GaN功率半导体器件的组合封装结构制造技术

本实用新型专利技术涉及封装结构技术领域的GaN功率半导体器件的组合封装结构，包括基板，所述基板的表面固定开设有引脚槽，所述引脚槽的下端固定开设有封装液槽，所述封装液槽的内部套接有滑动活塞，所述滑动活塞的下端固定连接有推压板，所述推压板的上端两侧固定连接有液压伸缩轴，所述液压伸缩轴的一端固定连接在基板的内部，所述推压板套接在基板的内部，此设置过设置的引脚槽有利于放置芯片的引脚进行固定封装，在封装时将液体浇铸在引脚槽内部时，流进封装液槽内，此时向下按动基板，使得液压伸缩轴受到压缩，推压板向上推进使得滑动活塞滑动推动封装液槽的封装液向上移动，避免流出引脚槽与相近的浇铸液连接。引脚槽与相近的浇铸液连接。引脚槽与相近的浇铸液连接。

【技术实现步骤摘要】
GaN功率半导体器件的组合封装结构


[0001]本技术涉及封装结构
，特别是涉及GaN功率半导体器件的组合封装结构。

技术介绍

[0002]随着半导体集成电路产业经历快速成长，集成电路材料与设计的技术进步，使每一代的电路比前一代的电路更小更复杂，然而这些进展会增加集成电路工艺的复杂度，在集成电路的进展中，随着几何尺寸(工艺所能产生的最小构件或线路)缩小，功能密度(单位芯片面积中的内连线装置数目)增加，例如公开授权号为CN202122284511.9GaN器件封装结构与电子装置，在对芯片封装的技术上要求也越来越高。
[0003]现有的封装结构，在对芯片引脚封装时，由于芯片的越来越小，引脚之间的距离也越来越近，在封装时，临近的引脚的封装液会连接在一起导致芯片电路短路，零件不能正常使用，存在一定局限性。

