【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体材料制备领域，尤其一种通过硅纳米颗粒制备高纯 多晶硅的方法及装置。
技术介绍
随着全球经济的发展，能源的消耗急剧增长。在当前，绝大多数能源 是通过燃烧化石燃料获得的。化石燃料的巨量使用所导致的大量二氧化碳 等气体排放正在造成日益严重的社会环境问题。因此，各种可再生能源的 开发利用受到了国际社会越来越大的重视。在各种可再生能源中，太阳能 以其取之不尽、用之不竭、无污染、便利等特点成为了重点发展的对象。太阳能的利用主要包括光热和光伏两大类，其中光伏发电以其高效、系统 简洁、长寿命、维护简单而备受青睐，成为了太阳能利用的主流技术。在 各国政府的政策支撑下，全球太阳能光伏产业在过去的十年里保持了高速 增长。太阳能光伏产业已经被认为是继微电子产业之后驱动全球经济发展 最主要的产业之一。太阳能光伏产业中的核心是太阳电池。目前，90%以上的太阳电池是 利用硅材料来制造的。太阳能光伏产业对制造太阳电池的原料-多晶硅的 纯度要求是99.9999% (6N)及以上。必须注意到，多晶硅也是微电子产 业的基础原料。不过，微电子产业对多晶硅的纯度要求更高(至少是 99...
【技术保护点】
一种利用硅纳米颗粒制备高纯多晶硅的方法，其特征在于，使硅纳米颗粒从原料腔进入熔化腔，加热熔化腔内的硅纳米颗粒使其熔融形成硅熔体，硅熔体从熔化腔流出后冷却凝固成块状多晶硅。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：皮孝东，杨德仁，韩庆荣，
申请(专利权)人：浙江大学，韩庆荣，
类型：发明
国别省市：86[中国|杭州]
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