一种镀膜工艺控制方法及控制系统技术方案

本发明专利技术提供了一种镀膜工艺控制方法及控制系统，能够准确的实现多批次镀膜工艺采用不同配置参数及相应参数值的连续进行。所述方法包括：针对多批次的镀膜工艺，编写每批镀膜工艺需要的配置参数及相应参数值，每批镀膜工艺需要的配置参数及相应参数值包括单步或多步的配置参数及相应参数值，将每批镀膜工艺定义一个对象，在每批镀膜工艺定义的对象中：单步镀膜工艺定义一个单步对象，多步镀膜工艺定义一个对象数组，将多批镀膜工艺定义的对象通过哈希表保存，在每批镀膜工艺流程中，自动获取当前批次的配置参数及相应参数值后执行镀膜工艺流程。本发明专利技术完成了自动化量产，而且支持镀膜工艺需要多步配置参数及相应参数值的工艺要求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及镀膜工艺
，特别是涉及一种镀膜工艺控制方法及控制系统。
技术介绍
等离子体增强化学气相沉积(PECVD，全称plasma enhanced chemicalvapor deposition)设备，是制造工艺中最理想的镀膜设备之一，主要用射频等离子增强化学气相沉积的方法制备各种薄膜。在晶硅太阳能电池制造设备中，PECVD设备用来对多个硅片进行镀膜工艺。镀膜工艺的过程就是在既定的工艺条件下，如工艺腔室加热到一定温度，工艺腔室的压力稳定在工艺要求的范围内，按照一定的比例对腔室通入多种气体，然后对射频设备加一定的电压，通过电离工艺气体对硅片进行镀膜工艺目前，PECVD设备镀膜工艺中，工艺条件所涉及到的参数，采用人机交互配置的方式实现，即在人机交互的平台完成，所述参数包括有温度值、压力值、流量值、时间值和电压值，具体实现步骤如下首先，针对当前所要镀膜的硅片，设置需要的配置参数；其次，工艺人员根据设置好的配置参数设置所需的温度值、压力值、流量值、时间值和电压值，软件对各个参数的值进行保存；再次，按照设置好的配置参数及相应参数值执行工艺流程，完成镀膜工艺 最后，对工控腔室的各本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种镀膜工艺控制方法，其特征在于，包括：　针对多批次的镀膜工艺，编写每批镀膜工艺需要的配置参数及相应参数值，并保存；　在每批镀膜工艺流程中，自动获取当前批次的配置参数及相应参数值；　根据所获取的配置参数及相应参数值，执行镀 膜工艺流程。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：马平，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]