【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及谐振腔增强型光电探测器
，尤其是无上反射镜谐振腔增强型 光电探测器
，提供了一种判定无上反射镜谐振腔增强型光电探测器有效腔模的方 法。本专利技术可应用于无上反射镜谐振腔增强型光电探测器的实际探测技术中。
技术介绍
二十一世纪是信息高技术世纪，信息时代的特征是信息量大爆炸，信息传递非 常快捷，信息处理十分迅速，其量化的标志为3T 光通信速率> lTbit/s ；计算机速度> lTbit/s ；光盘存储密度> lTbit/inch2。要实现3T，需要依赖于从上个世纪开始的本世纪 将进一步得到发展的光电子技术。光子是物质存在和运动的基本形态之一，运用光子作为 信息和能量的载体，将把新世纪的科学技术推向一个更加光辉灿烂的未来。光电子器件尤 其是半导体光电子器件及其集成在高速率、大容量信息应用领域中发挥不可替代的关键作 用，它是光信息技术发展的基础。而信息光子学的发展又对光电子器件不断提出新的要求， 促使它往纵深层次更快发展。它要求材料更多样化，波长覆盖更宽，谱线更精细，器件功率 更高，可列阵集成化，应用更广泛。谐振腔增强型光子...
【技术保护点】
一种判定无上反射镜谐振腔增强型光电探测器有效腔模的方法，包括如下步骤：步骤１：设计无上反射镜谐振腔增强型光电探测器的结构，包括衬底、缓冲层、下反射镜、腔体以及顶部覆盖层，将设计好的探测器结构交由分子束外延设备生长，形成探测器样品；步骤２：将设计的探测器样品生长好以后，利用光谱仪测量样品的反射谱，标出反射谱中高反带区域的各个漏模；步骤３：依据光学传输矩阵的原理编辑模拟程序，模拟得到与设计的无上反射镜谐振腔增强型光电探测器结构以及层厚完全一致的理论模拟反射谱，在模拟过程中通过把有源区的光折射率设定为复数折射率来引入有源区的吸收因素，复数折射率的虚部就是有源区的吸收系数；步骤４：...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：孙晓明，郑厚植，章昊，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11
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