沟槽型功率器件及其高反向耐压终端边缘的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种沟槽型功率器件及其高反向耐压终端边缘的制备方法，所述方法包括：获取第一沟槽型功率器件中沟槽栅极的电场分布以及沟槽宽度；基于沟槽栅极的电场分布，当判定某一沟槽栅极的终端边缘的电场强度大于第一阈值时，调整所对应沟槽栅极的沟槽宽度，根据调整后的沟槽栅极设计沟槽光罩。本发明专利技术根据沟槽栅极的终端边缘的电场强度对沟槽栅极的沟槽宽度进行调整，最终能够提高沟槽型功率器件终端边缘的反向耐压能力。器件终端边缘的反向耐压能力。器件终端边缘的反向耐压能力。

【技术实现步骤摘要】
沟槽型功率器件及其高反向耐压终端边缘的制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体器件
，尤其涉及一种沟槽型功率器件及其高反向耐压终端边缘的制备方法。

技术介绍

[0002]沟槽型功率器件是一种特殊的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。在沟槽型MOSFET中，晶体管的栅极与通道之间有一个或多个垂直沟槽，称为沟槽结构。这些沟槽被填充了一些绝缘材料，并且与源极和漏极之间连通。透过变化栅极电压，MOSFET的信道电阻可以被控制，以实现对电流的控制。
[0003]由于沟槽型功率器件的自身结构，会导致器件在某些区域的电荷集中，或产生局部过热和绝缘层击穿现象，从而降低器件的反向耐压能力和可靠性。因此，有必要提供一种沟槽型功率器件高反向耐压终端边缘的制备方法，以解决上述问题。

技术实现思路

[0004]为了解决上述提出的至少一个技术问题，本专利技术提供一种沟槽型功率器件及其高反向耐压终端边缘的制备方法，以提高沟槽型功率器件的反向耐压能力。
[0005]第一方面，本专利技术提供了一种沟槽型功率器件高反向耐压终端边缘本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种沟槽型功率器件高反向耐压终端边缘的制备方法，其特征在于，所述方法包括：获取第一沟槽型功率器件中沟槽栅极的电场分布以及沟槽宽度；基于沟槽栅极的电场分布，当判定某一沟槽栅极的终端边缘的电场强度大于第一阈值时，调整所对应沟槽栅极的沟槽宽度，根据调整后的沟槽栅极设计沟槽光罩。2.根据权利要求1所述的沟槽型功率器件高反向耐压终端边缘的制备方法，其特征在于，所述当判定某一沟槽栅极的终端边缘的电场强度大于第一阈值时，调整所对应沟槽栅极的沟槽宽度，包括：获取大于第一阈值的所有沟槽栅极的终端边缘的电场强度，从中筛选出最大值；根据最大值匹配对应的沟槽栅极，作为目标沟槽栅极；增大目标沟槽栅极的终端边缘的沟槽宽度。3.根据权利要求2所述的沟槽型功率器件高反向耐压终端边缘的制备方法，其特征在于，所述目标沟槽栅极为与最外侧沟槽栅极相邻的沟槽栅极。4.根据权利要求2所述的沟槽型功率器件高反向耐压终端边缘的制备方法，其特征在于，所述增大目标沟槽栅极的终端边缘的沟槽宽度，包括：对所述目标沟槽栅极的终端边缘的一侧进行加宽，和/或对所述目标沟槽栅极的终端边缘的两侧同时进行加宽。5.根据权利要求1所述的沟槽型功率器件高反向耐...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄汇钦，
申请(专利权)人：天狼芯半导体成都有限公司，
类型：发明
国别省市：