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本发明公开了一种利用硅纳米颗粒制备高纯多晶硅的方法，使硅纳米颗粒从原料腔进入熔化腔，加热熔化腔内的硅纳米颗粒使其熔融形成硅熔体，硅熔体从熔化腔流出后冷却凝固成块状多晶硅。本发明还公开了实施该方法的装置包括带有真空管路接口的壳体，壳体内设有：...
该专利属于浙江大学;韩庆荣所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学;韩庆荣授权不得商用。

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