

本发明专利技术提供了一种化合物及其有机电致发光器件，涉及有机电致发光材料技术领域。本发明专利技术的化学式1化合物具有较高的三线态能级，一方面，可以作为发光层中的主体材料，平衡器件内的空穴和电子；另一方面，该化合物电子迁移率较高，可以应用于有机电致发光器件中的电子传输区域，易于传输电子，同时，该化合物还具备一定的空穴阻挡作用。其优良的性质使有机电致发光器件表现出优异的光电性能，具体表现为，具有较低的驱动电压，较高的发光效率以及较长的使用寿命。的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种化合物及其有机电致发光器件


[0001]本专利技术涉及有机电致发光材料
，具体涉及一种化合物及其有机电致发光器件。

技术介绍

[0002]有机电致发光器件(OLED)由于具有主动发光、发光效率较高、功耗低、轻、薄、无视角限制等优点而被视作下一代的显示技术。自从1987年Kodak公司C.W.Tang等人第一个报道绿光双层结构高效率OLED器件以来，人们把大量的人力﹑物力投入在材料、器件结构以及工艺等方面的研究，并且取得了长足的进步，其中的研究成果已经成功地商业化。因而，研发一系列新型有机电致发光材料尤为重要。
[0003]OLED通常包含阳极、阴极和有机层。OLED的有机层可以包含空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、覆盖层等。同时，为了平衡电子或空穴的传输速率，还会在空穴传输层与发光层之间加入电子阻挡层，或在电子传输层与发光层间加入空穴阻挡层。通过一定的能级搭配，使空穴和电子聚集于发光主体层内发生碰撞，使发光材料激发发光。
[0004]在众多的OLED材料中，电子传输材料因为电子迁移率远远小于空穴传输材料的空穴迁移率且稳定性较差，从而制约了它们在OLED等领域的应用。电子传输材料应具备较高的电子亲和势和电子迁移率，从而利于电子从阴极注入及传输；同时应具有高于发光层的激发能量，使电子快速传输到发光层；还应具有较大的电离能(IP)，具备一定的空穴阻挡特性。
[0005]主体材料是OLED中不可或缺的一部分，主体材料的基本要求是必须具有高于客体材料的三线态能级，以利于主体材料吸收的能量能全部传递给客体发光材料，并同时阻断能量从客体发光分子向主体材料的回传；此外，主体材料应具有与相邻层匹配的LUMO能级和HOMO能级以便于在较低的驱动电压下进行电荷注入。
[0006]OLED目前还处于起步阶段，不论是在材料、器件结构以及工艺等方面都存在许多不足，为了突破OLED在驱动电压、发光效率以及使用寿命等方面的瓶颈，需要不断开发合成更高效的有机电致发光功能层材料。

