【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及磁光光谱学领域，特别适用于在半导体自旋电子学的光学性质研究 中，需要在样品中激发自旋极化电子，或者探测样品中自旋极化电子与空穴复合发射荧光 等涉及到圆偏振光的情况。
技术介绍
自从1988年巨磁电阻效应在铁/铬多层结构中被发现后，20多年来，旨在利用电 子的另一内禀属性自旋来扮演电子电荷在现代信息
中类似角色的新兴学科_自 旋电子学，无论在实验室还是工业界都取得了令人^C异的长足发展。由于其费米能级附近电子态密度比金属中的小很多，半导体材料拥有远大于金属 材料中的极化自旋寿命和自旋扩散长度。更重要的，经过几十年的探索，在半导体器件领 域，人们已经积累了大量的知识、进行了大量的实践，也拥有了各种成熟的器件工艺。所以， 半导体材料成为了自旋电子学研究的最佳平台。光谱技术，一向是研究半导体材料性质的主要手段，自然也成为半导体自旋电子 学领域的重要研究工具之一。在利用磁光光谱技术进行半导体自旋电子学的研究时，往往 需要用激发光在样品中泵浦出自旋极化的电子，或者探测样品中自旋极化的电子和空穴复 合后出射的荧光，这就在光路中引入了圆偏振(左旋或右旋)光。...
【技术保护点】
一种分析光学元件保偏特性的方法，包括如下步骤：步骤１：由第一宽波段线偏振片和第一宽波段四分之一波长波片组成极化单元，由第二宽波段四分之一波长波片和第二宽波段线偏振片组成检测单元，在同一光路上依次排列有激光器、极化单元、检测单元和光功率计，以构成探测系统；步骤２：调节极化单元，即调节第一宽波段线偏振片光轴与第一宽波段四分之一波长波片光轴的相对角度，使激光器出射的入射光成为完全极化的左旋或右旋圆偏振光；步骤３：调节检测单元，即调节第二宽波段四分之一波长波片光轴与第二宽波段线偏振片光轴的相对角度，使其只允许与步骤二中入射光偏振特性相反的右旋或左旋圆偏振光通过，则此时入射光不能到达...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：吴昊，郑厚植，朱汇，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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