【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种高台阶差通孔刻蚀的方法。
技术介绍
1、对于高台阶的通孔，由于超过4000埃的台阶差，加上氧化层研磨之后晶圆中心部分以及边缘部分的厚度差距较大，上极板上氧化层偏薄使得介质刻蚀氧化层的步骤中，很容易将刻蚀阻挡层刻穿，后续导致上极板刻穿，若继续提高选择比，会导致刻蚀停止。
2、为解决上述问题，需要提出一种新型的高台阶差通孔刻蚀的方法。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种高台阶差通孔刻蚀的方法，用于解决现有技术中对于高台阶的通孔，上极板上氧化层偏薄使得介质刻蚀氧化层步骤中，很容易将刻蚀阻挡层刻穿，后续导致上极板刻穿，若继续提高选择比，会导致刻蚀停止的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种高台阶差通孔刻蚀的方法，包括：
3、步骤一、提供衬底，所述衬底上形成集成电路器件；
4、在所述半导体衬底上形成互连结构，其中，所述互连结构包括与所述集成电路器件连接的多个导电部件；
5、在所述互连结构上形成绝缘层；
6、在所述绝缘层上形成电容结构，所述电容结构包括下极板以及位于所述下级板上的上极板，所述下级板的面积大于所述上极板的面积，所述上、下极板间形成有极间介质层，所述下级板上形成有覆盖所述上极板的刻蚀停止层，形成覆盖所述电容结构的层间介质层；
7、步骤二、在所述层间介质层上形成介质抗反射涂层和位于所述介质抗反射涂层上的光
8、步骤三、以c4f8和o2为离子源刻蚀形成第一、二通孔至所述刻蚀停止层的上表面；
9、步骤四、以c4f8、c4f6和o2为离子源继续刻蚀所述第一、二通孔，使得所述第一通孔的刻蚀停止在所述上极板上，所述第二通孔的刻蚀停止在表层的所述导电部件上。
10、优选地，步骤一中的所述衬底包括块状半导体衬底或绝缘体上硅(soi)衬底。
11、优选地，步骤一中的所述层间介质层的材料为二氧化硅。
12、优选地，步骤一中的所述刻蚀停止层的材料为氮化硅。
13、优选地，步骤一中的所述上极板的材料为氮化钛。
14、优选地，步骤一中的所述下级板的材料包括铝和氮化钛。
15、优选地，步骤一中的所述绝缘层由自下而上的ndc层和位于ndc层上的氧化层组成。
16、优选地，步骤一中的所述极间介质层的材料为氮化硅。
17、优选地，步骤三中的所述以c4f8和o2为离子源刻蚀的工艺条件包括：c4f8的气体流量为20-50sccm，o2的气体流量为40-60sccm，射频功率为800-1200w。
18、优选地，步骤四中的所述以c4f8、c4f6和o2为离子源刻蚀的工艺条件包括：c4f6的气体流量为10-20sccm，c4f8的气体流量为5-10sccm，o2的气体流量为40-60sccm，射频功率为400-600w。
19、如上所述，本专利技术的高台阶差通孔刻蚀的方法，具有以下有益效果：
20、本专利技术通孔第二次刻蚀的步骤，采用复合碳氟气体(c4f8+c4f6)c4f8保证了短的通孔底部会有一定量的聚合物保护，保证短的通孔不会立马被刻穿；而c4f6保证了整个腔体氛围处在一个重聚合物的环境，提供了极高选择比，保证上极板不会被击穿。
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1.一种高台阶差通孔刻蚀的方法，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的高台阶差通孔刻蚀的方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底包括块状半导体衬底或绝缘体上硅(SOI)衬底。
3.根据权利要求1所述的高台阶差通孔刻蚀的方法，其特征在于：步骤一中的所述层间介质层的材料为二氧化硅。
4.根据权利要求1所述的高台阶差通孔刻蚀的方法，其特征在于：步骤一中的所述刻蚀停止层的材料为氮化硅。
5.根据权利要求1所述的高台阶差通孔刻蚀的方法，其特征在于：步骤一中的所述上极板的材料为氮化钛。
6.根据权利要求1所述的高台阶差通孔刻蚀的方法，其特征在于：步骤一中的所述下级板的材料包括铝和氮化钛。
7.根据权利要求1所述的高台阶差通孔刻蚀的方法，其特征在于：步骤一中的所述绝缘层由自下而上的NDC层和位于NDC层上的氧化层组成。
8.根据权利要求1所述的高台阶差通孔刻蚀的方法，其特征在于：步骤一中的所述极间介质层的材料为氮化硅。
9.根据权利要求1所述的高台阶差通孔刻蚀的方法，其特征在于：步骤三中的所述
10.根据权利要求1所述的高台阶差通孔刻蚀的方法，其特征在于：步骤四中的所述以C4F8、C4F6和O2为离子源刻蚀的工艺条件包括：C4F6的气体流量为10-20sccm，C4F8的气体流量为5-10sccm，O2的气体流量为40-60sccm，射频功率为400-600w。
...【技术特征摘要】
1.一种高台阶差通孔刻蚀的方法，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的高台阶差通孔刻蚀的方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底包括块状半导体衬底或绝缘体上硅(soi)衬底。
3.根据权利要求1所述的高台阶差通孔刻蚀的方法，其特征在于：步骤一中的所述层间介质层的材料为二氧化硅。
4.根据权利要求1所述的高台阶差通孔刻蚀的方法，其特征在于：步骤一中的所述刻蚀停止层的材料为氮化硅。
5.根据权利要求1所述的高台阶差通孔刻蚀的方法，其特征在于：步骤一中的所述上极板的材料为氮化钛。
6.根据权利要求1所述的高台阶差通孔刻蚀的方法，其特征在于：步骤一中的所述下级板的材料包括铝和氮化钛。
7.根据权利要求1所述的高台阶差通孔刻蚀的方法，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭海亮，姚道州，赵志，任婷婷，汪健，王玉新，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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