技术实现思路

[0007]为了克服以上问题，本专利技术的目的在于，开发出一类用于有机电致发光器件的化合物，将其用于有机电致发光器件中，可提高电子迁移率，避免空穴向电子传输层一侧扩散，提高载流子在发光层的复合几率；提高有机电致发光器件的出光效率，从而改善有机电致发光器件的性能。
[0008]具体而言，本专利技术提供一种化合物，所述化合物具有化学式1的结构，
[0009][0010]所述Ar1选自下述式a；所述Ar2选自取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基或下述式a；
[0011]*表示连接位点；
[0012]所述Y选自O、S、C(Ra)2、N(Rb)，所述Ra相同或不同的选自氢、氘、氚、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的脂环基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的甲硅烷基中的任意一种；所述Rb相同或不同的选自取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的脂环基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的甲硅烷基中的任意一种；
[0013]所述E相同或不同的选自C(Rc)或N，所述Rc相同或不同的选自氢、氘、氚、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的脂环基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的甲硅烷基中的任意一种，或者两个相邻的Rc之间彼此连接形成取代或未取代的：苯环、吡啶环或嘧啶环；
[0014]所述Z相同或不同的选自C(Rd)或N，且至少存在一个Z为N；所述Rd相同或不同的选自氢、氘、氚、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的脂环基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的甲硅烷基中的任意一种；前提是当Z为与L、L1、L2相连的连接位点时，Z为C原子；
[0015]所述R0相同或不同的选自氢、氘、氚、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的脂环基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的甲硅烷基中的任意一种；所述q选自0、1或2；
[0016]所述X相同或不同的选自C(R5)或N，所述R5相同或不同的选自选自氢、氘、氚、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的脂环基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的甲硅烷基中的任意一种，或者两个相邻的R5之间彼此连接形成取代或未取代的环；
[0017]所述R1、R2独立地选自氢、氘、氚、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的脂环基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的甲硅烷基中的任意一种，或R1、R2之间可以相互结合形成取代或未取代的螺环；
[0018]所述L、L1、L2独立地选自单键、取代或未取代的C6～C30的亚芳基、取代或未取代的
C2～C30的亚杂芳基中的任意一种。
[0019]本专利技术还提供了一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包含阳极、阴极以及有机物层，所述有机物层包括发光层以及电子传输区域，所述发光层或电子传输区域包含所述具有化学式1结构的化合物。
[0020]有益效果
[0021]本专利技术提供一种化合物，一方面，该化合物具有较高的三线态能级，以及合适的HOMO能级和LUMO能级，可作为发光层的主体材料；另一方面，该化合物具备较高的电子亲和势和电子迁移率，可作为电子传输材料及空穴阻挡材料应用于有机电致发光器件中，该化合物可有效降低有机电致发光器件的驱动电压，提高有机电致发光器件的发光效率。此外，化合物本身具有良好的热稳定性及成模型，将其应用于有机电致发光器件中，可实现器件的长寿命。本专利技术提供的化合物性能优异，具有良好的应用效果和产业化前景。
具体实施方式
[0022]下面将结合本专利技术具体实施例的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术的保护范围
[0023]在本说明书中，“*”意指与另一取代基连接的部分。“*”可连接于所连接的基团/片段的任一可选位置。
[0024]在本说明书中，当取代基或连接位点所在键贯穿于两个或多个环时，表明其可连接于所述两个或两个环的任一个，具体可连接于所述环的相应可选位点中的任一个。例如，可表示或可表示以此类推。
[0025]在本说明书中，当取代基或连接本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种化合物，其特征在于，所述化合物选自化学式1所示结构，所述Ar1选自下述式a；所述Ar2选自取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基或下述式a；*表示连接位点；所述Y选自O、S、C(Ra)2、N(Rb)，所述Ra相同或不同的选自氢、氘、氚、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的脂环基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的甲硅烷基中的任意一种；所述Rb相同或不同的选自取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的脂环基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的甲硅烷基中的任意一种；所述E相同或不同的选自C(Rc)或N，所述Rc相同或不同的选自氢、氘、氚、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的脂环基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的甲硅烷基中的任意一种，或者两个相邻的Rc之间彼此连接形成取代或未取代的：苯环、吡啶环或嘧啶环；所述Z相同或不同的选自C(Rd)或N，且至少存在一个Z为N；所述Rd相同或不同的选自氢、氘、氚、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的脂环基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的甲硅烷基中的任意一种；前提是当Z为与L、L1、L2相连的连接位点时，Z为C原子；所述R0相同或不同的选自氢、氘、氚、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的脂环基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的甲硅烷基中的任意一种；所述q选自0、1或2；所述X相同或不同的选自C(R5)或N，所述R5相同或不同的选自选自氢、氘、氚、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的脂环基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的甲硅烷基中的任意一种，或者两个相邻的R5之间彼此连接形成取代或未取代的环；所述R1、R2独立地选自氢、氘、氚、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的脂环基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的甲硅烷基中的任意一种，或R1、R2之间可以相互结合形成取代或未取代的螺环；
所述L、L1、L2独立地选自单键、取代或未取代的C6～C30的亚芳基、取代或未取代的C2～C30的亚杂芳基中的任意一种。2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述选自如下所示结构中的任意一种，*表示连接位点，所述Rd具有如权利要求1中所限定的含义；所述m选自0、1或2。3.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述R1、R2独立地选自氢、氘、氚、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的脂环基、取代或未取代的C6～C18的芳基、取代或未取代的C2～C18的杂芳基、取代或未取代的甲硅烷基中的任意一种；或R1、R2之间可以相互结合形成下列结构中的任意一种：所述T相同或不同的选自C(R4)或N，所述R4相同或不同的选自氢、氘、氚、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的脂环基、取代或未取代的C6～C18的芳基、取代或未取代的C2～C18的杂芳基、取代或未取代的甲硅烷基中的任意一种，或者两个相邻的R4之间形成取代或未取代的环；所述Rf、Rg独立地选自氢、氘、氚、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的脂环基、取代或未取代的C6～C18的芳基、取代或未取代的C2～C18的杂芳基、取代或未取代的甲硅烷基中的任意一种，或者Rf、Rg之间可以相互结合形成取代或未取代的螺环；所述Rh选自取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的脂环基、取代或未取代的C6～C18的芳基、取代或未取代的C2～C18的杂芳基、取代或未取代的甲硅烷基中的任意一种；所述a1独立地选自0、1、2、3或4；所述a2独立地选自0、1、2、3、4、5或6；所述a3独立地选自0、1、2、3、4、5、6、7或8；所述a4独立地选自0、1、2、3、4、5、6、7、8、9或10；所述a5选自0、1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11或12；所述a6选自0、1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13或14；所述a7选自0、1或2。
4.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述选自如下所示结构中的任意一种，
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【专利技术属性】
技术研发人员：郭建华，苗玉鹤，刘小婷，
申请(专利权)人：长春海谱润斯科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：