一种晶化硅纳米棒阵列的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种晶化硅纳米棒阵列的制备方法，属于纳米硅材料的制备与应用技术领域。首先将清洗后的衬底放入真空腔的衬底架上，以高纯钨丝或钽丝作为热丝源，加热热丝，向真空腔中通入氢气和硅烷的混合气体作为反应气体，入射气流穿过所述的热丝源，衬底旋转。本发明专利技术方法采用掠角的热丝化学气相沉积技术，以硅烷和氢气作为反应气体，通过热丝分解后，掠角入射到衬底上，利用影蔽效应，在固定或旋转的衬底上定向生长倾斜或垂直的硅纳米棒。氢气的加入有利于促进纳米棒的晶化。用本方法制备硅纳米棒阵列，制备工艺简单，衬底温度低，可实现纳米棒的定向生长、低温晶化，可应用于太阳电池、微电子和传感器等领域。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种晶化硅纳米棒阵列的制备方法，其特征在于该方法包括以下步骤：　（１）将清洗后的衬底放入真空腔的衬底架上，使真空腔的真空度为１×１０－３帕－１×１０－４帕；　（２）在上述真空腔中，以高纯钨丝或钽丝作为热丝源，热丝源与所述的衬底之 间的距离为７～１７ｃｍ，使热丝温度达到１６００－２０００℃；　（３）向真空腔中通入氢气和硅烷的混合气体作为反应气体，氢气和硅烷的比例为：氢气∶硅烷＝１－５∶１，入射气流穿过所述的热丝源，入射气流与衬底法线之间的夹角为７５°－８５°，反 应气体的气压为０．０１－０．３帕，衬底旋转速率为０－３０转／分。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘丰珍，朱美芳，马艳红，
申请(专利权)人：中国科学院研究生院，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]