【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于集成电路设计
，涉及考虑版图相关应力对电路特性影响的集成电路 设计，尤其涉及获得STI工艺引入应力对电路特性影响的方法。
技术介绍
随着集成电路技术的发展，应力作为一种影响晶体管器件性能的因素得到了广泛的研 究。多种不同的工艺被采用来人为引入额外的应力以获得所需的器件性能改变。 一种典 型的应变沟道技术通过在SiGe衬底上外延生长一层用于制作器件的Si层。由于Si与 SiGe层的晶格常数不同，在Si层中将引入沟道平面内的双轴拉应力。这一应力的引入影 响Si的价带特性，使得电子的有效质量减小，迁移率增大，因而可以获得更大的驱动电 流和更快的器件速度。载流子迁移率描述了半导体材料中载流子运动受外加电场影响的 特性。半导体材料如硅中的机械应力会改变材料的能带特性，进而影响包括载流子迁移 率在内的多方面因素。对于硅材料器件，沟道平面内的双轴拉应力会改善nM0S器件的特 性，而沿着沟道方向的单轴压应力有助于提高pMOS器件的载流子迁移率。 在人为引入并得到良好控制的应力因素之外，部分与电路的版图特性直接相关的应力来 源也起到了显著的影响。在集成电路制作...
【技术保护点】
一种获得考虑版图相关应力后电路性能的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤： １）提取出版图中各个晶体管的区域；其具体步骤为： １１）版图划分：在整个版图范围内，检测多晶硅及有源区所对应的版图层的重合区域，得到的每一个独立的重合区域对应一 个晶体管沟道区； １２）版图提取：使用版图提取工具对版图及版图所对应的电路网单进行提取处理，得到版图与电路网单中各晶体管的对应关系以及版图中各晶体管沟道区左下角坐标作为提取结果； １３）沟道区与版图提取结果匹配：将步骤１１）中得到的各晶 体管沟道区与步骤１２）中的提取结果相比较，确定出版图中每个晶体管沟道区所对应的电路网单中的晶...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杨柳，李小健，叶佐昌，余志平，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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