一种在半导体表面一次形成具有不同深度沟槽的方法技术

本发明专利技术属于半导体器件刻蚀的技术领域，尤其涉及一种在半导体表面一次形成具有不同深度沟槽的方法，经过在被刻蚀材料表面的指定位置形成具有斜坡结构的第一掩膜材料和第二掩膜材料后，通过光刻工艺在第二掩膜材料上形成光刻胶层及按设计形成系列窗口；通过此系列窗口刻蚀第二掩膜材料直到暴露第一掩膜材料；选择干法刻蚀的刻蚀条件，使其对第一掩膜材料和被刻蚀材料均具有刻蚀作用，然后再进行下一步的刻蚀，至到在被刻蚀材料上形成多个具有不同深度的系列沟槽，最后去除所有的掩膜材料。本发明专利技术的方法可以通过一次光刻加干法刻蚀技术形成多个具有不同深度的系列沟槽，效率高，人力和时间成本降低。力和时间成本降低。力和时间成本降低。

【技术实现步骤摘要】
一种在半导体表面一次形成具有不同深度沟槽的方法


[0001]本专利技术属于半导体器件制备的刻蚀
，尤其涉及一种在半导体表面一次性形成具有不同深度系列沟槽的方法。

技术介绍

[0002]在制备半导体器件的过程中往往需要在半导体材料表面或其上不同功能材料的表面形成不同大小和深度的精细沟槽结构，这些沟槽结构对器件性能具有关键作用。
[0003]比如，大功率碳化硅MOSFET器件的设计中通常需要设计一系列终端结构以保证器件的正常工作。其中一种设计是围绕工作区域刻蚀多个系列沟槽，且沟槽深度逐渐变化以便提高器件性能。
[0004]这些精细的沟槽结构往往是通过光刻工艺加干法刻蚀工艺形成，干法刻蚀工艺所使用的方法之一是利用等离子体在反应气体的作用下，通过物理作用和化学反应使暴露在等离子束的半导体表面被移除从而达到刻蚀的作用以形成沟槽结构。此种方法称为离子束刻蚀法，其主要特点是效率高，方向性强。这种方法还需要光刻工艺的配合在掩膜材料上产生图形，也就是把需要刻蚀的表面暴露给等离子束，而不需要刻蚀的部分用掩膜材料保护起来。<br/>[0005]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种在半导体表面一次形成具有不同深度沟槽的方法，其特征在于：包括以下步骤：S1：在被刻蚀材料（2）表面的指定位置形成具有斜坡结构（4）的第一掩膜材料（1）；S2：在第一掩膜材料（1）上形成具有同样斜坡的第二掩膜材料（3）；S3：在第二掩膜材料（3）上形成一层具有同样斜坡的光刻胶层（8），并按所需在光刻胶层（8）的斜坡区域上形成系列窗口（5），局部暴露第二掩膜材料（3）；S4：将系列窗口（5）转移到第二掩膜材料（3）上，局部暴露第一掩膜材料（1）；S5：刻蚀第一掩膜材料（1）及被刻蚀材料（2），直到在被刻蚀材料（2）上刻蚀出具有不同深度的系列沟槽（7）后，去除第一掩膜材料（1）和第二掩膜材料（3）。2.根据权利要求1所述的一种在半导体表面一次形成具有不同深度沟槽的方法，其特征在于：所述斜坡结构（4）的倾斜角度≤45度。3.根据权利要求1所述的一种在半导体表面一次形成具有不同深度沟槽的方法，其特征在于：所述S1中形成第一掩膜材料（1）的方法为压印方法。4.根据权利要求3所述的一种在半导体表面一次形成具有不同深度沟槽的方法，其特征在于：所述第一掩膜材料（1）为有机聚合物。5.根据权利要求1所述的一种在...

【专利技术属性】
技术研发人员：王本忠，何惠彬，李翔，罗科义，
申请(专利权)人：芯众享成都微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：