化学机械研磨的控制方法、设备和存储介质技术

本申请公开了一种化学机械研磨的控制方法、设备和存储介质，该方法包括：获取本次研磨前晶圆的第一厚度；根据第一厚度和化学机械研磨设备的研磨垫的生命周期计算得到本次研磨的研磨量，该生命周期用于指示研磨垫的使用时间；根据本次研磨的研磨量计算得到本次研磨的研磨时间。本申请在化学机械研磨工艺中，通过获取本次研磨前晶圆的第一厚度，根据第一厚度、化学机械研磨设备的研磨垫的生命周期计算得到本次研磨的研磨量，根据本次研磨的研磨量计算得到本次研磨的研磨时间，由于在计算本次研磨的研磨量的过程中考虑了研磨垫的生命周期对研磨速率的影响，因此得到的研磨量更为准确，降低了过研磨现象，在一定程度上提高了生产效率和产品良率。产效率和产品良率。产效率和产品良率。

【技术实现步骤摘要】
化学机械研磨的控制方法、设备和存储介质


[0001]本申请涉及半导体集成电路制造
，具体涉及一种化学机械研磨(chemical mechanical polishing，CMP)的控制方法、设备和存储介质。

技术介绍

[0002]化学机械研磨工艺是半导体器件制造中的重要工艺，其利用化学腐蚀和机械研磨的协同作用对半导体晶圆进行平坦化处理，可有效兼顾半导体器件的局部和全局的平坦度。
[0003]相关技术中，在化学研磨工艺中，控制系统(例如，该控制系统可以是高级过程控制(integrated advanced process control，iAPC)系统)根据晶圆在研磨前的厚度计算得到本次的研磨量，根据本次的研磨量计算得到本次的研磨时间，根据晶圆在研磨后的厚度对下次的研磨量进行修正。
[0004]然而，由于研磨设备的研磨垫在其生命周期的末期研磨率会急剧加快，而相关技术中研磨时间的计算仅仅考虑到研磨前的厚度，因此并不准确，在研磨垫的生命周期末期容易造成过研磨的现象，从而导致超管控(out of control，OOC)警报，影响生产效率和产品良率。

技术实现思路

[0005]本申请提供了一种化学机械研磨的控制方法、设备和存储介质，可以解决相关技术中提供的化学机械研磨的控制方法中在计算研磨量的过程中没有考虑到研磨垫的生命周期从而导致计算结果不准确的问题。
[0006]一方面，本申请实施例提供了一种化学机械研磨的控制方法，包括：
[0007]获取本次研磨前晶圆的第一厚度；<br/>[0008]根据所述第一厚度和所述化学机械研磨设备的研磨垫的生命周期计算得到本次研磨的研磨量，所述生命周期用于指示所述研磨垫的使用时间；
[0009]根据所述本次研磨的研磨量计算得到本次研磨的研磨时间。
[0010]在一些实施例中，所述根据所述第一厚度和所述化学机械研磨设备的研磨垫的生命周期计算得到本次研磨的研磨量，包括：
[0011]根据所述生命周期计算得到修正后的研磨量；
[0012]根据所述修正后的研磨量和所述第一厚度计算得到本次研磨的研磨量。
[0013]在一些实施例中，所述根据所述生命周期计算得到修正后的研磨量，包括：
[0014]当所述生命周期大于时间阈值时，将理想研磨量减去第一常数，得到所述修正后的研磨量，所述理想研磨量是在理想情况下对晶圆进行研磨的研磨量。
[0015]在一些实施例中，所述根据所述修正后的研磨量和所述第一厚度计算得到本次研磨的研磨量，包括：
[0016]根据所述修正后的研磨量和研磨差值计算得到所述本次研磨的研磨量，所述研磨
差值是根据所述第一厚度和目标第一厚度计算得到的，所述目标第一厚度是在理想情况下本次研磨前晶圆的厚度。
[0017]在一些实施例中，所述研磨差值是所述第一厚度减去所述目标第一厚度和第二常数得到的。
[0018]另一方面，本申请实施例提供了一种化学机械研磨设备，包括：
[0019]研磨垫，用于对晶圆进行研磨；
[0020]控制器，包括处理器和存储器，所述存储器中存储有至少一条指令或程序，所述指令或程序由所述处理器加载并执行以实现如上任一所述的化学机械研磨的控制方法。
[0021]另一方面，本申请实施例提供了一种计算机可读存储介质，所述存储介质中存储有至少一条指令，所述指令由处理器加载并执行以实现如上任一所述的化学机械研磨的控制方法。
[0022]本申请技术方案，至少包括如下优点：
[0023]在化学机械研磨工艺中，通过获取本次研磨前晶圆的第一厚度，根据第一厚度、化学机械研磨设备的研磨垫的生命周期计算得到本次研磨的研磨量，根据本次研磨的研磨量计算得到本次研磨的研磨时间，由于在计算本次研磨的研磨量的过程中考虑了研磨垫的生命周期对研磨速率的影响，因此得到的研磨量更为准确，降低了过研磨现象，在一定程度上提高了生产效率和产品良率。
附图说明
[0024]为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0025]图1是本申请一个示例性实施例提供的化学机械研磨设备的示意图；
[0026]图2是本申请一个示例性实施例提供的化学机械研磨的控制方法的流程图。
具体实施方式
[0027]下面将结合附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
[0028]在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0029]在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电气连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可
以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
[0030]此外，下面所描述的本申请不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
[0031]参考图1，其示出了本申请一个示例性实施例提供的化学机械研磨设备的示意图，示例性的，如图1所示，该化学机械研磨设备包括：
[0032]研磨平台111，其上设置有研磨垫112，该研磨垫112用于当化学机械研磨设备工作时对晶圆200进行研磨。
[0033]晶圆托盘113，其用于当化学机械研磨设备工作时将晶圆200固定使其与研磨垫112接触，通过旋转研磨平台111使研磨垫112对晶圆200进行研磨。
[0034]喷嘴114，用于当化学机械研磨设备工作时在研磨垫112上滴入研磨液。
[0035]控制器120，其用于对化学机械研磨设备进行控制，其包括处理器121和存储器122，存储器122中存储有至少一条指令或程序，该指令或程序由处理器121加载并执行以实现以下任一方法实施例中的化学机械研磨的控制方法。其中，控制器120的存储器122中可集成有iAPC系统，由iAPC系统执行以下任一方法实施例。
[0036]参考图2，其示出了本申本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种化学机械研磨的控制方法，其特征在于，包括：获取本次研磨前晶圆的第一厚度；根据所述第一厚度和所述化学机械研磨设备的研磨垫的生命周期计算得到本次研磨的研磨量，所述生命周期用于指示所述研磨垫的使用时间；根据所述本次研磨的研磨量计算得到本次研磨的研磨时间。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一厚度和所述化学机械研磨设备的研磨垫的生命周期计算得到本次研磨的研磨量，包括：根据所述生命周期计算得到修正后的研磨量；根据所述修正后的研磨量和所述第一厚度计算得到本次研磨的研磨量。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述生命周期计算得到修正后的研磨量，包括：当所述生命周期大于时间阈值时，将理想研磨量减去第一常数，得到所述修正后的研磨量，所述理想研磨量是在理想情况下对晶圆进行研磨的研磨量。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：张佳豪，李松，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：