一种芯片键合结构及芯片制造技术

本技术采用一种芯片键合结构及芯片，该芯片键合结构包括第一键合区、第二键合区以及键合线，通过在第一键合区上设置第一金属框架，第二键合区上设置第二金属框架，且第一金属框架至少部分延伸出所述第一键合区；所述第二金属框架至少部分延伸出所述第二键合区；一方面能够增加键合线的打丝面积，避免在封装键合工艺时，因弧高不足导致压线等问题；另一方面能够通过第一金属框架以及第二金属框架提高散热能力，降低器件整体热阻；同时第一金属框架和第二金属框架还能够提高器件的过流能力与器件整体可靠性，避免过流等因素造成键合线熔断的情况。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及芯片封装，尤其涉及一种芯片键合结构及芯片。

技术介绍

1、随着sic mosfet 器件的高工作温度、高频化和高功率密度，对封装形式和工艺提出了更高的要求。目前，针对 sic mosfet 芯片的封装结构依然沿用了传统 si 芯片的封装结构，难以发挥 sic 优越的物理特性。由于工艺制造技术的不断发展，在相同功率等级下，sic mosfet芯片具有较小的芯片面积。因此，现有的封装结构易出现键合线的单焊点过大、弧高制约、打丝面积不够等问题。

2、因此亟需要一种能够解决上述问题的芯片键合结构及芯片。

技术实现思路

1、为克服上述问题，本技术提供了一种芯片键合结构及芯片，通过增设面积较大的第一金属框架和第二金属框架，避免在封装键合工艺时，因弧高不足导致压线等问题。

2、第一方面，本申请提供一种芯片键合结构，包括：

3、第一键合区，所述第一键合区上设置有第一金属框架，且所述第一键合区与所述第一金属框架电连接；

4、第二键合区，所述第二键合区上设置有第二金属框架，且第一键合区与所述第一金属框架电连接；

5、键合线，一端连接所述第一金属框架，另一端连接所述第二金属框架；

6、其中，所述第一金属框架至少部分延伸出所述第一键合区；所述第二金属框架至少部分延伸出所述第二键合区；

7、所述第一键合区为源极区，所述第二键合区为与所述第一键合区不同的另一源极区。

8、在本申请的部分实施例中，所述第一金属框架沿着背离所述第二金属框架的方向延伸出所述第一键合区；和/或，所述第二金属框架沿着背离所述第一金属框架的方向延伸出所述第二键合区。

9、在本申请的部分实施例中，所述第一键合区和所述第二键合区并排设置，且第一金属框架和所述第二金属框架同设于所述第一键合区和所述第二键合区的同一侧。

10、在本申请的部分实施例中，所述第一键合区与所述第二键合区位于同一平面上。

11、在本申请的部分实施例中，所述键合线的数量为多个，且多个所述键合线均匀间隔跨设在所述第一金属框架以及所述第二金属框架之间。

12、在本申请的部分实施例中，所述键合线具有与所述第一金属框架接触的第一子线，至少部分所述第一子线在所述第一金属框架上的投影落在所述第一键合区外。

13、在本申请的部分实施例中，所述键合线具有与所述第二金属框架接触的第二子线，至少部分所述第二子线在所述第二金属框架上的投影落在所述第二键合区外。

14、第二方面，本申请还提供一种芯片，包括上述的芯片键合结构，所述芯片为sicmosfet芯片。

15、本技术的有益效果是：本技术采用一种芯片键合结构及芯片，该芯片键合结构包括第一键合区、第二键合区以及键合线，通过在第一键合区上设置第一金属框架，第二键合区上设置第二金属框架，且第一金属框架至少部分延伸出所述第一键合区；所述第二金属框架至少部分延伸出所述第二键合区；一方面能够增加键合线的打丝面积，避免在封装键合工艺时，因弧高不足导致压线等问题；另一方面能够通过第一金属框架以及第二金属框架提高散热能力，降低器件整体热阻；同时第一金属框架和第二金属框架还能够提高器件的过流能力与器件整体可靠性，避免过流等因素造成键合线熔断的情况。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种芯片键合结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的芯片键合结构，其特征在于，所述第一金属框架(110)沿着背离所述第二金属框架(210)的方向延伸出所述第一键合区(100)；和/或，所述第二金属框架(210)沿着背离所述第一金属框架(110)的方向延伸出所述第二键合区(200)。

3.根据权利要求1所述的芯片键合结构，其特征在于，所述第一键合区(100)和所述第二键合区(200)并排设置，且第一金属框架(110)和所述第二金属框架(210)同设于所述第一键合区(100)和所述第二键合区(200)的同一侧。

4.根据权利要求3所述的芯片键合结构，其特征在于，所述第一键合区(100)与所述第二键合区(200)位于同一平面上。

5.根据权利要求1所述的芯片键合结构，其特征在于，所述键合线(300)的数量为多个，且多个所述键合线(300)均匀间隔跨设在所述第一金属框架(110)以及所述第二金属框架(210)之间。

6.根据权利要求1所述的芯片键合结构，其特征在于，所述键合线(300)具有与所述第一金属框架(110)接触的第一子线(310)，至少部分所述第一子线(310)在所述第一金属框架(110)上的投影落在所述第一键合区(100)外。

7.根据权利要求6所述的芯片键合结构，其特征在于，所述键合线(300)具有与所述第二金属框架(210)接触的第二子线(320)，至少部分所述第二子线(320)在所述第二金属框架(210)上的投影落在所述第二键合区(200)外。

8.一种芯片，其特征在于，包括权利要求1至7任意一项所述的芯片键合结构，所述芯片为SiC MOSFET芯片。

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【技术特征摘要】

1.一种芯片键合结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的芯片键合结构，其特征在于，所述第一金属框架(110)沿着背离所述第二金属框架(210)的方向延伸出所述第一键合区(100)；和/或，所述第二金属框架(210)沿着背离所述第一金属框架(110)的方向延伸出所述第二键合区(200)。

3.根据权利要求1所述的芯片键合结构，其特征在于，所述第一键合区(100)和所述第二键合区(200)并排设置，且第一金属框架(110)和所述第二金属框架(210)同设于所述第一键合区(100)和所述第二键合区(200)的同一侧。

4.根据权利要求3所述的芯片键合结构，其特征在于，所述第一键合区(100)与所述第二键合区(200)位于同一平面上。

5.根据权利要求1所述的芯片键合结构，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗科义，何惠彬，蒋怡，邹超，
申请(专利权)人：芯众享成都微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：