【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体自旋电子学领域，特别是涉及对半导体自旋电子学材料(比 如铁磁金属/半导体结构)的自旋相关输运性质的测量。
技术介绍
自从1988年巨磁电阻(Giant Magneto Resistance)效应在Fe/Cr多层结构中被 发现后，20年来，旨在利用电子的另一内禀属性自旋来扮演电子电荷在现代信息
中类似角色的新兴学科-自旋电子学，无论在实验室还是工业界都取得了令人惊异的长足 发展。在自旋电子学的研究中，磁场往往是不可或缺的实验条件对如GaAs = Mn —类的 所谓稀磁半导体，由于塞曼(Zeeman)效应的存在，能带在外加磁场下会产生分裂，而具有 不同的能量和自旋取向；对如Fe/GaAs —类的铁磁金属/半导体结构，在进行自旋注入或自 旋滤波等研究时，通常采用法拉第(Faraday)配置，则在光学选择定则的限制下，需要铁磁 金属薄膜的磁化强度方向平行于样品生长方向，这通常要求一个很大的磁场来实现。另一方面，使样品处于低温的环境也是观测到显著自旋相关效应的必要条件之 一样品中电子的自旋极化，即+1/2和-1/2自旋的电子数目不等，是一种非平...
【技术保护点】
一套强磁场环境和液氮温度下的自旋相关输运测量系统，该系统包括：一液氮杜瓦，该液氮杜瓦底部一侧有一紫铜冷指，用于放置样品，使样品达到液氮温度，该冷指外部同轴地套有一铝套筒，用于保护冷指所处的真空环境，该套筒顶端开有一石英光学窗口，用于通过激发光和荧光；一手动五维调节平台，放置液氮杜瓦，用于调节液氮杜瓦的空间位置；一钕铁硼永磁体，开有一通孔，该钕铁硼永磁体的通孔同轴地套在液氮杜瓦的铝套筒外侧，用于提供测量的强磁场环境；一电动一维平移台，位于钕铁硼永磁体下方，用于调节钕铁硼永磁体和液氮杜瓦的相对位置；一手动一维升降台，位于电动一维平移台下方，用于支撑钕铁硼永磁体和电动一维平移台，...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：吴昊，郑厚植，谭平恒，章昊，朱汇，申超，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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