技术实现思路

[0004]针对上述问题，本技术提出了GaN功率半导体器件的组合封装结构，以解决上述
技术介绍
中提出现有的封装结构相近引脚封装易连接在一起，导致芯片不能使用，存在一定局限性的问题。
[0005]本技术的技术方案是：
[0006]GaN功率半导体器件的组合封装结构，包括基板，所述基板的表面固定开设有引脚槽，所述引脚槽的下端固定开设有封装液槽，所述封装液槽的内部套接有滑动活塞，所述滑动活塞的下端固定连接有推压板，所述推压板的上端两侧固定连接有液压伸缩轴，所述液压伸缩轴的一端固定连接在基板的内部，所述推压板套接在基板的内部。
[0007]上述技术方案的工作原理如下：<br/>[0008]通过设置的引脚槽有利于放置芯片的引脚进行固定封装，在封装时将液体浇铸在引脚槽内部时，流进封装液槽内，此时向下按动基板，使得液压伸缩轴受到压缩，推压板向上推进使得滑动活塞滑动推动封装液槽的封装液向上移动，避免流出引脚槽与相近的浇铸液连接，冷却封装芯片的引脚，避免常规封装，两个引脚距离过进，浇铸封装的液体易连接在一起使得芯体引脚并联，导致零件不能使用，解决了现有技术中封装液距离过紧力粘连在一起的技术问题。
[0009]在进一步的技术方案中，所述推压板的下端固定开设有通风口，所述通风口的数量有若干。
[0010]通过设置的通风口可以对推压板冷却，有利于冷却滑动活塞，使得封装液快速冷却，解决了现有技术中封装液距离过紧力粘连在一起的技术问题。
[0011]在进一步的技术方案中，所述推压板的内部上端设置有有循环槽，所述循环槽的内部装有水，所述循环槽的内部一端固定连接有循环泵，所述循环槽的内部另一端固定连
接有防水电池，所述防水电池动工导线与循环泵电性连接。
[0012]通过设置的通过设置的防水电池为循环泵提供电源，可以让循环泵运行带动循环槽内部的水循环流动，有利于进行散热快速冷却，解决了现有技术中封装冷却慢的技术问题。
[0013]在进一步的技术方案中，所述滑动活塞的内部固定开设有冷却水槽，所述冷却水槽通过管道通向循环槽的内部。
[0014]通过设置的冷却水槽，循环槽内部水循环流动时，带动冷却水槽内部的水进行流动循环，使得滑动活塞可以快速冷却，有利于加速封装成型，解决了现有技术中封装冷却慢的技术问题。
[0015]在进一步的技术方案中，所述引脚槽的两侧固定连接有副引脚柱，所述副引脚柱采用铜材料构建。
[0016]通过设置的副引脚柱，可以防止原芯片损坏断裂，后续芯片不方便封装，可以与副引脚柱进行导电封装，通过设置的副引脚柱进行二次更换芯片电路的刻蚀，解决了现有技术中不能很好的预防短路的技术问题。
[0017]本技术的有益效果是：
[0018]1、本技术通过设置的引脚槽有利于放置芯片的引脚进行固定封装，在封装时将液体浇铸在引脚槽内部时，流进封装液槽内，此时向下按动基板，使得液压伸缩轴受到压缩，推压板向上推进使得滑动活塞滑动推动封装液槽的封装液向上移动，避免流出引脚槽与相近的浇铸液连接，冷却封装芯片的引脚，避免常规封装，两个引脚距离过进，浇铸封装的液体易连接在一起使得芯体引脚并联，导致零件不能使用。
[0019]2、本技术通过设置的通风口可以对推压板冷却，有利于冷却滑动活塞，通过设置的冷却水槽，循环槽内部水循环流动时，带动冷却水槽内部的水进行流动循环，使得滑动活塞可以二次冷却，有利于加速封装成型。
附图说明
[0020]图1是本技术的结构示意图；
[0021]图2是本技术推压板的结构示意图。
[0022]附图标记说明：
[0023]1、基板；2、引脚槽；3、封装液槽；4、滑动活塞；5、推压板；6、液压伸缩轴；7、通风口；8、循环槽；9、循环泵；10、防水电池；11、冷却水槽；12、副引脚柱。
具体实施方式
[0024]下面结合附图对本技术的实施例作进一步说明。
[0025]实施例1
[0026]如图1
‑
2所示，本技术提供GaN功率半导体器件的组合封装结构，包括基板1，基板1的表面固定开设有引脚槽2，引脚槽2的下端固定开设有封装液槽3，封装液槽3的内部套接有滑动活塞4，滑动活塞4的下端固定连接有推压板5，推压板5的上端两侧固定连接有液压伸缩轴6，液压伸缩轴6的一端固定连接在基板1的内部，推压板5套接在基板1的内部。
[0027]具体的，推压板5的下端固定开设有通风口7，通风口7的数量有若干，推压板5的内
部上端设置有有循环槽8，循环槽8的内部装有水，循环槽8的内部一端固定连接有循环泵9，循环槽8的内部另一端固定连接有防水电池10，防水电池10动工导线与循环泵9电性连接，滑动活塞4的内部固定开设有冷却水槽11，冷却水槽11通过管道通向循环槽8的内部，引脚槽2的两侧固定连接有副引脚柱12，副引脚柱12采用铜材料构建。
[0028]上述实施例的工作原理、有益效果。
[0029]通过设置的引脚槽2有利于放置芯片的引脚进行固定封装，在封装时将液体浇铸在引脚槽2内部时，流进封装液槽3内，此时向下按动基板1，使得液压伸缩轴6受到压缩，推压板5向上推进使得滑动活塞4滑动推动封装液槽3的封装液向上移动，避免流出引脚槽2与相近的浇铸液连接，冷却封装芯片的引脚，避免常规封装，两个引脚距离过进，浇铸封装的液体易连接在一起使得芯体引脚并联，导致零件不能使用，通过设置的通风口7可以对推压板5冷却，有利于冷却滑动活塞4，使得封装液快速冷却，通过设置的通过设置的防水电池10为循环泵9提供电源，可以让循环泵9运行带动循环槽8内部的水循环流动，有利于进行散热快速冷却，通过设置的冷却水槽11，循环槽8内部水循环流动时，带动冷却水槽11内部的水进行流动循环，使得滑动活塞4可以快速冷却，有利于加速封装成型，通过设置的副引脚柱12，可以防止原芯片损坏断裂，后续芯片不方便封装，可以与副引脚柱12进行导电封装，通过设置的副引脚柱12进行二次更换芯片电路的刻蚀。
[0030]以上实施例仅表达了本技术的具体实施方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.GaN功率半导体器件的组合封装结构，包括基板，其特征在于：所述基板的表面固定开设有引脚槽，所述引脚槽的下端固定开设有封装液槽，所述封装液槽的内部套接有滑动活塞，所述滑动活塞的下端固定连接有推压板，所述推压板的上端两侧固定连接有液压伸缩轴，所述液压伸缩轴的一端固定连接在基板的内部，所述推压板套接在基板的内部。2.根据权利要求1所述的GaN功率半导体器件的组合封装结构，其特征在于：所述推压板的下端固定开设有通风口，所述通风口的数量有若干。3.根据权利要求1所述的GaN功率半导体器件的组合封...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄升，刘毅，肖延兵，吴文杰，
申请(专利权)人：芯众享成都微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：